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Produtos Semicondutores discretos (5717)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHP054N65E-GE3 | 8.1800 |  | 50 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 47a (TC) | 10V | 58mohm @ 20a, 10V | 5V A 250µA | 108 NC @ 20 V | ± 30V | 3769 pf @ 100 V | - | 312W (TC) | ||||||
 | SIHG47N60AEF-GE3 | 8.7500 | | 2163 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Ef | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SIHG47 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 v | 40A (TC) | 10V | 70mohm @ 23.5a, 10V | 4V A 250µA | 189 NC @ 10 V | ± 30V | 3576 pf @ 100 V | - | 313W (TC) | |||||
 | 2N6660JTXV02 | - | | 1075 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N6660 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-205AD (TO-39) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-canal | 60 v | 990mA (TC) | 5V, 10V | 3ohm @ 1a, 10V | 2V @ 1MA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW (TA), 6,25W (TC) | |||||
 | SQ3457EV-T1_GE3 | 0,6900 | | 735 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SQ3457 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 6.8a (TC) | 4.5V, 10V | 65mohm @ 6a, 10V | 2,5V a 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 705 pf @ 15 V | - | 5W (TC) | ||||||
 | SI1470DH-T1-E3 | - | | 9308 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1470 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 5.1a (TC) | 2.5V, 4.5V | 66mohm @ 3.8a, 4.5V | 1.6V a 250µA | 7,5 nc @ 5 V | ± 12V | 510 pf @ 15 V | - | 1,5W (TA), 2,8W (TC) | ||||
 | IRFI540GPBF | 3.1800 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRFI540 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRFI540GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 17a (TC) | 10V | 77mohm @ 10a, 10V | 4V A 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||
 | SI7655DN-T1-GE3 | 1.6400 | | 24 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® 1212-8S | SI7655 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8S | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 40A (TC) | 2.5V, 10V | 3.6mohm @ 20a, 10V | 1.1V @ 250µA | 225 NC @ 10 V | ± 12V | 6600 pf @ 10 V | - | 4.8W (TA), 57W (TC) | |||||
 | SQJ479EP-T1_GE3 | 1.2300 | | 11 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 | SQJ479 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 80 v | 32a (TC) | 4.5V, 10V | 33mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 150 nc @ 10 V | ± 20V | 4500 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
 | IRL620 | - | | 6237 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRL620 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRL620 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 200 v | 5.2a (TC) | 4V, 5V | 800mohm @ 3.1a, 5V | 2V A 250µA | 16 nc @ 5 V | ± 10V | 360 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||
 | IRFRC20TR | - | | 2891 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFRC20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 600 v | 2a (TC) | 10V | 4.4OHM @ 1.2A, 10V | 4V A 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
| SI3481DV-T1-GE3 | - | | 7240 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3481 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 4a (ta) | 4.5V, 10V | 48mohm @ 5.3a, 10V | 3V A 250µA | 25 nc @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | |||||
| SQ1912EH-T1_GE3 | 0,4800 | | 31 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1912 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.5W | SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 800mA (TC) | 280mohm @ 1.2a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 1.15NC @ 4.5V | 75pf @ 10V | - | |||||||
| SUP70040E-GE3 | 3.0600 | | 490 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | SUP70040 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 v | 120A (TC) | 7.5V, 10V | 4mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 120 nc @ 10 V | ± 20V | 5100 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | |||||
 | SI7956DP-T1-E3 | 3.1700 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SI7956 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W | PowerPak® SO-8 dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 150V | 2.6a | 105mohm @ 4.1a, 10V | 4V A 250µA | 26NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | |||||||
 | IRF644L | - | | 4905 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IRF644 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF644L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 v | 14a (TC) | 10V | 280mohm @ 8.4a, 10V | 4V A 250µA | 68 nc @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | - | |||
| IRF9520pbf | 1.2900 | | 14 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF9520 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRF9520pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P. | 100 v | 6.8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4V A 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||
| IRFPC50A | - | | 2017 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IRFPC50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFPC50A | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 v | 11a (TC) | 10V | 580mohm @ 6a, 10V | 4V A 250µA | 70 nc @ 10 V | ± 30V | 2100 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | |||
 | IRF840LCSTRR | - | | 7368 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF840 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 v | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V A 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI7119DN-T1-GE3 | 1.0000 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® 1212-8 | SI7119 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 200 v | 3.8a (TC) | 6V, 10V | 1.05OHM @ 1A, 10V | 4V A 250µA | 25 nc @ 10 V | ± 20V | 666 pf @ 50 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | IRFL9014PBF | - | | 6170 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-261-4, TO-261AA | IRFL9014 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-223 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P. | 60 v | 1.8a (TC) | 10V | 500mohm @ 1.1a, 10V | 4V A 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3,1W (TC) | |||||
 | SISA96DN-T1-GE3 | 0,4400 | | 16 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® 1212-8 | SISA96 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 8.8mohm @ 10a, 10V | 2.2V A 250µA | 15 NC a 4,5 V | +20V, -16V | 1385 pf @ 15 V | - | 26.5W (TC) | |||||
| IRL620s | - | | 7203 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRL620 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRL620s | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 v | 5.2a (TC) | 4V, 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 2V A 250µA | 16 nc @ 5 V | ± 10V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||
 | 2N5115 | - | | 4657 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | Através do buraco | TO-206AA, TO-18-3 METAL CAN | 2N5115 | TO-206AA (TO-18) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | - | - | ||||||||||||||
 | SIHG026N60EF-GE3 | 14.3000 | | 4124 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | 1 (ilimito) | 742-SIHG026N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 v | 95a (TC) | 10V | 26mohm @ 38a, 10V | 5V A 250µA | 227 NC @ 10 V | ± 30V | 7926 PF @ 100 V | - | 521W (TC) | ||||||
 | IRFU4105ZTRL | - | | 8864 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | IRFU4105 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251AA | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 v | 30a (TC) | 10V | 24.5mohm @ 18a, 10V | 4V A 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 740 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||
| SIHU5N50D-E3 | 0,5199 | | 2871 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | Sihu5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 v | 5.3a (TC) | 10V | 1.5OHM @ 2.5a, 10V | 5V A 250µA | 20 NC A 10 V | ± 30V | 325 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||
 | SIHH20N50E-T1-GE3 | 4.8500 | | 7820 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | SIHH20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Powerpak® 8 x 8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 v | 22a (TC) | 10V | 147mohm @ 10a, 10V | 4V A 250µA | 84 nc @ 10 V | ± 30V | 2063 pf @ 100 V | - | 174W (TC) | |||||
 | SUA70090E-E3 | - | | 4789 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | SUA70090 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pacote completo parágrafo 220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 42.8a (TC) | 7.5V, 10V | 9.3mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 50 nc @ 10 V | ± 20V | 1950 pf @ 50 V | - | 35.7W (TC) | |||||
 | IRFD220 | - | | 3137 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD220 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-HVMDIP | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFD220 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 v | 800mA (TA) | 10V | 800MOHM @ 480MA, 10V | 4V A 250µA | 14 nc @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | |||
| IRF610STRL | - | | 7832 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF610 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 v | 3.3a (TC) | 10V | 1.5OHM @ 2A, 10V | 4V A 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 36W (TC) |
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