Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI7448DP-T1-GE3 | - | ![]() | 2402 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SI7448 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 20 V | 13,4A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 6,5mOhm a 22A, 4,5V | 1,5 V a 250 µA | 50 nC @ 4,5 V | ±12V | - | 1,9W (Ta) | |||||
![]() | SIS888DN-T1-GE3 | 1.6400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | ThunderFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TA) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8S | SIS888 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8S | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 150 V | 20,2A (Tc) | 7,5V, 10V | 58mOhm @ 10A, 10V | 4,2 V a 250 µA | 14,5 nC @ 10 V | ±20V | 420 pF a 75 V | - | 52W (Tc) | |||||
![]() | SIA907EDJ-T1-GE3 | - | ![]() | 9300 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | - | - | - | SIA907 | - | - | - | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||
![]() | SIA112LDJ-T1-GE3 | 0,7100 | ![]() | 5351 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SC-70-6 | SIA112 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SC-70-6 | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 100V | 3,5A (Ta), 8,8A (Tc) | 4,5V, 10V | 14mOhm @ 10A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 11,8 nC a 10 V | ±25V | 355 pF a 50 V | - | 2,9 W (Ta), 15,6 W (Tc) | ||||||
![]() | SIHB24N65EF-GE3 | 6.0100 | ![]() | 6909 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SIHB24 | MOSFET (óxido metálico) | TO-263 (D²Pak) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 650 V | 24A (Tc) | 10V | 156mOhm @ 12A, 10V | 4 V a 250 µA | 122 nC @ 10 V | ±30V | 2774 pF a 100 V | - | 250W (Tc) | |||||
![]() | IRFPG50PBF | 5.8800 | ![]() | 1915 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | IRFPG50 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | *IRFPG50PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal N | 1000V | 6.1A (Tc) | 10V | 2 Ohm @ 3,6 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 190 nC @ 10 V | ±20V | 2.800 pF a 25 V | - | 190W (Tc) | ||||
| IRFZ40PBF | 2.7800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRFZ40 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | *IRFZ40PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 60 V | 50A (Tc) | 10V | 28mOhm a 31A, 10V | 4 V a 250 µA | 67 nC @ 10 V | ±20V | 1900 pF a 25 V | - | 150W (Tc) | |||||
![]() | SIF912EDZ-T1-E3 | - | ![]() | 8478 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 2x5 | SIF912 | MOSFET (óxido metálico) | 1,6W | PowerPAK® (2x5) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Dreno comum de 2 canais N (duplo) | 30V | 7.4A | 19mOhm a 7,4A, 4,5V | 1,5 V a 250 µA | 15nC a 4,5V | - | Portão de nível lógico | ||||||
| IRF744PBF | - | ![]() | 8552 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRF744 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRF744PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 450 V | 8,8A(Tc) | 10V | 630mOhm @ 5,3A, 10V | 4 V a 250 µA | 80 nC @ 10 V | ±20V | 1400 pF a 25 V | - | 125W (Tc) | ||||
![]() | SI9936BDY-T1-E3 | - | ![]() | 3861 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI9936 | MOSFET (óxido metálico) | 1,1 W | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canais N (duplo) | 30V | 4,5A | 35mOhm @ 6A, 10V | 3 V a 250 µA | 13nC @ 10V | - | Portão de nível lógico | ||||||
![]() | SQD50P08-28-T4_GE3 | 0,6985 | ![]() | 7852 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | SQD50 | MOSFET (óxido metálico) | TO-252AA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 742-SQD50P08-28-T4_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 80 V | 48A (Tc) | 10V | 28mOhm @ 12,5A, 10V | 3,5 V a 250 µA | 145 nC @ 10 V | ±20V | 6035 pF a 25 V | - | 136W (Tc) | ||||
| SUP85N15-21-E3 | 5.4000 | ![]() | 7896 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | SUP85 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 150 V | 85A (Tc) | 10V | 21mOhm a 30A, 10V | 4 V a 250 µA | 110 nC @ 10 V | ±20V | 4750 pF a 25 V | - | 2,4 W (Ta), 300 W (Tc) | ||||||
![]() | SIE726DF-T1-GE3 | - | ![]() | 8611 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | SkyFET®, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 10-PolarPAK® (L) | SIE726 | MOSFET (óxido metálico) | 10-PolarPAK® (L) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 60A (Tc) | 4,5V, 10V | 2,4mOhm a 25A, 10V | 3 V a 250 µA | 160 nC @ 10 V | ±20V | 7.400 pF a 15 V | - | 5,2 W (Ta), 125 W (Tc) | ||||
![]() | SIHP14N60E-BE3 | 2.3600 | ![]() | 978 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 600 V | 13A (Tc) | 10V | 309mOhm @ 7A, 10V | 4 V a 250 µA | 64 nC @ 10 V | ±30V | 1205 pF a 100 V | - | 147W (Tc) | |||||||
![]() | IRFDC20PBF | 2.2600 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-DIP (0,300", 7,62 mm) | IRFDC20 | MOSFET (óxido metálico) | 4-HVMDIP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | *IRFDC20PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Canal N | 600 V | 320mA (Ta) | 10V | 4,4Ohm a 190mA, 10V | 4 V a 250 µA | 18 nC @ 10 V | ±20V | 350 pF a 25 V | - | 1W (Ta) | ||||
| SUP50020EL-GE3 | 3.0600 | ![]() | 6173 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Volume | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | SUP50020 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 60 V | 120A (Tc) | 4,5V, 10V | 2,3mOhm a 30A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 126 nC @ 10 V | ±20V | 11113 pF a 30 V | - | 375W (Tc) | ||||||
![]() | SIHB33N60E-GE3 | 6.1800 | ![]() | 7896 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Volume | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | SIHB33 | MOSFET (óxido metálico) | D²PAK (TO-263) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | SIHB33N60EGE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 600 V | 33A (Tc) | 10V | 99mOhm @ 16,5A, 10V | 4 V a 250 µA | 150 nC @ 10 V | ±30V | 3508 pF a 100 V | - | 278W (Tc) | ||||
![]() | IRLI630GPBF | 2.7800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | IRLI630 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | *IRLI630GPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 200 V | 6,2A (Tc) | 4V, 5V | 400mOhm @ 3,7A, 5V | 2V @ 250µA | 40 nC @ 10 V | ±10V | 1100 pF a 25 V | - | 35W (Tc) | ||||
![]() | SIHH120N60E-T1-GE3 | 6.0900 | ![]() | 4280 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | SIHH120 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 8x8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 600 V | 24A (Tc) | 10V | 120mOhm @ 12A, 10V | 5 V a 250 µA | 44 nC @ 10 V | ±30V | 1600 pF a 100 V | - | 156W (Tc) | |||||
![]() | SI2319CDS-T1-BE3 | 0,5700 | ![]() | 216 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2319 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23-3 (TO-236) | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 3,1A (Ta), 4,4A (Tc) | 4,5V, 10V | 77mOhm @ 3,1A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 21 nC @ 10 V | ±20V | 595 pF a 20 V | - | 1,25 W (Ta), 2,5 W (Tc) | |||||
![]() | SIR826DP-T1-RE3 | 0,9999 | ![]() | 3488 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SIR826 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 80 V | 60A (Tc) | 4,5V, 10V | 4,8mOhm a 20A, 10V | 2,8 V a 250 µA | 90 nC @ 10 V | ±20V | 2.900 pF a 40 V | - | 104W (Tc) | ||||||
![]() | IRF744L | - | ![]() | 9534 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | - | Através do furo | TO-262-3 Cabos Longos, I²Pak, TO-262AA | IRF744 | MOSFET (óxido metálico) | I2PAK | - | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | *IRF744L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 450 V | 8,8A(Tc) | 10V | 630mOhm @ 5,3A, 10V | 4 V a 250 µA | 80 nC @ 10 V | ±20V | 1400 pF a 25 V | - | - | ||||
![]() | SI1905DL-T1-E3 | - | ![]() | 7024 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1905 | MOSFET (óxido metálico) | 270mW | SC-70-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canais P (duplo) | 8V | 570mA | 600mOhm @ 570mA, 4,5V | 450mV @ 250µA (mín.) | 2,3nC a 4,5V | - | Portão de nível lógico | ||||||
![]() | 2N6661JAN02 | - | ![]() | 3321 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-205AD, TO-39-3 Lata de metal | 2N6661 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-39 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | Canal N | 90 V | 860mA (Tc) | 5V, 10V | 4Ohm @ 1A, 10V | 2V @ 1mA | ±20V | 50 pF a 25 V | - | 725mW (Ta), 6,25W (Tc) | |||||
![]() | SQJ951EP-T1_BE3 | 1.6100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 duplo | SQJ951 | MOSFET (óxido metálico) | 56W (Tc) | PowerPAK® SO-8 duplo | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canais P (duplo) | 30V | 30A (Tc) | 17mOhm a 7,5A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 50nC @ 10V | 1680pF a 10V | - | |||||||
![]() | SISS30DN-T1-GE3 | 1.1400 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrenchFET® Geração IV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8S | ISS30 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8S | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 80 V | 15,9A (Ta), 54,7A (Tc) | 7,5V, 10V | 8,25mOhm a 10A, 10V | 3,8 V a 250 µA | 40 nC @ 10 V | ±20V | 1666 pF a 10 V | - | 4,8 W (Ta), 57 W (Tc) | |||||
![]() | SIHK185N60E-T1-GE3 | 4.4200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerBSFN | SIHK185 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK®10x12 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal N | 600 V | 19A (Tc) | 10V | 185mOhm @ 9,5A, 10V | 5 V a 250 µA | 33 nC @ 10 V | ±30V | 1085 pF a 100 V | - | 114W (Tc) | |||||
![]() | SIHH24N65E-T1-GE3 | 6.4800 | ![]() | 821 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-PowerTDFN | SIHH24 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 8x8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 650 V | 23A (Tc) | 10V | 150mOhm @ 12A, 10V | 4 V a 250 µA | 116 nC @ 10 V | ±30V | 2814 pF a 100 V | - | 202W (Tc) | |||||
![]() | IRFL9014TR | - | ![]() | 7049 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-261-4, TO-261AA | IRFL9014 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-223 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 1,8A (Tc) | 10V | 500mOhm @ 1,1A, 10V | 4 V a 250 µA | 12 nC @ 10 V | ±20V | 270 pF a 25 V | - | 2W (Ta), 3,1W (Tc) | ||||
![]() | SI7439DP-T1-E3 | 3.9800 | ![]() | 2592 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SI7439 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 3A (Ta) | 6V, 10V | 90mOhm @ 5,2A, 10V | 4 V a 250 µA | 135 nC @ 10 V | ±20V | - | 1,9W (Ta) |

Volume médio diário de RFQ

Unidade de produto padrão

Fabricantes mundiais

Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)