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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIR804DP-T1-GE3 | 2.8500 | ![]() | 6593 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SIR804 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 100V | 60A (Tc) | 4,5V, 10V | 7,2mOhm a 20A, 10V | 3 V a 250 µA | 76 nC @ 10 V | ±20V | 2.450 pF a 50 V | - | 6,25 W (Ta), 104 W (Tc) | |||||
| IRF634NPBF | - | ![]() | 2506 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRF634 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRF634NPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 250 V | 8A (Tc) | 10V | 435mOhm @ 4,8A, 10V | 4 V a 250 µA | 34 nC @ 10 V | ±20V | 620 pF a 25 V | - | 3,8 W (Ta), 88 W (Tc) | ||||
![]() | IRFI634G | - | ![]() | 4419 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | IRFI634 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRFI634G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 250 V | 5,6A (Tc) | 10V | 450mOhm @ 3,4A, 10V | 4 V a 250 µA | 41 nC @ 10 V | ±20V | 770 pF a 25 V | - | 35W (Tc) | |||
![]() | SIHG22N65E-GE3 | 3.2943 | ![]() | 8283 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | SIHG22 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal N | 650 V | 22A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 11A, 10V | 4 V a 250 µA | 110 nC @ 10 V | ±30V | 2,415 pF a 100 V | - | 227W (Tc) | |||||
![]() | IRFPE40PBF | 4.3900 | ![]() | 7904 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | IRFPE40 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | *IRFPE40PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal N | 800 V | 5,4A (Tc) | 10V | 2 Ohm @ 3,2 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 1900 pF a 25 V | - | 150W (Tc) | ||||
![]() | SQ2348CES-T1_GE3 | 0,4300 | ![]() | 9162 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2348 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23-3 (TO-236) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 3.000 | Canal N | 30 V | 8A (Tc) | 4,5V, 10V | 24mOhm @ 12A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 14,5 nC @ 10 V | ±20V | 540 pF a 15 V | - | 3W (Tc) | |||||||
![]() | IRFBA22N50APBF | - | ![]() | 2342 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Super-220™ | IRFBA22 | MOSFET (óxido metálico) | SUPER-220™ (TO-273AA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRFBA22N50APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 500 V | 24A (Tc) | 10V | 230mOhm @ 13,8A, 10V | 4 V a 250 µA | 115 nC @ 10 V | ±30V | 3400 pF a 25 V | - | 340W (Tc) | |||
![]() | SIHA15N65E-GE3 | 3.1800 | ![]() | 4793 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | SIHA15 | MOSFET (óxido metálico) | Pacote Completo TO-220 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 650 V | 15A (Tc) | 10V | 280mOhm @ 8A, 10V | 4 V a 250 µA | 96 nC @ 10 V | ±30V | 2.460 pF a 100 V | - | 34W (Tc) | |||||
![]() | IRFI610G | - | ![]() | 4436 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | - | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | IRFI610 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | - | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | *IRFI610G | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 200 V | 2,6A (Ta) | - | - | - | - | ||||||||
| IRFZ14PBF | 1.2900 | ![]() | 63 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRFZ14 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | *IRFZ14PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 60 V | 10A (Tc) | 10V | 200mOhm @ 6A, 10V | 4 V a 250 µA | 11 nC @ 10 V | ±20V | 300 pF a 25 V | - | 43W (Tc) | |||||
![]() | SQ3481EV-T1_GE3 | 0,6900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 | SQ3481 | MOSFET (óxido metálico) | 6-TSOP | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 7,5A (Tc) | 4,5V, 10V | 43mOhm @ 5,3A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 23,5 nC a 10 V | ±20V | 870 pF a 15 V | - | 4W (Tc) | ||||||
![]() | SI6967DQ-T1-GE3 | - | ![]() | 7554 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm de largura) | SI6967 | MOSFET (óxido metálico) | 1,1 W | 8-TSSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canais P (duplo) | 8V | - | 30mOhm a 5A, 4,5V | 450mV @ 250µA (mín.) | 40nC a 4,5V | - | Portão de nível lógico | ||||||
| SUP90N15-18P-E3 | - | ![]() | 4416 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | SUP90 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 150 V | 90A (Tc) | 10V | 18mOhm a 20A, 10V | 4,5 V a 250 µA | 100 nC @ 10 V | ±20V | 4180 pF a 75 V | - | 3,75 W (Ta), 375 W (Tc) | |||||
| IRF730A | - | ![]() | 9673 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRF730 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRF730A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 400 V | 5,5A (Tc) | 10V | 1 Ohm a 3,3 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 22 nC @ 10 V | ±30V | 600 pF a 25 V | - | 74W (Tc) | ||||
![]() | IRFBF30STRL | - | ![]() | 5843 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | IRFBF30 | MOSFET (óxido metálico) | D²PAK (TO-263) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal N | 900V | 3,6A (Tc) | 10V | 3,7 Ohm @ 2,2 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 78 nC @ 10 V | ±20V | 1200 pF a 25 V | - | 125W (Tc) | ||||
![]() | SQJ409EP-T1_GE3 | 1.4900 | ![]() | 1197 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SQJ409 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 60A (Tc) | 4,5V, 10V | 7mOhm @ 10A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 260 nC @ 10 V | ±20V | 11.000 pF a 25 V | - | 68W (Tc) | |||||
| IRF644PBF | 1.7300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRF644 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | *IRF644PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 250 V | 14A (Tc) | 10V | 280mOhm @ 8,4A, 10V | 4 V a 250 µA | 68 nC @ 10 V | ±20V | 1300 pF a 25 V | - | 125W (Tc) |

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