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Produtos Semicondutores discretos (5717)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1031X-T1-E3 | - |  | 8733 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-75, SOT-416 | SI1031 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-75A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 155mA (TA) | 1.5V, 4.5V | 8ohm a 150mA, 4,5V | 1.2V a 250µA | 1,5 nc a 4,5 V | ± 6V | - | 300mW (TA) | |||||
 | SIHG35N60E-GE3 | 6.6700 | | 4693 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SIHG35 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 v | 32a (TC) | 10V | 94mohm @ 17a, 10V | 4V A 250µA | 132 NC @ 10 V | ± 30V | 2760 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
 | SI1016CX-T1-GE3 | 0,4700 | | 1941 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | SI1016 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 220mw | SC-89 (SOT-563F) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 20V | - | 396mohm @ 500mA, 4,5V | 1V a 250µA | 2NC @ 4.5V | 43pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||||
 | SIHP17N80AEF-GE3 | 2.9400 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Ef | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 742-SIHP17N80AEF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 800 v | 15a (TC) | 10V | 305mohm @ 8.5a, 10V | 4V A 250µA | 63 nc @ 10 V | ± 30V | 1300 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | |||||
 | SIZ790DT-T1-GE3 | - | | 6718 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-Powerpair ™ | SIZ790 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 27W, 48W | 6-Powerpair ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Meia Ponte) | 30V | 16a, 35a | 9.3mohm @ 15a, 10V | 2.2V A 250µA | 24NC @ 10V | 830pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||||||
 | SQJ570EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 5611 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SQJ570 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 27W | PowerPak® SO-8 dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 100V | 15a (TC), 9.5a (TC) | 45mohm @ 6a, 10v, 146mohm @ 6a, 10v | 2,5V a 250µA | 20NC @ 10V, 15NC @ 10V | 650pf @ 25V, 600pf @ 25V | - | |||||||
 | IRLZ34 | - | | 5910 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRLZ34 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRLZ34 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 60 v | 30a (TC) | 4V, 5V | 50mohm @ 18a, 5V | 2V A 250µA | 35 nc @ 5 V | ± 10V | 1600 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | |||
| SIHG15N60E-GE3 | 3.3200 | | 7640 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SIHG15 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 v | 15a (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 4V A 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 30V | 1350 pf @ 100 V | - | 180W (TC) | |||||
 | SI4368DY-T1-E3 | 2.5500 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4368 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 17a (TA) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 25a, 10V | 1.8V a 250µA | 80 nc @ 4,5 V | ± 12V | 8340 pf @ 15 V | - | 1.6W (TA) | |||||
 | SI1926DL-T1-GE3 | 0,4100 | | 112 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1926 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 510MW | SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 370mA | 1.4ohm @ 340mA, 10V | 2,5V a 250µA | 1.4NC @ 10V | 18.5pf @ 30V | Portão de Nível Lógico | ||||||
 | SI6465DQ-T1-GE3 | - | | 3452 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | SI6465 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 8 v | 8.8a (ta) | 1.8V, 4.5V | 12mohm @ 8.8a, 4.5V | 450mv @ 250µA (min) | 80 nc @ 4,5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SMM2348ES-T1-GE3 | - | | 9464 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SMM2348 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 12a, 10V | 2,5V a 250µA | 14,5 nc @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 15 V | - | 3W (TC) | ||||||
 | IRFI9530GPBF | 2.3000 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRFI9530 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRFI9530GPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P. | 100 v | 7.7a (TC) | 10V | 300mohm @ 4.6a, 10V | 4V A 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | ||||
 | IRF737LCS | - | | 5183 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF737 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF737LCS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 300 v | 6.1a (TC) | 10V | 750mohm @ 3.7a, 10V | 4V A 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | - | |||
| SQJ142EP-T1_GE3 | 1.1200 | | 3403 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SQJ142 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SQJ142EP-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 167a (TC) | 10V | 3.6mohm @ 15a, 10V | 3,5V a 250µA | 45 nc @ 10 V | ± 20V | 2650 pf @ 25 V | - | 191W (TC) | ||||
 | SIHFBF30S-GE3 | 1.8700 | | 933 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | 1 (ilimito) | 742-SIHFBF30S-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 900 v | 3.6a (TC) | 10V | 3.7ohm @ 2.2a, 100V | 4V A 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||
| IRF644PBF | 1.7300 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF644 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRF644PBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 v | 14a (TC) | 10V | 280mohm @ 8.4a, 10V | 4V A 250µA | 68 nc @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) |
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