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Produtos semicondutores discretos (5717)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Configuração | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4062DY-T1-GE3 | 1.7500 |  | 7684 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4062 | MOSFET (óxido metálico) | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal N | 60 V | 32,1A(Tc) | 4,5V, 10V | 4,2mOhm a 20A, 10V | 2,6 V a 250 µA | 60 nC @ 10 V | ±20V | 3175 pF a 30 V | - | 7,8W (Tc) | ||||||
 | SIHA186N60EF-GE3 | 2.8600 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | FE | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | Pacote completo TO-220-3 | SIHA186 | MOSFET (óxido metálico) | Pacote Completo TO-220 | download | 1 (ilimitado) | 742-SIHA186N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 600 V | 8,4A (Tc) | 10V | 193mOhm @ 9,5A, 10V | 5 V a 250 µA | 32 nC @ 10 V | ±30V | 1081 pF a 100 V | - | 156W (Tc) | |||||
 | IRL620STRL | - | | 4869 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | IRL620 | MOSFET (óxido metálico) | D²PAK (TO-263) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal N | 200 V | 5,2A (Tc) | 4V, 10V | 800mOhm @ 3,1A, 10V | 2V @ 250µA | 16 nC @ 5 V | ±10V | 360 pF a 25 V | - | 3,1 W (Ta), 50 W (Tc) | ||||
 | SQA470EJ-T1_GE3 | 0,6300 | | 8742 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SC-70-6 | SQA470 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SC-70-6 Único | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 2,25A (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 65mOhm @ 3A, 4,5V | 1,1 V a 250 µA | 6 nC @ 4,5 V | ±12V | 440 pF a 20 V | - | 13,6W (Tc) | |||||
 | SQJ423EP-T1_GE3 | 1.1200 | | 7995 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SQJ423 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 55A (Tc) | 4,5V, 10V | 14mOhm @ 10A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 130 nC @ 10 V | ±20V | 4500 pF a 25 V | - | 68W (Tc) | |||||
| SQJ469EP-T1_GE3 | 2.9100 | | 2464 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | SQJ469 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 80 V | 32A (Tc) | 6V, 10V | 25mOhm @ 10,2A, 10V | 2,5 V a 250 µA | 155 nC @ 10 V | ±20V | 5100 pF a 40 V | - | 100W (Tc) | |||||
 | IRF820APBF-BE3 | 1.7300 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRF820 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | 742-IRF820APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 500 V | 2,5A (Tc) | 3 Ohm @ 1,5 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 17 nC @ 10 V | ±30V | 340 pF a 25 V | - | 50W (Tc) | ||||||
 | SIE802DF-T1-GE3 | 1.8574 | | 6635 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 10-PolarPAK® (L) | SIE802 | MOSFET (óxido metálico) | 10-PolarPAK® (L) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 60A (Tc) | 4,5V, 10V | 1,9mOhm a 23,6A, 10V | 2,7 V a 250 µA | 160 nC @ 10 V | ±20V | 7.000 pF a 15 V | - | 5,2 W (Ta), 125 W (Tc) | |||||
 | IRF9540PBF | 2.1500 | | 11 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRF9540 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | *IRF9540PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100V | 19A (Tc) | 10V | 200mOhm @ 11A, 10V | 4 V a 250 µA | 61 nC @ 10 V | ±20V | 1400 pF a 25 V | - | 150W (Tc) | ||||
| IRF624STRR | - | | 3611 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | IRF624 | MOSFET (óxido metálico) | D²PAK (TO-263) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal N | 250 V | 4,4A (Tc) | 10V | 1,1 Ohm a 2,6 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 14 nC @ 10 V | ±20V | 260 pF a 25 V | - | 3,1 W (Ta), 50 W (Tc) | |||||
 | SI7913DN-T1-GE3 | 1.6400 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8 Duplo | SI7913 | MOSFET (óxido metálico) | 1,3W | PowerPAK® 1212-8 Duplo | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canais P (duplo) | 20V | 5A | 37mOhm @ 7,4A, 4,5V | 1V @ 250µA | 24nC a 4,5V | - | Portão de nível lógico | |||||||
| SIHP22N65E-GE3 | 2.4402 | | 1004 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | SIHP22 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 650 V | 22A (Tc) | 10V | 180mOhm @ 11A, 10V | 4 V a 250 µA | 110 nC @ 10 V | ±30V | 2,415 pF a 100 V | - | 227W (Tc) | |||||
 | IRFPC50LC | - | | 9050 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-247-3 | IRFPC50 | MOSFET (óxido metálico) | TO-247AC | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRFPC50LC | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 600 V | 11A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 6,6A, 10V | 4 V a 250 µA | 84 nC @ 10 V | ±30V | 2300 pF a 25 V | - | 190W (Tc) | |||
| SIE874DF-T1-GE3 | 2.4600 | | 413 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 10-PolarPAK® (L) | SIE874 | MOSFET (óxido metálico) | 10-PolarPAK® (L) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 20 V | 60A (Tc) | 4,5V, 10V | 1,17mOhm a 20A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 145 nC @ 10 V | ±20V | 6200 pF a 10 V | - | 5,2 W (Ta), 125 W (Tc) | |||||
 | IRFIBC40G | - | | 4175 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | IRFIBC40 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220-3 | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | *IRFIBC40G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 600 V | 3,5A (Tc) | 10V | 1,2 Ohm @ 2,1 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 60 nC @ 10 V | ±20V | 1300 pF a 25 V | - | 40W (Tc) | ||||
 | SIS438DN-T1-GE3 | 0,8500 | | 67 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8 | SIS438 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 20 V | 16A (Tc) | 4,5V, 10V | 9,5mOhm a 10A, 10V | 2,3 V a 250 µA | 23 nC @ 10 V | ±20V | 880 pF a 10 V | - | 3,5 W (Ta), 27,7 W (Tc) | |||||
 | IRFU120 | - | | 8346 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | IRFU1 | MOSFET (óxido metálico) | TO-251AA | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal N | 100V | 7,7A (Tc) | 10V | 270mOhm @ 4,6A, 10V | 4 V a 250 µA | 16 nC @ 10 V | ±20V | 360 pF a 25 V | - | 2,5W (Ta), 42W (Tc) | ||||
| SIA440DJ-T1-GE3 | 0,4800 | | 27 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SC-70-6 | SIA440 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SC-70-6 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 40 V | 12A (Tc) | 2,5V, 10V | 26mOhm @ 9A, 10V | 1,4 V a 250 µA | 21,5 nC a 10 V | ±12V | 700 pF a 20 V | - | 3,5W (Ta), 19W (Tc) | |||||
 | SI3445ADV-T1-GE3 | - | | 8634 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6 | SI3445 | MOSFET (óxido metálico) | 6-TSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8V | 4,4A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 42mOhm @ 5,8A, 4,5V | 1V @ 250µA | 19 nC @ 4,5 V | ±8V | - | 1,1W (Ta) | |||||
| SI4948BEY-T1-GE3 | 1.3200 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4948 | MOSFET (óxido metálico) | 1,4W | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canais P (duplo) | 60V | 2.4A | 120mOhm @ 3,1A, 10V | 3 V a 250 µA | 22nC @ 10V | - | Portão de nível lógico | |||||||
 | SQP120N06-6M7_GE3 | - | | 2740 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | Através do furo | PARA-220-3 | SQP120 | PARA-220AB | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 119A (Tc) | ||||||||||||||||||
| SIHP25N40D-E3 | 3.0600 | | 8185 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | SIHP25 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal N | 400 V | 25A (Tc) | 10V | 170mOhm @ 13A, 10V | 5 V a 250 µA | 88 nC @ 10 V | ±30V | 1707 pF a 100 V | - | 278W (Tc) | |||||
 | SI6969BDQ-T1-GE3 | - | | 1758 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm de largura) | SI6969 | MOSFET (óxido metálico) | 830mW | 8-TSSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canais P (duplo) | 12V | 4A | 30mOhm @ 4,6A, 4,5V | 800mV @ 250µA | 25nC a 4,5V | - | Portão de nível lógico | ||||||
| IRFU9020 | - | | 9928 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | IRFU9 | MOSFET (óxido metálico) | TO-251AA | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRFU9020 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 50 V | 9,9A(Tc) | 10V | 280mOhm @ 5,7A, 10V | 4 V a 250 µA | 14 nC @ 10 V | ±20V | 490 pF a 25 V | - | 42W (Tc) | |||
| SI6465DQ-T1-E3 | - | | 1495 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm de largura) | SI6465 | MOSFET (óxido metálico) | 8-TSSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8V | 8,8A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 12mOhm @ 8,8A, 4,5V | 450mV @ 250µA (mín.) | 80 nC @ 4,5 V | ±8V | - | 1,5W (Ta) | |||||
| SQP120N10-09_GE3 | 2.8000 | | 250 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | SQP120 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal N | 100V | 120A (Tc) | 10V | 9,5mOhm a 30A, 10V | 3,5 V a 250 µA | 180 nC @ 10 V | ±20V | 8645 pF a 25 V | - | 375W (Tc) | ||||||
| IRFBG30 | - | | 3844 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | PARA-220-3 | IRFBG30 | MOSFET (óxido metálico) | PARA-220AB | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | *IRFBG30 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal N | 1000V | 3.1A (Tc) | 10V | 5Ohm @ 1,9A, 10V | 4 V a 250 µA | 80 nC @ 10 V | ±20V | 980 pF a 25 V | - | 125W (Tc) | |||
| SI7326DN-T1-GE3 | 0,9100 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® 1212-8 | SI7326 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® 1212-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 30 V | 6,5A (Ta) | 4,5V, 10V | 19,5mOhm a 10A, 10V | 1,8 V a 250 µA | 13 nC @ 5 V | ±25V | - | 1,5W (Ta) | ||||||
| SI4908DY-T1-GE3 | - | | 2840 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TrincheiraFET® | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SI4908 | MOSFET (óxido metálico) | 2,75 W | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canais N (duplo) | 40V | 5A | 60mOhm @ 4,1A, 10V | 2,2 V a 250 µA | 12nC @ 10V | 355pF a 20V | - | ||||||
 | SQJ180EP-T1_GE3 | 1.9300 | | 5507 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | PowerPAK® SO-8 | MOSFET (óxido metálico) | PowerPAK® SO-8 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 742-SQJ180EP-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal N | 80 V | 248A (Tc) | 10V | 3mOhm @ 15A, 10V | 3,5 V a 250 µA | 117 nC @ 10 V | ±20V | 6645 pF a 25 V | - | 500W (Tc) |
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