- RFQ
- Bom
- Contate-nos
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-compponents.com
- chinês
- Inglês
- Francês
- Alemão
- Português
- Espanhol
- russo
- japonês
- coreano
- árabe
- irlandês
- grego
- turco
- italiano
- dinamarquês
- romeno
- indonésio
- Tcheco
- afrikaans
- sueco
- polonês
- Basco
- catalão
- esperanto
- hindi
- Laos
- albanês
- Amárico
- Armênio
- Azerbaijão
- Bielorrusso
- bengali
- Bósnia
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Córsega
- croata
- Holandês
- estoniano
- Filipino
- finlandês
- Frisiano
- Galian
- Georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- havaiano
- hebraico
- Hmong
- húngaro
- islandês
- Igbo
- Javanês
- Kannada
- Cazaque
- Khmer
- curdo
- Kyrgyz
- Latim
- letão
- lituano
- Luxembou ..
- Macedônio
- malgaxe
- malaio
- Malaiala
- maltês
- maori
- Marathi
- mongol
- birmanês
- Nepalês
- norueguês
- Pashto
- persa
- Punjabi
- sérvio
- Sesoto
- Sinhala
- Eslovaco
- esloveno
- Somali
- Samoano
- Gaélico escocês
- Shona
- Sindhi
- Sundanês
- Suaíli
- Tajique
- tâmil
- Telugu
- Tailandês
- ucraniano
- urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galês
- Xhosa
- Yiddish
- Ioruba
- zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turquemen
- Uyghur
Produtos Semicondutores discretos (5717)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFP26N60L | - |  | 3859 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IRFP26 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 v | 26a (TC) | 10V | 250mohm @ 16a, 10V | 5V A 250µA | 180 nc @ 10 V | ± 30V | 5020 pf @ 25 V | - | 470W (TC) | ||||
 | SI4618DY-T1-E3 | - | | 6290 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4618 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1,98W, 4.16W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Meia Ponte) | 30V | 8a, 15.2a | 17mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 1MA | 44NC @ 10V | 1535pf @ 15V | - | |||||||
 | SIHG080N60E-GE3 | 4.9900 | | 327 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 742-SIHG080N60E-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 v | 35a (TC) | 10V | 80mohm @ 17a, 10V | 5V A 250µA | 63 nc @ 10 V | ± 30V | 2557 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||
 | SIR5808DP-T1-RE3 | 1.4100 | | 1063 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sir5808 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 v | 18.8a (ta), 66.8a (TC) | 7.5V, 10V | 157mohm @ 10a, 10V | 4V A 250µA | 24 nc @ 10 V | ± 30V | 1210 pf @ 40 V | - | 5.2W (TA), 65,7W (TC) | ||||||
 | SIHD7N60ET5-GE3 | 0,8080 | | 7810 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Sihd7 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 v | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.5a, 10V | 4V A 250µA | 40 nc @ 10 V | ± 30V | 680 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | ||||||
 | Sia425EdJ-T1-GE3 | - | | 2797 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SC-70-6 | Sia425 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 4.5a (TC) | 1.8V, 4.5V | 60mohm @ 4.2a, 4.5V | 1V a 250µA | ± 12V | - | 2.9W (TA), 15,6W (TC) | |||||||
| SIHG460B-GE3 | 2.4869 | | 3690 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SIHG460 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 v | 20a (TC) | 10V | 250mohm @ 10a, 10V | 4V A 250µA | 170 nc @ 10 V | ± 20V | 3094 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
 | SI3460DV-T1-E3 | - | | 7192 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3460 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 5.1a (ta) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 5.1a, 4.5V | 450MV @ 1MA (min) | 20 NC a 4,5 V | ± 8V | - | 1.1W (TA) | ||||||
 | SI2351DS-T1-GE3 | - | | 2309 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2351 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 2.8a (TC) | 115mohm @ 2.4a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 5.1 NC @ 5 V | 250 pf @ 10 V | - | ||||||||
 | Sish114adn-t1-ge3 | 0,7700 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Powerpak® 1212-8sh | SISH114 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Powerpak® 1212-8sh | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 18a (ta), 35a (tc) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 18a, 10V | 2,5V a 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1230 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA), 39W (TC) | |||||
| Sia456DJ-T3-GE3 | 0,3589 | | 1335 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SC-70-6 | Sia456 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SIA456DJ-T3-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-canal | 200 v | 1.1a (ta), 2.6a (tc) | 1.8V, 4.5V | 1.38OHM @ 750MA, 4,5V | 1.4V A 250µA | 14,5 nc @ 10 V | ± 16V | 350 pf @ 100 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | ||||
 | SQJB60EP-T2_GE3 | 0,5045 | | 7206 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SQJB60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 48W (TC) | PowerPak® SO-8 dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SQJB60EP-T2_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 30a (TC) | 12mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 30NC @ 10V | 1600pf @ 25V | - | ||||||
| SIHG186N60EF-GE3 | 3.4800 | | 371 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Ef | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SIHG186 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | 1 (ilimito) | 742-SIHG186N60EF-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 v | 8.4a (TC) | 10V | 193mohm @ 9.5a, 10V | 5V A 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 1081 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||
| SQ4937EY-T1_BE3 | 1.2300 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SQ4937 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.3W (TC) | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 5a (TC) | 75mohm @ 3.9a, 10V | 2,5V a 250µA | 15NC @ 10V | 480pf @ 25V | - | ||||||||
 | SUD19N20-90-BE3 | 3.0700 | | 4940 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SUD19 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | - | 1 (ilimito) | 742-SUD19N20-90-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 200 v | 19a (TC) | 6V, 10V | 90mohm @ 5a, 10V | 4V A 250µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
| IRFR310TRPBF-BE3 | 1.1700 | | 72 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR310 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | - | 1 (ilimito) | 742-IRFR310TRPBF-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 400 v | 1.7a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1a, 10V | 4V A 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
| SIHG105N60EF-GE3 | 4.3600 | | 500 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Ef | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SIHG105 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 v | 29a (TC) | 10V | 102mohm @ 13a, 10V | 5V A 250µA | 53 nc @ 10 V | ± 30V | 1804 PF @ 100 V | - | 208W (TC) | |||||
 | SIHA11N80AE-GE3 | 2.0000 | | 7 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | Siha11 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pacote completo parágrafo 220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 v | 8a (TC) | 10V | 450mohm @ 5.5a, 10V | 4V A 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 30V | 804 pf @ 100 V | - | 31W (TC) | |||||
 | IRFBC40LCPBF-BE3 | 4.3900 | | 846 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRFBC40 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | 1 (ilimito) | 742-IRFBC40LCPBF-BE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 6.2a (TC) | 1.2OHM @ 3.7A, 10V | 4V A 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||
 | SI1416EDH-T1-BE3 | 0,4700 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1416 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-70-6 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 3.9a (ta), 3.9a (tc) | 58mohm @ 3.1a, 10V | 1.4V A 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 12V | - | 1,56w (ta), 2,8w (TC) | |||||||
 | SIHFPS37N50A-GE3 | 6.7900 | | 2075 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-274AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Super-247 ™ (TO-274AA) | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | 742-SIHFPS37N50A-GE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 500 v | 36a (TC) | 10V | 130mohm @ 22a, 10V | 4V A 250µA | 180 nc @ 10 V | ± 30V | 5579 pf @ 25 V | - | 446W (TC) | |||||
 | Sir681DP-T1-RE3 | 2.5700 | | 8399 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sir681 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | 1 (ilimito) | 742-SIR681DP-T1-RE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 80 v | 17.6a (ta), 71.9a (tc) | 11.2mohm @ 10a, 10V | 2.6V a 250µA | 105 nc @ 10 V | ± 20V | 4850 pf @ 40 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||
 | Sis178ldn-t1-ge3 | 0,9300 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 70 v | 13.9a (ta), 45.3a (tc) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 28,5 NC a 10 V | ± 20V | 1135 pf @ 35 V | - | 3.6W (TA), 39W (TC) | ||||||
 | SI2308BDS-T1-BE3 | 0,5500 | | 438 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 1.9a (ta), 2.3a (tc) | 4.5V, 10V | 156mohm @ 1.9a, 10V | 3V A 250µA | 6,8 nc @ 10 V | ± 20V | 190 pf @ 30 V | - | 1.09W (TA), 1,66W (TC) | |||||||
| SI7621DN-T1-GE3 | - | | 8521 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 | SI7621 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 4a (TC) | 2.5V, 4.5V | 90mohm @ 3.9a, 4.5V | 2V A 250µA | 6,2 nc @ 5 V | ± 12V | 300 pf @ 10 V | - | 3.1W (TA), 12,5W (TC) | ||||
| SI2323CDS-T1-BE3 | 0,4700 | | 3618 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | 1 (ilimito) | 742-SI2323CDS-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 4.6a (ta), 6a (tc) | 1.8V, 4.5V | 39mohm @ 4.6a, 4.5V | 1V a 250µA | 25 NC a 4,5 V | ± 8V | 1090 pf @ 10 V | - | 1,25W (TA), 2,5W (TC) | ||||||
 | SIHP35N60E-BE3 | 6.0500 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 32a (TC) | 10V | 94mohm @ 17a, 10V | 4V A 250µA | 132 NC @ 10 V | ± 30V | 2760 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||||
| SIHP25N60EFL-BE3 | 4.7300 | | 942 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 25a (TC) | 10V | 146mohm @ 12.5a, 10V | 5V A 250µA | 75 NC @ 10 V | ± 30V | 2274 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||||
 | SI3440Adv-T1-BE3 | 0,4700 | | 6506 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | 1 (ilimito) | 742-SI3440ADV-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 v | 1.6a (ta), 2.2a (tc) | 7.5V, 10V | 380mohm @ 1.5a, 10V | 4V A 250µA | 4 nc @ 10 V | ± 20V | 80 pf @ 75 V | - | 2W (TA), 3,6W (TC) | ||||||
| SI2323DDS-T1-BE3 | 0,5900 | | 5053 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | 1 (ilimito) | 742-SI2323DDS-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 4.1a (ta), 5.3a (tc) | 1.8V, 4.5V | 39mohm @ 4.1a, 4.5V | 1V a 250µA | 36 nc @ 8 V | ± 8V | 1160 pf @ 10 V | - | 960MW (TA), 1,7W (TC) |
2000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2800+
Fabricantes em todo o mundo
15.000 m2
Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)