- RFQ
- Bom
- Contate-nos
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-compponents.com
- chinês
- Inglês
- Francês
- Alemão
- Português
- Espanhol
- russo
- japonês
- coreano
- árabe
- irlandês
- grego
- turco
- italiano
- dinamarquês
- romeno
- indonésio
- Tcheco
- afrikaans
- sueco
- polonês
- Basco
- catalão
- esperanto
- hindi
- Laos
- albanês
- Amárico
- Armênio
- Azerbaijão
- Bielorrusso
- bengali
- Bósnia
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Córsega
- croata
- Holandês
- estoniano
- Filipino
- finlandês
- Frisiano
- Galian
- Georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- havaiano
- hebraico
- Hmong
- húngaro
- islandês
- Igbo
- Javanês
- Kannada
- Cazaque
- Khmer
- curdo
- Kyrgyz
- Latim
- letão
- lituano
- Luxembou ..
- Macedônio
- malgaxe
- malaio
- Malaiala
- maltês
- maori
- Marathi
- mongol
- birmanês
- Nepalês
- norueguês
- Pashto
- persa
- Punjabi
- sérvio
- Sesoto
- Sinhala
- Eslovaco
- esloveno
- Somali
- Samoano
- Gaélico escocês
- Shona
- Sindhi
- Sundanês
- Suaíli
- Tajique
- tâmil
- Telugu
- Tailandês
- ucraniano
- urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galês
- Xhosa
- Yiddish
- Ioruba
- zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turquemen
- Uyghur
Produtos Semicondutores discretos (5717)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4421DY-T1-E3 | 2.1000 |  | 11 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4421 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 20 v | 10a (ta) | 1.8V, 4.5V | 8.75mohm @ 14a, 4.5V | 800mV A 850µA | 125 NC a 4,5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| SI4925BDY-T1-GE3 | 1.7000 | | 1623 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4925 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 5.3a | 25mohm @ 7.1a, 10V | 3V A 250µA | 50NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | |||||||
 | SI2327DS-T1-GE3 | - | | 6148 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2327 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 200 v | 380mA (TA) | 6V, 10V | 2.35OHM @ 500MA, 10V | 4.5V a 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 20V | 510 pf @ 25 V | - | 750mW (TA) | ||||
 | SISF02DN-T1-GE3 | 1.5600 | | 28 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8SCD | SISF02 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5.2W (TA), 69,4W (TC) | PowerPak® 1212-8SCD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | 25V | 30.5a (ta), 60a (tc) | 3.5mohm @ 7a, 10V | 2.3V A 250µA | 56NC @ 10V | 2650pf @ 10V | - | |||||||
 | SIHG20N50E-GE3 | 3.2800 | | 4650 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SIHG20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 v | 19a (TC) | 10V | 184mohm @ 10a, 10V | 4V A 250µA | 92 NC @ 10 V | ± 30V | 1640 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | |||||
 | IRFBC20STRLPBF | 2.9100 | | 358 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRFBC20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 v | 2.2a (TC) | 10V | 4.4OHM @ 1.3A, 10V | 4V A 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||
 | SIHFRC20TR-GE3 | 0,9400 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | 1 (ilimito) | 742-SIHFRC20TR-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 600 v | 2a (TC) | 10V | 4.4OHM @ 1.2A, 10V | 4V A 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||
 | SQA401CEJW-T1_GE3 | 0,4500 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SC-70-6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 3.75a (TC) | 2.5V, 4.5V | 125mohm @ 2.4a, 4.5V | 1.3V a 250µA | 5,5 nc a 4,5 V | ± 12V | 330 pf @ 10 V | - | 13.6W (TC) | ||||||
| SI9936BDY-T1-E3 | - | | 3861 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI9936 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 4.5a | 35mohm @ 6a, 10V | 3V A 250µA | 13NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
 | SQJ180EP-T1_GE3 | 1.9300 | | 5507 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SQJ180EP-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 v | 248a (TC) | 10V | 3mohm @ 15a, 10V | 3,5V a 250µA | 117 nc @ 10 V | ± 20V | 6645 pf @ 25 V | - | 500W (TC) | |||||
 | SQM120N06-06_GE3 | 2.9400 | | 9218 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SQM120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 v | 120A (TC) | 10V | 6mohm @ 30a, 10V | 3,5V a 250µA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 6495 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||
| SIHG73N60E-GE3 | 12.6600 | | 7443 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SIHG73 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 v | 73a (TC) | 10V | 39mohm @ 36a, 10V | 4V A 250µA | 362 nc @ 10 V | ± 30V | 7700 pf @ 100 V | - | 520W (TC) | |||||
| SIHB22N65E-GE3 | 2.5431 | | 5246 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SIHB22 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 650 v | 22a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V A 250µA | 110 nc @ 10 V | ± 30V | 2415 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||
| SI7450DP-T1-RE3 | 1.0516 | | 3794 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | SI7450 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 3.2a (ta), 19.8a (tc) | |||||||||||||||||||||
 | IRFR210TR | - | | 5022 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR210 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 200 v | 2.6a (TC) | 10V | 1.5OHM @ 1.6a, 10V | 4V A 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
| SQ4425EY-T1_BE3 | 1.9300 | | 639 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SQ4425 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | 742-SQ4425EY-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 30 v | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 13a, 10V | 2,5V a 250µA | 50 NC a 4,5 V | ± 20V | 3630 pf @ 25 V | - | 6.8W (TC) | |||||
 | SI1553DL-T1-E3 | - | | 4161 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1553 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 270mw | SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 20V | 660mA, 410mA | 385mohm @ 660mA, 4.5V | 600mv @ 250µA (min) | 1.2NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
| SIHG30N60E-E3 | - | | 6920 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SIHG30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | SIHG30N60EE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 v | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 15a, 10V | 4V A 250µA | 130 nc @ 10 V | ± 30V | 2600 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||
| SI4485DY-T1-GE3 | 0,6300 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4485 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 30 v | 6a (TC) | 4.5V, 10V | 42mohm @ 5.9a, 10V | 2,5V a 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 590 pf @ 15 V | - | 2.4W (TA), 5W (TC) | |||||
| SUM110N03-04P-E3 | - | | 5275 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SUM110 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 v | 110A (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 20a, 10V | 3V A 250µA | 60 nc @ 4,5 V | ± 20V | 5100 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 120W (TC) | ||||
| SUM70N04-07L-E3 | - | | 7229 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SUM70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 v | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 7.4mohm @ 30a, 10V | 3V A 250µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 100W (TC) | ||||
 | SIHP16N50C-E3 | 5.8400 | | 963 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | SIHP16 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 v | 16a (TC) | 10V | 380mohm @ 8a, 10V | 5V A 250µA | 68 nc @ 10 V | ± 30V | 1900 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||
| IRF730ASPBF | 2.2900 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF730 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | *IRF730ASPBF | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 v | 5.5a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4.5V a 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
 | SIHH120N60E-T1-GE3 | 6.0900 | | 4280 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | SIHH120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Powerpak® 8 x 8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 v | 24a (TC) | 10V | 120mohm @ 12a, 10V | 5V A 250µA | 44 NC @ 10 V | ± 30V | 1600 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||
 | SQD50P04-13L_T4GE3 | 1.4600 | | 78 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 40 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 17a, 10V | 2,5V a 250µA | 80 nc @ 10 V | ± 20V | 3590 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||||
 | IRLIZ44G | - | | 8822 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | IRLIZ44 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | *IRLIZ44G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 60 v | 30a (TC) | 4V, 5V | 28mohm @ 18a, 5V | 2V A 250µA | 66 nc @ 5 V | ± 10V | 3300 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||
 | SIHF18N50D-E3 | 2.9100 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | SIHF18 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pacote completo parágrafo 220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 500 v | 18a (TC) | 10V | 280mohm @ 9a, 10V | 5V A 250µA | 76 nc @ 10 V | ± 30V | 1500 pf @ 100 V | - | 39W (TC) | |||||
 | SIHA12N60E-GE3 | 2.5300 | | 1575 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pacote completo parágrafo 220 | download | 1 (ilimito) | 742-SIHA12N60E-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 12a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10V | 4V A 250µA | 58 nc @ 10 V | ± 30V | 937 PF @ 100 V | - | 33W (TC) | ||||||
 | SUD50P10-43-E3 | - | | 3794 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SUD50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal P. | 100 v | 38a (TC) | 10V | 43mohm @ 9.4a, 10V | 4V A 250µA | 160 nc @ 10 V | ± 20V | 5230 PF @ 50 V | - | 8.3W (TA), 136W (TC) | ||||
| IRFP150 | - | | 7219 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IRFP150 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRFP150 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 v | 41a (TC) | 10V | 55mohm @ 25a, 10V | 4V A 250µA | 140 nc @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 25 V | - | 230W (TC) |
2000+
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2800+
Fabricantes em todo o mundo
15.000 m2
Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)