Solicitação de cotação
BOM
Contate-nos

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Entrar

Português

Produtos semicondutores discretos (5717)

Número do produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade disponível	Fabricante	Série	Pacote	Estado do produto	Temperatura operacional	Tipo de montagem	Pacote/Caso	Número básico do produto	Tecnologia	Potência - Máx.	Pacote de dispositivos do fornecedor	Ficha de dados	Estado RoHS	Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	Estado do REACH	Outros nomes	ECCN	HTSU	Pacote Padrão	Configuração	Tipo FET	Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)	Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs	Vgs(th) (máx.) @ ID	Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs	Vgs (máx.)	Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	Recurso FET	Dissipação de energia (máx.)
SI3464DV-T1-BE3	0,6200	Solicitação de cotação	1	Vishay Siliconix	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	SOT-23-6 Fino, TSOT-23-6		MOSFET (óxido metálico)		6-TSOP	download		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal N	20 V	7,5A (Ta), 8A (Tc)	1,8 V, 4,5 V	24mOhm a 7,5A, 4,5V	1V @ 250µA	18 nC @ 5 V	±8V	1065 pF a 10 V	-	2W (Ta), 3,6W (Tc)
SIHA6N80E-GE3	2.5100	Solicitação de cotação	6318	Vishay Siliconix	E	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	Pacote completo TO-220-3	SIHA6	MOSFET (óxido metálico)		Pacote Completo TO-220	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	1.000		Canal N	800 V	5,4A (Tc)	10V	940mOhm @ 3A, 10V	4 V a 250 µA	44 nC @ 10 V	±30V	827 pF a 100 V	-	31W (Tc)
IRFR9014TRPBF-BE3	1.1100	Solicitação de cotação	1	Vishay Siliconix	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	IRFR9014	MOSFET (óxido metálico)		TO-252AA	-		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.000		Canal P	60 V	5.1A (Tc)	10V	500mOhm @ 3,1A, 10V	4 V a 250 µA	12 nC @ 10 V	±20V	270 pF a 25 V	-	2,5W (Ta), 25W (Tc)
SI7148DP-T1-E3	2.4500	Solicitação de cotação	6444	Vishay Siliconix	TrincheiraFET®	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	PowerPAK® SO-8	SI7148	MOSFET (óxido metálico)		PowerPAK® SO-8	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal N	75 V	28A (Tc)	4,5V, 10V	11mOhm @ 15A, 10V	2,5 V a 250 µA	100 nC @ 10 V	±20V	2.900 pF a 35 V	-	5,4 W (Ta), 96 W (Tc)
SIRC16DP-T1-RE3	1.3600	Solicitação de cotação	5	Vishay Siliconix	-	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	PowerPAK® SO-8		MOSFET (óxido metálico)		PowerPAK® SO-8	download		1 (ilimitado)		742-SIRC16DP-T1-RE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal N	25 V	57A (Ta), 60A (Tc)	4,5V, 10V	0,96mOhm a 15A, 10V	2,4 V a 250 µA	105 nC @ 10 V	+20V, -16V	5150 pF a 10 V	Diodo Schottky (corpo)	5W (Ta), 54,3W (Tc)
SUM110N03-04P-E3	-	Solicitação de cotação	5275	Vishay Siliconix	TrincheiraFET®	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	SOMA110	MOSFET (óxido metálico)		TO-263 (D²Pak)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	800		Canal N	30 V	110A (Tc)	4,5V, 10V	4,2mOhm a 20A, 10V	3 V a 250 µA	60 nC @ 4,5 V	±20V	5100 pF a 25 V	-	3,75 W (Ta), 120 W (Tc)
IRF540PBF-BE3	2.1500	Solicitação de cotação	199	Vishay Siliconix	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3	IRF540	MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	-		1 (ilimitado)		742-IRF540PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		Canal N	100V	28A (Tc)	10V	77mOhm @ 11A, 10V	4 V a 250 µA	72 nC @ 10 V	±20V	1700 pF a 25 V	-	150W (Tc)
IRF640PBF	1.9900	Solicitação de cotação	795	Vishay Siliconix	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3	IRF640	MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		*IRF640PBF	EAR99	8541.29.0095	50		Canal N	200 V	18A (Tc)	10V	180mOhm @ 11A, 10V	4 V a 250 µA	70 nC @ 10 V	±20V	1300 pF a 25 V	-	125W (Tc)
SIHB120N60E-T1-GE3	5.2400	Solicitação de cotação	760	Vishay Siliconix	E	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB		MOSFET (óxido metálico)		D²PAK (TO-263)	download		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal N	600 V	25A (Tc)	10V	120mOhm @ 12A, 10V	5 V a 250 µA	45 nC @ 10 V	±30V	1562 pF a 100 V	-	179W (Tc)
SI4894BDY-T1-E3	1.3200	Solicitação de cotação	11	Vishay Siliconix	TrincheiraFET®	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)	SI4894	MOSFET (óxido metálico)		8-SOIC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal N	30 V	8,9A (Ta)	4,5V, 10V	11mOhm @ 12A, 10V	3 V a 250 µA	38 nC @ 10 V	±20V	1580 pF a 15 V	-	1,4 W (Ta)
SIHD7N60E-GE3	2.0100	Solicitação de cotação	165	Vishay Siliconix	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	SIHD7	MOSFET (óxido metálico)		D-Pak	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		SIHD7N60EGE3	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal N	600 V	7A (Tc)	10V	600mOhm a 3,5A, 10V	4 V a 250 µA	40 nC @ 10 V	±30V	680 pF a 100 V	-	78W (Tc)
IRFBG30PBF	2.5600	Solicitação de cotação	11	Vishay Siliconix	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3	IRFBG30	MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		*IRFBG30PBF	EAR99	8541.29.0095	50		Canal N	1000V	3.1A (Tc)	10V	5Ohm @ 1,9A, 10V	4 V a 250 µA	80 nC @ 10 V	±20V	980 pF a 25 V	-	125W (Tc)
SQJA46EP-T1_GE3	1.1500	Solicitação de cotação	9232	Vishay Siliconix	Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET®	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	PowerPAK® SO-8	SQJA46	MOSFET (óxido metálico)		PowerPAK® SO-8	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal N	40 V	60A (Tc)	10V	3mOhm @ 10A, 10V	3,5 V a 250 µA	105 nC @ 10 V	±20V	5000 pF a 25 V	-	68W (Tc)
SQD40020EL_GE3	1.6500	Solicitação de cotação	1060	Vishay Siliconix	Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET®	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	SQD40020	MOSFET (óxido metálico)		TO-252AA	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.000		Canal N	40 V	100A (Tc)	4,5V, 10V	2,2mOhm a 20A, 10V	2,2 V a 250 µA	165 nC @ 20 V	±20V	8.800 pF a 25 V	-	107W (Tc)
SIJ462ADP-T1-GE3	1.4600	Solicitação de cotação	11	Vishay Siliconix	TrincheiraFET®	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	PowerPAK® SO-8	SIJ462	MOSFET (óxido metálico)		PowerPAK® SO-8	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		742-SIJ462ADP-T1-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal N	60 V	15,8A (Ta), 39,3A (Tc)	4,5V, 10V	7,2mOhm a 10A, 10V	2,5 V a 250 µA	30 nC @ 10 V	±20V	1235 pF a 30 V	-	3,6 W (Ta), 22,3 W (Tc)
SIS888DN-T1-GE3	1.6400	Solicitação de cotação	2	Vishay Siliconix	ThunderFET®	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TA)	Montagem em superfície	PowerPAK® 1212-8S	SIS888	MOSFET (óxido metálico)		PowerPAK® 1212-8S	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal N	150 V	20,2A (Tc)	7,5V, 10V	58mOhm @ 10A, 10V	4,2 V a 250 µA	14,5 nC @ 10 V	±20V	420 pF a 75 V	-	52W (Tc)
SIHB24N65EF-GE3	6.0100	Solicitação de cotação	6909	Vishay Siliconix	E	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	SIHB24	MOSFET (óxido metálico)		TO-263 (D²Pak)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	50		Canal N	650 V	24A (Tc)	10V	156mOhm @ 12A, 10V	4 V a 250 µA	122 nC @ 10 V	±30V	2774 pF a 100 V	-	250W (Tc)
IRFPG50PBF	5.8800	Solicitação de cotação	1915	Vishay Siliconix	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-247-3	IRFPG50	MOSFET (óxido metálico)		TO-247AC	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		*IRFPG50PBF	EAR99	8541.29.0095	25		Canal N	1000V	6.1A (Tc)	10V	2 Ohm @ 3,6 A, 10 V	4 V a 250 µA	190 nC @ 10 V	±20V	2.800 pF a 25 V	-	190W (Tc)
IRFZ40PBF	2.7800	Solicitação de cotação	3	Vishay Siliconix	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3	IRFZ40	MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		*IRFZ40PBF	EAR99	8541.29.0095	50		Canal N	60 V	50A (Tc)	10V	28mOhm a 31A, 10V	4 V a 250 µA	67 nC @ 10 V	±20V	1900 pF a 25 V	-	150W (Tc)
SIF912EDZ-T1-E3	-	Solicitação de cotação	8478	Vishay Siliconix	TrincheiraFET®	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	PowerPAK® 2x5	SIF912	MOSFET (óxido metálico)	1,6 W	PowerPAK® (2x5)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	3.000	Dreno comum de 2 canais N (duplo)		30V	7.4A		19mOhm a 7,4A, 4,5V	1,5 V a 250 µA	15nC a 4,5V		-	Portão de nível lógico
IRF744PBF	-	Solicitação de cotação	8552	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3	IRF744	MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado	*IRF744PBF	EAR99	8541.29.0095	50		Canal N	450 V	8,8A(Tc)	10V	630mOhm @ 5,3A, 10V	4 V a 250 µA	80 nC @ 10 V	±20V	1400 pF a 25 V	-	125W (Tc)
SQD50P08-28-T4_GE3	0,6985	Solicitação de cotação	7852	Vishay Siliconix	Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET®	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63	SQD50	MOSFET (óxido metálico)		TO-252AA	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		742-SQD50P08-28-T4_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	80 V	48A (Tc)	10V	28mOhm @ 12,5A, 10V	3,5 V a 250 µA	145 nC @ 10 V	±20V	6035 pF a 25 V	-	136W (Tc)
SIE726DF-T1-GE3	-	Solicitação de cotação	8611	Vishay Siliconix	SkyFET®, TrenchFET®	Fita e Carretel (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	10-PolarPAK® (L)	SIE726	MOSFET (óxido metálico)		10-PolarPAK® (L)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal N	30 V	60A (Tc)	4,5V, 10V	2,4mOhm a 25A, 10V	3 V a 250 µA	160 nC @ 10 V	±20V	7.400 pF a 15 V	-	5,2 W (Ta), 125 W (Tc)
SIHP14N60E-BE3	2.3600	Solicitação de cotação	978	Vishay Siliconix	E	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3		MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	50		Canal N	600 V	13A (Tc)	10V	309mOhm @ 7A, 10V	4 V a 250 µA	64 nC @ 10 V	±30V	1205 pF a 100 V	-	147W (Tc)
SUP50020EL-GE3	3.0600	Solicitação de cotação	6173	Vishay Siliconix	TrincheiraFET®	Volume	Ativo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Através do furo	PARA-220-3	SUP50020	MOSFET (óxido metálico)		PARA-220AB	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	500		Canal N	60 V	120A (Tc)	4,5V, 10V	2,3mOhm a 30A, 10V	2,5 V a 250 µA	126 nC @ 10 V	±20V	11113 pF a 30 V	-	375W (Tc)
SIHB33N60E-GE3	6.1800	Solicitação de cotação	7896	Vishay Siliconix	-	Volume	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB	SIHB33	MOSFET (óxido metálico)		D²PAK (TO-263)	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		SIHB33N60EGE3	EAR99	8541.29.0095	1.000		Canal N	600 V	33A (Tc)	10V	99mOhm @ 16,5A, 10V	4 V a 250 µA	150 nC @ 10 V	±30V	3508 pF a 100 V	-	278W (Tc)
IRLI630GPBF	2.7800	Solicitação de cotação	1	Vishay Siliconix	-	Tubo	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Através do furo	TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado	IRLI630	MOSFET (óxido metálico)		PARA-220-3	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)		*IRLI630GPBF	EAR99	8541.29.0095	50		Canal N	200 V	6,2A (Tc)	4V, 5V	400mOhm @ 3,7A, 5V	2V @ 250µA	40 nC @ 10 V	±10V	1100 pF a 25 V	-	35W (Tc)
SIHH120N60E-T1-GE3	6.0900	Solicitação de cotação	4280	Vishay Siliconix	E	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	8-PowerTDFN	SIHH120	MOSFET (óxido metálico)		PowerPAK® 8x8	download	Compatível com ROHS3	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal N	600 V	24A (Tc)	10V	120mOhm @ 12A, 10V	5 V a 250 µA	44 nC @ 10 V	±30V	1600 pF a 100 V	-	156W (Tc)
SI2319CDS-T1-BE3	0,5700	Solicitação de cotação	216	Vishay Siliconix	TrincheiraFET®	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2319	MOSFET (óxido metálico)		SOT-23-3 (TO-236)	download		1 (ilimitado)	REACH não afetado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	40 V	3,1A (Ta), 4,4A (Tc)	4,5V, 10V	77mOhm @ 3,1A, 10V	2,5 V a 250 µA	21 nC @ 10 V	±20V	595 pF a 20 V	-	1,25 W (Ta), 2,5 W (Tc)
SIR826DP-T1-RE3	0,9999	Solicitação de cotação	3488	Vishay Siliconix	TrincheiraFET®	Fita e Carretel (TR)	Ativo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montagem em superfície	PowerPAK® SO-8	SIR826	MOSFET (óxido metálico)		PowerPAK® SO-8	-		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal N	80 V	60A (Tc)	4,5V, 10V	4,8mOhm a 20A, 10V	2,8 V a 250 µA	90 nC @ 10 V	±20V	2.900 pF a 40 V	-	104W (Tc)