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Produtos semicondutores discretos(4)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HTNFET-D | - |  | 3097 | 0,00000000 | Honeywell Aeroespacial | HTMOS® | Volume | Ativo | -55°C ~ 225°C (TJ) | Através do furo | Almofada exposta 8-CDIP | HTNFET | MOSFET (óxido metálico) | 8-CDIP-EP | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | 342-1078 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 55V | - | 5V | 400mOhm @ 100mA, 5V | 2,4 V a 100 µA | 4,3 nC a 5 V | 10V | 290 pF a 28 V | - | 50W (Tj) | |
 | HTNFET-T | - | | 4674 | 0,00000000 | Honeywell Aeroespacial | HTMOS® | Volume | Ativo | -55°C ~ 225°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP | HTNFET | MOSFET (óxido metálico) | Guia 4-Poder | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 55V | - | 5V | 400mOhm @ 100mA, 5V | 2,4 V a 100 µA | 4,3 nC a 5 V | 10V | 290 pF a 28 V | - | 50W (Tj) | ||
 | HTNFET-DC | - | | 1677 | 0,00000000 | Honeywell Aeroespacial | HTMOS® | Volume | Ativo | - | Através do furo | Almofada exposta 8-CDIP | HTNFET | MOSFET (óxido metálico) | - | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 55V | - | 5V | 400mOhm @ 100mA, 5V | 2,4 V a 100 µA | 4,3 nC a 5 V | 10V | 290 pF a 28 V | - | 50W (Tj) | ||
| HTNFET-TC | - | | 9171 | 0,00000000 | Honeywell Aeroespacial | HTMOS® | Volume | Ativo | - | Através do furo | - | HTNFET | MOSFET (óxido metálico) | - | download | Compatível com RoHS | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal N | 55V | - | 5V | 400mOhm @ 100mA, 5V | 2,4 V a 100 µA | 4,3 nC a 5 V | 10V | 290 pF a 28 V | - | 50W (Tj) |
Mais de 2.000
Volume médio diário de RFQ
30.000.000
Unidade de produto padrão
2.800+
Fabricantes mundiais
15.000 m2
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