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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
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TSN525M60 S3G | 1.0331 | ![]() | 7719 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 8-Powerldfn | TSN525 | Schottky | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 630 mV @ 25 A | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 25a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFF1003GAHC0G | - | ![]() | 4822 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF1003 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 150 v | 10a (DC) | 975 mV @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||
SS15LHM2G | - | ![]() | 1928 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS15 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 1 a | 400 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
1SMA5946HM2G | - | ![]() | 8846 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1SMA5946 | 1,5 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 500 Na @ 56 V | 75 v | 140 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
S15GLW | 0,0597 | ![]() | 6910 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | Padrão | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-S15GLWTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1,5 A | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4753G A0G | - | ![]() | 3034 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4753 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 27,4 V | 36 v | 50 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC550B | 0,0447 | ![]() | 2702 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | BC550 | 500 MW | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BC550BTB | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | - | 200 @ 2MA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS35 V6G | - | ![]() | 7303 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SS35 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 500 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2M62Z B0G | - | ![]() | 3162 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2m62 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 Na @ 47,1 V | 62 v | 60 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRA20100 C0G | - | ![]() | 6112 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-2 | SRA20100 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 920 mV @ 20 A | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM60NB260CI | 4.2905 | ![]() | 8831 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NB260CI | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 600 v | 13a (TC) | 10V | 260mohm @ 3.9a, 10V | 4V A 250µA | 30 NC a 10 V | ± 30V | 1273 pf @ 100 V | - | 32.1W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | MUR315S R7G | - | ![]() | 7008 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Mur315 | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 875 mv @ 3 a | 25 ns | 5 µA A 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mtzj33sc r0g | 0.0305 | ![]() | 7129 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj33 | 500 MW | Do-34 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 200 Na @ 25 V | 31,7 v | 65 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4755G | 0,0627 | ![]() | 8216 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4755 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-1N4755GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 32,7 V | 43 v | 70 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
Rsfklhrtg | - | ![]() | 1407 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rsfkl | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 500 mA | 500 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 4pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR010 R1G | - | ![]() | 9225 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SR010 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mV a 500 mA | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 65pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR20100PTHC0G | - | ![]() | 4950 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | MBR20100 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 20a | 950 mV @ 20 A | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ss22hm4g | - | ![]() | 6585 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SS22 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mv @ 2 a | 400 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS4448 RWG | - | ![]() | 1182 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | 1005 (2512 Mética) | Padrão | 1005 | - | 1801-TS4448RWG | Obsoleto | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 720 mv @ 100 mA | 9 ns | 100 Na @ 80 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 125mA | 9pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Uf1ghr1g | - | ![]() | 6036 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Uf1g | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
SS215L RTG | - | ![]() | 9134 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS215 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 2 a | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM10NC65CF C0G | 3.3400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | TSM10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Ito-220s | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 v | 10a (TC) | 10V | 900MOHM @ 2A, 10V | 4.5V a 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 30V | 1650 PF @ 50 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | SF2L8G A0G | - | ![]() | 5164 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | SF2L8 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 2 A | 35 ns | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZM4756A L0G | 0.0830 | ![]() | 1153 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | ZM4756 | 1 w | Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA A 35,8 V | 47 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C16PHRTG | - | ![]() | 3889 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,55% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 12 V | 16,2 v | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C4V3 A0G | - | ![]() | 9679 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1 V @ 100 Ma | 1 µA a 1 V | 4.3 v | 75 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFF502G C0G | - | ![]() | 5422 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF502 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 980 mV @ 2,5 A | 35 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 70pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
SS210LHMTG | - | ![]() | 1977 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS210 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mv @ 2 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRT13H | - | ![]() | 4555 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | Schottky | TS-1 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SRT13HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 500 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3DV R6G | - | ![]() | 8345 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-ES3DVR6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz |
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