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Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
BAV99S REG Taiwan Semiconductor Corporation Bav99s Reg -
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 ECAD 6830 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bav99 Padrão SOT-363 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade Conexão de 2 Pares da Série 85 v 150mA 1,25 V @ 150 Ma 6 ns 1 µA A 75 V -55 ° C ~ 150 ° C.
TSM2N7002AKDCU6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002AKDCU6 RFG 0,3700
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 ECAD 20 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TSM2N7002 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 240mW (TA) SOT-363 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 2 canal n (Duplo) 60V 220mA (TA) 2.5OHM @ 220MA, 10V 2,5V a 250µA 0,91NC @ 4.5V 30pf @ 30V Portão de Nível Lógico
TSZU52C2V0 RGG Taiwan Semiconductor Corporation Tszu52c2v0 rgg 0,0669
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 ECAD 2451 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície 0603 (1608 Mética) Tszu52 150 MW 0603 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 4.000 900 mV a 10 mA 100 µA @ 1 V 2 v 100 ohms
SFF1007GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1007GHC0G -
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 ECAD 5520 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Descontinuado no sic Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SFF1007 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 500 v 10a (DC) 1,7 V @ 5 A 35 ns 10 µA A 500 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N5225B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5225B A0G -
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 ECAD 5533 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 5% 100 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5225 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,1 V @ 200 mA 50 µA @ 1 V 3 v 29 ohms
BZX79C12 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C12 A0G -
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 ECAD 4600 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX79 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 100 Ma 100 Na @ 8 V 12 v 25 ohms
HERA804G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERA804G C0G -
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 ECAD 7721 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-220-2 HERA804 Padrão TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 1 V @ 8 A 50 ns 10 µA A 300 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 65pf @ 4V, 1MHz
BZY55C12 Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C12 0,0350
RFQ
 ECAD 8444 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 0805 (2012 Mética) Bzy55 500 MW 0805 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZY55C12TR Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 10 Ma 100 Na @ 9,1 V 12 v 20 ohms
MBR1650HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1650HC0G -
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 ECAD 1334 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-220-2 MBR1650 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 750 mv @ 16 a 500 µA A 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 16a -
MBRF5150H Taiwan Semiconductor Corporation MBRF5150H -
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 ECAD 6639 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Schottky ITO-220AC - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-MBRF5150H Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 1,02 V @ 5 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a -
BZX79C8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C8V2 0,0287
RFQ
 ECAD 7899 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX79 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX79C8V2TR Ear99 8541.10.0050 20.000 1,5 V @ 100 Ma 700 Na @ 5 V 8.2 v 15 ohms
BZD27C62PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C62PHRTG -
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 ECAD 6013 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 1 µA @ 47 V 62 v 80 ohms
SRAF540 Taiwan Semiconductor Corporation SRAF540 -
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 ECAD 6645 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Schottky ITO-220AC - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SRAF540 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 5 A 500 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 5a -
BZT55C16 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C16 0,0350
RFQ
 ECAD 4295 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície Variante SOD-80 500 MW Qmmelf download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT55C16TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 10 Ma 100 Na @ 12 V 16 v 40 ohms
BZT52B56-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B56-G 0,0461
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 ECAD 7469 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F BZT52B 410 MW SOD-123F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52B56-GTR Ear99 8541.10.0050 6.000 900 mV a 10 mA 45 Na @ 39,2 V 56 v 200 ohms
S1DFSHMWG Taiwan Semiconductor Corporation S1dfshmwg 0,4600
RFQ
 ECAD 210 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 S1D Padrão SOD-128 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 1 A 1 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 9pf @ 4V, 1MHz
S2J R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2J R5G -
RFQ
 ECAD 2830 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AA, SMB S2J Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,15 V @ 2 A 1,5 µs 1 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 30pf @ 4V, 1MHz
BZT52C3V6-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V6-G 0,0445
RFQ
 ECAD 5693 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52C3V6-GTR Ear99 8541.10.0050 6.000 900 mV a 10 mA 5 µA @ 1 V 3,6 v 90 ohms
BZD27C180P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180P MHG -
RFQ
 ECAD 4761 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 130 V 179,5 v 450 ohms
1SMB5944H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5944H 0,1545
RFQ
 ECAD 4101 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AA, SMB 1SMB5944 3 w DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1 µA a 47,1 V 62 v 100 ohms
1SMA5950H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5950H 0,0995
RFQ
 ECAD 6196 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AC, SMA 1SMA5950 1,5 w DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 500 Na @ 83,6 V 110 v 300 ohms
HS5F Taiwan Semiconductor Corporation HS5F 0,2748
RFQ
 ECAD 8690 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC HS5F Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 50 ns 10 µA A 300 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 80pf @ 4V, 1MHz
1SMC5352 M6 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMC5352 M6 -
RFQ
 ECAD 3206 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AB, SMC 5 w DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-1SMC5352M6TR Ear99 8541.10.0050 3.000 1 µA A 11,5 V 15 v 2,5 ohms
UF4003HB0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4003HB0G -
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 ECAD 9239 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial UF4003 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 17pf @ 4V, 1MHz
TSM60NB099CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099CF C0G 12.8700
RFQ
 ECAD 905 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TSM60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ito-220s download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 600 v 38a (TC) 10V 99mohm @ 5.3a, 10V 4V A 250µA 62 NC @ 10 V ± 30V 2587 pf @ 100 V - 69W (TC)
RS1AL Taiwan Semiconductor Corporation Rs1al 0,1703
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 ECAD 8508 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123 Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-rs1altr Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,3 V @ 800 mA 150 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 800mA 10pf @ 4V, 1MHz
1M120ZHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M120ZHR1G -
RFQ
 ECAD 5794 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1M120 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 5 µA a 91,2 V 120 v 550 ohms
BZD27C200P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200P TAP -
RFQ
 ECAD 1932 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 150 V 200 v 750 ohms
1T6G A1G Taiwan Semiconductor Corporation 1T6G A1G -
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 ECAD 4678 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco T-18, axial 1t6g Padrão TS-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1 V @ 1 A 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
BZV55B22 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B22 L1G -
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 ECAD 4594 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 BZV55B 500 MW Mini Mell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 100 Ma 100 Na @ 16 V 22 v 55 ohms
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