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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tolerância | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) | Tensão - Zener (Nom) (Vz) | Impedância (Máx.) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2M160ZHA0G | - | ![]() | 3942 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Caixa (TB) | Ativo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AC, DO-15, Axial | 2M160 | 2W | DO-204AC (DO-15) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 nA a 121,6 V | 160 V | 650 Ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SF25G B0G | - | ![]() | 8741 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Volume | Ativo | Através do furo | DO-204AC, DO-15, Axial | SF25 | padrão | DO-204AC (DO-15) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 300V | 1,3 V a 2 A | 35 ns | 5 µA a 300 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 20pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | MTZJ4V3SB | 0,0305 | ![]() | 4879 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AG, DO-34, Axial | MTZJ4 | 500 mW | DO-34 | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-MTZJ4V3SBTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µA a 1 V | 4,3V | 100 Ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM2N7002KCX RFG | - | ![]() | 7633 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2N7002 | MOSFET (óxido metálico) | SOT-23 | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal N | 60 V | 300mA (Ta) | 4,5V, 10V | 2Ohm a 300mA, 10V | 2,5 V a 250 µA | 0,4 nC a 4,5 V | ±20V | 30 pF a 25 V | - | 300mW (Ta) | ||||||||||||||||||
![]() | SRT15HR0G | - | ![]() | 6799 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Através do furo | T-18, Axial | SRT15 | Schottky | TS-1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 700 mV por 1 A | 500 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||
| ES1BL MTG | - | ![]() | 1998 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-219AB | ES1B | padrão | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100V | 950 mV por 1 A | 35 ns | 5 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 10pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BA159G | 0,0577 | ![]() | 9177 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | BA159 | padrão | DO-204AL (DO-41) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1000V | 1,2 V a 1 A | 250 ns | 5 µA a 1000 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 15pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B6V2S | 0,0510 | ![]() | 1796 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-90, SOD-323F | BZT52B | 200 mW | SOD-323F | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-BZT52B6V2STR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V a 10 mA | 2,7 µA a 4 V | 6,2V | 10 Ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SFF1604G | 1.5400 | ![]() | 200 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | SFF1604 | padrão | ITO-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 975 mV a 16 A | 35 ns | 10 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 16A | 80pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
| BZD17C68P MQG | - | ![]() | 4961 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5,88% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 mW | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 51 V | 68 V | 80 Ohms | |||||||||||||||||||||||||
| BZD27C33P RTG | - | ![]() | 2925 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±6,06% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-219AB | BZD27 | 1W | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 24 V | 33V | 15 Ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5949HR5G | - | ![]() | 3507 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | 1SMB5949 | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA a 76 V | 100V | 250 Ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55B30 L1G | - | ![]() | 9199 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | BZT55 | 500 mW | Mini MELF | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V a 10 mA | 100 nA @ 22 V | 30 V | 80 Ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF25100CT-Y | 0,7462 | ![]() | 9309 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | MBRF25100 | Schottky | ITO-220AB | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-MBRF25100CT-Y | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 100V | 25A | 850 mV a 25 A | 100 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||
![]() | SRAF830HC0G | - | ![]() | 7418 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do furo | Pacote completo TO-220-2 | SRAF830 | Schottky | ITO-220AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 30 V | 550 mV a 8 A | 100 µA a 30 V | -55°C ~ 125°C | 8A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBR2545CT | - | ![]() | 4263 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Descontinuado na SIC | Através do furo | PARA-220-3 | MBR2545 | Schottky | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 45V | 25A | 850 mV a 25 A | 200 µA a 45 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBR1090CTHC0G | - | ![]() | 8902 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-3 | MBR1090 | Schottky | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 90 V | 10A | 950 mV a 10 A | 100 µA a 90 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||
![]() | SSL32HR7G | - | ![]() | 6654 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | SSL32 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 20 V | 410 mV a 3 A | 200 µA a 20 V | -55°C ~ 125°C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | TSM60NB600CP | 1.6363 | ![]() | 2157 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 | TSM60 | MOSFET (óxido metálico) | TO-252, (D-Pak) | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-TSM60NB600CPTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal N | 600 V | 7A (Tc) | 10V | 600mOhm @ 2,1A, 10V | 4 V a 250 µA | 13 nC @ 10 V | ±30V | 516 pF a 100 V | - | 63W (Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | RS1DLWH | 0,0643 | ![]() | 6037 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123W | padrão | SOD-123W | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-RS1DLWHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 20.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,3 V a 1 A | 150 ns | 5 µA a 200 V | -55°C ~ 175°C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||
| DBLS155GH | 0,3209 | ![]() | 8914 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | DBLS155 | padrão | DBLS | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,1 V a 1,5 A | 2 µA a 600 V | 1,5A | Monofásico | 600 V | |||||||||||||||||||||||||
| GBL203 D2G | - | ![]() | 6323 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, GBL | GBL203 | padrão | GBL | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 V @ 2 A | 5 µA a 200 V | 2A | Monofásico | 200 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SF27GHB0G | - | ![]() | 8138 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do furo | DO-204AC, DO-15, Axial | SF27 | padrão | DO-204AC (DO-15) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 500 V | 1,7 V a 2 A | 35 ns | 5 µA a 500 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 20pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | HS1KH | 0,0827 | ![]() | 4677 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | padrão | DO-214AC (SMA) | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-HS1KHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 15.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 800V | 1,7V a 1A | 75ns | 5 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 15pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | SF65G B0G | - | ![]() | 2542 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Volume | Ativo | Através do furo | DO-201AD, Axial | SF65 | padrão | DO-201AD | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 300V | 1,3 V a 6 A | 35 ns | 5 µA a 300 V | -55°C ~ 150°C | 6A | 50pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SRAF1630 C0G | - | ![]() | 6650 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Ativo | Através do furo | Pacote completo TO-220-2 | SRAF1630 | Schottky | ITO-220AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 30 V | 550 mV a 16 A | 500 µA a 30 V | -55°C ~ 125°C | 16A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B3V0 | 0,0412 | ![]() | 7726 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOD-123F | BZT52B | 500 mW | SOD-123F | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-BZT52B3V0TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V a 10 mA | 9 µA a 1 V | 3V | 100 Ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1DL | 0,1703 | ![]() | 5457 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123 | padrão | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-RS1DLTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,3 V a 800 mA | 150 ns | 5 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 800ma | 10pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMB5933 R5G | 0,7000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | 1PGSMB5933 | 3 W | DO-214AA (SMB) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA a 16,7 V | 22V | 17,5 Ohms | |||||||||||||||||||||||||
| BZD27C56P RTG | - | ![]() | 7465 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±7,14% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-219AB | BZD27 | 1W | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 43 V | 56 V | 60 Ohms |

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