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Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
SR309HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR309HA0G -
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 ECAD 9528 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-201D, axial SR309 Schottky Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 90 v 850 mv @ 3 a 100 µA A 90 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
UF4006HR1G Taiwan Semiconductor Corporation UF4006HR1G -
RFQ
 ECAD 2354 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial UF4006 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,7 V @ 1 A 75 ns 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 17pf @ 4V, 1MHz
TS8P01GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P01GHD2G -
RFQ
 ECAD 8676 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P TS8P01 Padrão TS-6P download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 15 1,1 V @ 8 A 10 µA a 50 V 8 a Fase Única 50 v
TS50P07G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS50P07G C2G -
RFQ
 ECAD 5015 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P TS50P07 Padrão TS-6P download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 25 A 10 µA A 1000 V 50 a Fase Única 1 kv
MBRS10150HMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS10150HMNG -
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 ECAD 6135 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRS10150 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a -
SFF508G Taiwan Semiconductor Corporation SFF508G -
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 ECAD 2913 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SFF508 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 2,5 A 35 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 50pf @ 4V, 1MHz
TSM60N1R4CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N1R4CH C5G 0,4419
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 ECAD 5995 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA TSM60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 600 v 3.3a ​​(TC) 10V 1.4OHM @ 2A, 10V 4V A 250µA 7,7 nc @ 10 V ± 30V 370 pf @ 100 V - 38W (TC)
HS1AL Taiwan Semiconductor Corporation Hs1al 0,2228
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 ECAD 1172 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123 Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-HS1altr Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 1 a 50 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
SRS2060 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS2060 Mng -
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 ECAD 2049 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab SRS2060 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 20a 700 mv @ 10 a 500 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
KBP203G C2 Taiwan Semiconductor Corporation KBP203G C2 -
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 ECAD 9531 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, KBP Padrão KBP download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 1,2 V @ 2 A 10 µA A 200 V 2 a Fase Única 200 v
SS19L MTG Taiwan Semiconductor Corporation SS19L MTG -
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 ECAD 7261 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS19 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 90 v 800 mv @ 1 a 50 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
BZT55B3V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B3V3 0,0385
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 ECAD 5206 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície Variante SOD-80 500 MW Qmmelf download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT55B3V3TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 10 Ma 2 µA @ 1 V 3,3 v 85 ohms
MBRS25150CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS25150CT 0,9315
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 ECAD 3739 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRS25150 Schottky TO-263AB (D2PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBRS25150CTTR Ear99 8541.10.0080 1.600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 25a 1,02 V @ 25 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BZD27C13PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13PW 0,4900
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 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123W BZD27 1 w SOD-123W download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 mA 2 µA A 10 V 13 v 10 ohms
TS6P03G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P03G D2G -
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 ECAD 5873 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P TS6P03 Padrão TS-6P download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 15 1,1 V @ 6 A 10 µA A 200 V 6 a Fase Única 200 v
UDZS12B Taiwan Semiconductor Corporation Udzs12b 0,0354
RFQ
 ECAD 4838 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F Udzs12 200 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-UDZS12BTR Ear99 8541.10.0050 10.000 90 Na @ 9 V 12 v 20 ohms
MTZJ39SD R0G Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj39sd r0g 0.0305
RFQ
 ECAD 8354 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AG, DO-34, axial Mtzj39 500 MW Do-34 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 200 Na @ 30 V 37,58 v 85 ohms
TSF30L120C Taiwan Semiconductor Corporation TSF30L120C 1.1298
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 ECAD 8020 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSF30 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 120 v 15a 880 mV @ 15 A 250 µA A 120 V -55 ° C ~ 150 ° C.
RSFKLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Rsfklhm2g -
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 ECAD 5151 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB Rsfkl Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,3 V @ 500 mA 500 ns 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 500mA 4pf @ 4V, 1MHz
S5MB Taiwan Semiconductor Corporation S5MB 0,1328
RFQ
 ECAD 2068 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB S5m Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,1 V @ 5 A 10 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 40pf @ 4V, 1MHz
TSZU52C22 RGG Taiwan Semiconductor Corporation Tszu52c22 rgg 0,0669
RFQ
 ECAD 9719 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície 0603 (1608 Mética) Tszu52 150 MW 0603 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 4.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 17 V 22 v 55 ohms
TS8P07G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P07G C2G -
RFQ
 ECAD 3364 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P TS8P07 Padrão TS-6P download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 15 1,1 V @ 8 A 10 µA A 1000 V 8 a Fase Única 1 kv
MBR30150PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR30150PT 1.8014
RFQ
 ECAD 9167 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 MBR30150 Schottky TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 30a 1,02 V @ 30 A 500 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
HER202G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER202G B0G -
RFQ
 ECAD 1835 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial HER202 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 2 A 50 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 35pf @ 4V, 1MHz
MBRS1035 MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1035 Mng -
RFQ
 ECAD 1087 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRS1035 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 35 v 840 mV @ 10 A 100 µA A 35 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a -
TS35P06GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS35P06GHC2G -
RFQ
 ECAD 8992 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P TS35P06 Padrão TS-6P download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 15 1,1 V @ 17,5 A 10 µA a 800 V 35 a Fase Única 800 v
BZX85C36 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C36 R0G 0,0645
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 ECAD 3469 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 10 Ma 500 Na @ 25 V 36 v 40 ohms
ABS15JHREG Taiwan Semiconductor Corporation ABS15JHREG -
RFQ
 ECAD 4425 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota ABS15 Padrão Abs download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 1 V @ 1,5 A 5 µA A 600 V 1.5 a Fase Única 600 v
S1GLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1GLHRVG -
RFQ
 ECAD 9577 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB S1G Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 1 A 1,8 µs 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 9pf @ 4V, 1MHz
1N5399G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5399G A0G -
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 ECAD 1322 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial 1N5399 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1 V @ 1,5 A 5 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 15pf @ 4V, 1MHz
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