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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Corrente - Retificada Média (IO) | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TS50P06GH | 2.1231 | ![]() | 4489 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS50P06 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA a 800 V | 50 a | Fase Única | 800 v | |||||
![]() | TS50P07G C2G | - | ![]() | 5015 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS50P07 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA A 1000 V | 50 a | Fase Única | 1 kv | |||||
![]() | TS6P01GHD2G | - | ![]() | 5407 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS6P01 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 6 A | 10 µA a 50 V | 6 a | Fase Única | 50 v | |||||
![]() | TS6P02G D2G | - | ![]() | 7853 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS6P02 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 6 A | 10 µA A 100 V | 6 a | Fase Única | 100 v | |||||
![]() | TS6P02GHD2G | - | ![]() | 9360 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS6P02 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 6 A | 10 µA A 100 V | 6 a | Fase Única | 100 v | |||||
![]() | TS6P03G D2G | - | ![]() | 5873 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS6P03 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 6 A | 10 µA A 200 V | 6 a | Fase Única | 200 v | |||||
![]() | TS6P04G D2G | - | ![]() | 2683 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS6P04 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 6 A | 10 µA A 400 V | 6 a | Fase Única | 400 v | |||||
![]() | TS6P05GHC2G | - | ![]() | 9788 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS6P05 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 6 A | 10 µA A 600 V | 6 a | Fase Única | 600 v | |||||
![]() | TS6P07GHC2G | - | ![]() | 3681 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS6P07 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 6 A | 10 µA A 1000 V | 6 a | Fase Única | 1 kv | |||||
![]() | TS8P01GHD2G | - | ![]() | 8676 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P01 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA a 50 V | 8 a | Fase Única | 50 v | |||||
![]() | TS8P02G C2G | - | ![]() | 2472 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P02 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 100 V | 8 a | Fase Única | 100 v | |||||
![]() | TS8P02GHC2G | - | ![]() | 8393 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P02 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 100 V | 8 a | Fase Única | 100 v | |||||
![]() | TS8P03G C2G | - | ![]() | 1558 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P03 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 200 V | 8 a | Fase Única | 200 v | |||||
![]() | TS8P03G D2G | - | ![]() | 6294 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P03 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 200 V | 8 a | Fase Única | 200 v | |||||
![]() | TS8P03GHC2G | - | ![]() | 3230 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P03 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 200 V | 8 a | Fase Única | 200 v | |||||
![]() | TS8P03GHD2G | - | ![]() | 8175 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P03 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 200 V | 8 a | Fase Única | 200 v | |||||
![]() | TS8P04GH | - | ![]() | 7919 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P04 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 400 V | 8 a | Fase Única | 400 v | |||||
![]() | TS8P06G | 1.0245 | ![]() | 6043 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P06 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA a 800 V | 8 a | Fase Única | 800 v | |||||
![]() | TS8P07G C2G | - | ![]() | 3364 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P07 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 1000 V | 8 a | Fase Única | 1 kv | |||||
TSS4B02GHC2G | - | ![]() | 8078 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, TS-4B | TSS4B02 | Padrão | TS4B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 980 mV @ 4 a | 5 µA A 100 V | 4 a | Fase Única | 100 v | ||||||
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TSS4B03GHD2G | - | ![]() | 8319 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, TS-4B | TSS4B03 | Padrão | TS4B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 980 mV @ 4 a | 5 µA A 200 V | 4 a | Fase Única | 200 v | ||||||
TSS4B04G C2G | - | ![]() | 5157 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, TS-4B | TSS4B04 | Padrão | TS4B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1,3 V @ 4 a | 5 µA A 400 V | 4 a | Fase Única | 400 v | ||||||
![]() | UR4KB60-B | 0,5982 | ![]() | 9044 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 -SIP | UR4KB60 | Padrão | D3K | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 V @ 2 A | 10 µA A 600 V | 4 a | Fase Única | 600 v | |||||
![]() | UR8KB60 | 0,8976 | ![]() | 4773 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 -SIP | UR8KB60 | Padrão | D3K | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 600 V | 8 a | Fase Única | 600 v | |||||
![]() | 1N5246B A0G | 0,3100 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | ± 5% | 100 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N5246 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 12 V | 16 v | 17 ohms | |||||
![]() | BZV55B75 L1G | - | ![]() | 1308 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZV55B | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 56 V | 75 v | 170 ohms | |||||
![]() | BZV55C62 L1G | - | ![]() | 8651 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZV55C | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 47 V | 62 v | 150 ohms | |||||
![]() | BZY55B16 RYG | 0,0486 | ![]() | 9373 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 0805 (2012 Mética) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 12 V | 16 v | 40 ohms | |||||
![]() | BZY55B4V3 RYG | - | ![]() | 5316 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 0805 (2012 Mética) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 1 µA a 1 V | 4.3 v | 80 ohms |
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