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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tolerância | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Tipo FET | Dreno para Tensão de Fonte (Vdss) | Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | Rds ativadas (máx.) @ ID, Vgs | Vgs(th) (máx.) @ ID | Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs | Vgs (máx.) | Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | Recurso FET | Dissipação de energia (máx.) | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tensão - Zener (Nom) (Vz) | Impedância (Máx.) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SRF10100HC0G | - | ![]() | 7638 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | SRF10100 | Schottky | ITO-220AB | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 100V | 10A | 900 mV a 5 A | 100 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | BA158G R1G | - | ![]() | 6325 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | BA158 | padrão | DO-204AL (DO-41) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,2 V a 1 A | 150 ns | 5 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 15pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | ESH3C R6G | - | ![]() | 2111 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | padrão | DO-214AB (SMC) | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1801-ESH3CR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 150 V | 900 mV a 3 A | 20 ns | 5 µA a 150 V | -55°C ~ 175°C | 3A | 45pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4743G | 0,0627 | ![]() | 8291 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 200°C | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4743 | 1W | DO-204AL (DO-41) | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-1N4743GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 9,9 V | 13V | 10 Ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | TSSE3H60H | 0,2760 | ![]() | 3215 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123H | TSSE3 | Schottky | SOD-123HE | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-TSSE3H60HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 60 V | 600 mV a 3 A | 100 µA a 60 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | |||||||||||||||||||||
| BZD27C16P R3G | - | ![]() | 1138 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5,55% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-219AB | BZD27 | 1W | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 12 V | 16,2V | 15 Ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C47 | 0,0645 | ![]() | 3382 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | BZX85 | 1,3W | DO-204AL (DO-41) | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-BZX85C47TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 10 mA | 500 nA a 33 V | 47V | 90 Ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMB5954 R5G | - | ![]() | 1302 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | 1PGSMB5954 | 3 W | DO-214AA (SMB) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA a 121,6 V | 160 V | 700 Ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | S8GCH | 0,2111 | ![]() | 1683 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | padrão | DO-214AB (SMC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 985 mV a 8 A | 10 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 8A | 48pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | TSM2N100CH C5G | - | ![]() | 1005 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | TO-251-3 Cabos Curtos, IPak, TO-251AA | TSM2N100 | MOSFET (óxido metálico) | TO-251 (IPAK) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal N | 1000V | 1,85A (Tc) | 10V | 8,5Ohm a 900mA, 10V | 5,5 V a 250 µA | 17 nC @ 10 V | ±30V | 625 pF a 25 V | - | 77W (Tc) | ||||||||||||||||
| SK23A | 0,4300 | ![]() | 4152 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | SK23 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 30 V | 500 mV a 2 A | 500 µA a 30 V | -55°C ~ 150°C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79B10 | 0,0305 | ![]() | 1109 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | BZX79 | 500 mW | DO-35 | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-BZX79B10TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V a 100 mA | 7 mA a 200 mV | 10V | 20 Ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5354 M6G | - | ![]() | 5172 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1801-1PGSMC5354M6GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 nA a 12,9 V | 17V | 3 Ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55C2V7 | 0,0350 | ![]() | 3322 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | Variante SOD-80 | 500 mW | QMMELF | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-BZT55C2V7TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V a 10 mA | 10 µA a 1 V | 2,7 V | 85 Ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | RB751V-40RRG | 0,0494 | ![]() | 5373 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SC-76, SOD-323 | RB751 | Schottky | SOD-323 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 40 V | 370 mV a 1 mA | 500 nA a 30 V | -40°C ~ 125°C | 30mA | 2pF a 0 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | S1KBHR5G | - | ![]() | 1950 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | DO-214AA, SMB | S1K | padrão | DO-214AA (SMB) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 800V | 1,1 V a 1 A | 5 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 12pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | SS33 R6G | - | ![]() | 8415 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1801-SS33R6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 30 V | 500 mV a 3 A | 500 µA a 30 V | -55°C ~ 125°C | 3A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 2M47Z B0G | - | ![]() | 3076 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Volume | Ativo | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AC, DO-15, Axial | 2M47 | 2W | DO-204AC (DO-15) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 nA a 35,8 V | 47V | 40 Ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | S3G R7G | - | ![]() | 6469 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | S3G | padrão | DO-214AB (SMC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,15 V a 3 A | 10 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 60pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | BZT55B3V3 | 0,0385 | ![]() | 5206 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | Variante SOD-80 | 500 mW | QMMELF | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-BZT55B3V3TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V a 10 mA | 2 µA a 1 V | 3,3V | 85 Ohms | |||||||||||||||||||||||
| 1SMA4740HR3G | - | ![]() | 6798 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | 1SMA4740 | 1,25W | DO-214AC (SMA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA a 7,6 V | 10V | 7 Ohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UF1MH | 0,1044 | ![]() | 7816 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | UF1M | padrão | DO-204AL (DO-41) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1000V | 1,7V a 1A | 75ns | 5 µA a 1000 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 17pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
| RS1JLHMQG | - | ![]() | 8103 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-219AB | RS1J | padrão | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,3 V a 800 mA | 250 ns | 5 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 800ma | 10pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | 2M43ZHB0G | - | ![]() | 2213 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Descontinuado na SIC | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Através do furo | DO-204AC, DO-15, Axial | 2M43 | 2W | DO-204AC (DO-15) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 nA a 32,7 V | 43V | 35 Ohms | |||||||||||||||||||||||
| SJLW | 0,3300 | ![]() | 5117 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123W | padrão | SOD-123W | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,1 V a 800 mA | 1 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 800ma | 7pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | SD103CW | 0,0578 | ![]() | 4966 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123 | SD103 | Schottky | SOD-123 | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-SD103CWTR | EAR99 | 8541.10.0070 | 6.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 20 V | 600 mV a 200 mA | 5 µA a 20 V | 125ºC | 350mA | 50pF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
| BZD17C33P RTG | - | ![]() | 5801 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±6,06% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 mW | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 24 V | 33V | 15 Ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | GPA806HC0G | - | ![]() | 5012 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-2 | GPA806 | padrão | TO-220AC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 800V | 1,1 V a 8 A | 5 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | 8A | 50pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
| BZT52B3V0-G RHG | 0,0461 | ![]() | 1296 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOD-123 | BZT52B | 410 mW | SOD-123 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 10 µA a 1 V | 3V | 95 Ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | SS35 R7 | - | ![]() | 7386 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1801-SS35R7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 750 mV a 3 A | 500 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - |

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