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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Tolerância | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Potência - Máx. | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Velocidade | Configuração de diodo | Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) | Corrente - Média Retificada (Io) (por Diodo) | Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se | Tempo de recuperação reversa (trr) | Corrente - Vazamento reverso @ Vr | Temperatura Operacional - Junção | Corrente - Média Retificada (Io) | Capacitância @ Vr, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Máx.) | Tensão - Zener (Nom) (Vz) | Impedância (Máx.) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSS42L RWG | - | ![]() | 9366 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | 1005 (métrica 2512) | TSS42 | Schottky | 1005 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 4.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 30 V | 650 mV a 50 mA | 5 ns | 500 nA @ 25 V | -55°C ~ 125°C | 200mA | 10pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||
![]() | S2DALH | 0,0683 | ![]() | 1295 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-221AC, cabos planos SMA | padrão | SMA fino | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-S2DALHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 28.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,1 V a 2 A | 1 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 12pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | BZT52B10 RHG | 0,2700 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOD-123F | BZT52B | 500 mW | SOD-123F | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V a 10 mA | 180 nA a 7 V | 10V | 20 Ohms | |||||||||||||
![]() | BZY55C24 | 0,0350 | ![]() | 7884 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 0805 (métrica de 2012) | BZY55 | 500 mW | 0805 | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-BZY55C24TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V a 10 mA | 100 nA @ 18 V | 24V | 80 Ohms | |||||||||||||
![]() | 1N4148W RHG | 0,2000 | ![]() | 115 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123F | 1N4148 | padrão | SOD-123F | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100V | 1 V a 100 mA | 4 ns | 5 µA a 75 V | -65°C ~ 150°C | 150mA | 4pF a 0 V, 1 MHz | |||||||||||
| BZD17C62P RQG | - | ![]() | 9738 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±6,45% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 mW | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 47 V | 62 V | 80 Ohms | ||||||||||||||
![]() | KBL602G T0G | - | ![]() | 4342 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Bandeja | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | 4-SIP, KBL | padrão | KBL | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | KBL602GT0G | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V a 6 A | 10 µA a 100 V | 6A | Monofásico | 100V | |||||||||||||
![]() | HS3J V7G | - | ![]() | 9656 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | HS3J | padrão | DO-214AB (SMC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600 V | 75ns | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 50pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | SFF10L04GH | 0,4385 | ![]() | 9170 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do furo | TO-220-3 Pacote Completo, Guia Isolado | SFF10L04 | padrão | ITO-220AB | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-SFF10L04GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 200 V | 10A | 980 mV a 5 A | 35 ns | 10 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
![]() | BZT52C6V8 RHG | 0,0412 | ![]() | 5258 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SOD-123F | BZT52C | 500 mW | SOD-123F | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V a 10 mA | 1,8 µA a 4 V | 6,8 V | 15 Ohms | |||||||||||||
| SD101CW RHG | 0,0573 | ![]() | 9295 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123 | SD101 | Schottky | SOD-123 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade | 40 V | 900 mV a 15 mA | 1 ns | 200 nA @ 40 V | -65°C ~ 125°C | 15mA | 2,2 pF a 0 V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | BZS55C15 RXG | 0,0340 | ![]() | 3962 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 1206 (métrica 3216) | BZS55 | 500 mW | 1206 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V a 10 mA | 100 nA @ 11 V | 15V | 30 Ohms | |||||||||||||
![]() | SR205 A0G | - | ![]() | 6914 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Caixa (TB) | Ativo | Através do furo | DO-204AC, DO-15, Axial | SR205 | Schottky | DO-204AC (DO-15) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 700 mV a 2 A | 500 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 2A | - | ||||||||||||
| HDBLS104G | 0,3999 | ![]() | 5032 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | 4-SMD, asa de gaivota | HDBLS104 | padrão | DBLS | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,3 V a 1 A | 5 µA a 400 V | 1A | Monofásico | 400 V | ||||||||||||||
![]() | 1N4937G R1G | - | ![]() | 2700 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4937 | padrão | DO-204AL (DO-41) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,2 V a 1 A | 200 ns | 5 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 10pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | HER1605GH | 0,6029 | ![]() | 4922 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do furo | PARA-220-3 | padrão | PARA-220AB | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-HER1605GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 1 par de cátodo comum | 400 V | 16A | 1,3 V a 8 A | 50 ns | 10 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
![]() | BZX85C15 R0G | 0,0645 | ![]() | 7138 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | -65°C ~ 200°C (TJ) | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | BZX85 | 1,3W | DO-204AL (DO-41) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 10 mA | 500 nA @ 11 V | 15V | 15 Ohms | |||||||||||||
![]() | SRT110 A0G | - | ![]() | 5803 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Caixa (TB) | Ativo | Através do furo | T-18, Axial | SRT110 | Schottky | TS-1 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 100V | 800 mV por 1 A | 100 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 1A | - | ||||||||||||
![]() | BZX584B47 | 0,0379 | ![]() | 4022 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 mW | SOD-523F | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-BZX584B47TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 36 V | 47V | 170 Ohms | |||||||||||||
![]() | BZX585B24RKG | - | ![]() | 4170 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±2% | 150°C (TJ) | Montagem em superfície | SC-79, SOD-523 | BZX585B2 | 200 mW | SOD-523F | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 45 nA a 16,8 V | 24V | 70 Ohms | ||||||||||||||
![]() | GPAS1001 MNG | - | ![]() | 6713 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB | GPAS1001 | padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,1 V a 10 A | 5 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 10A | 50pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
| SS36LHRQG | - | ![]() | 1641 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-219AB | SS36 | Schottky | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 60 V | 750 mV a 3 A | 500 µA a 60 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | |||||||||||||
![]() | S5J | 0,2127 | ![]() | 1692 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | DO-214AB, SMC | S5J | padrão | DO-214AB (SMC) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,5µs | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 5A | 60pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
| ESH1C R3G | 0,5800 | ![]() | 363 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Montagem em superfície | DO-214AC, SMA | ESH1 | padrão | DO-214AC (SMA) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 150 V | 950 mV por 1 A | 15 ns | 1 µA a 150 V | -55°C ~ 175°C | 1A | 16pF @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
| TAPETE BZD27C75P | - | ![]() | 7271 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±6,04% | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montagem em superfície | DO-219AB | BZD27 | 1W | SubSMA | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V a 200 mA | 1 µA a 56 V | 74,5V | 100 Ohms | ||||||||||||||
| SS315LWHRVG | 0,1616 | ![]() | 3810 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | Montagem em superfície | SOD-123W | SS315 | Schottky | SOD-123W | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 150 V | 950 mV a 3 A | 10 µA a 150 V | -55°C ~ 150°C | 3A | - | |||||||||||||
![]() | 1N4744AHR1G | - | ![]() | 3262 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | ±5% | -55°C ~ 150°C (TJ) | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | 1N4744 | 1W | DO-204AL (DO-41) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA a 11,4 V | 15V | 14 ohms | ||||||||||||||
![]() | SR105HR0G | - | ![]() | 7171 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | Através do furo | DO-204AL, DO-41, Axial | SR105 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 50 V | 700 mV por 1 A | 500 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 1A | - | ||||||||||||
![]() | FR153GHB0G | - | ![]() | 6957 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do furo | DO-204AC, DO-15, Axial | FR153 | padrão | DO-204AC (DO-15) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,3 V a 1,5 A | 150 ns | 5 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 1,5A | 20pF @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | 1N5259B | 0,0271 | ![]() | 2877 | 0,00000000 | Corporação de Semicondutores de Taiwan | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | ±5% | 200°C (TJ) | Através do furo | DO-204AH, DO-35, Axial | 1N5259 | 500 mW | DO-35 | download | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1801-1N5259BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V a 200 mA | 100 nA @ 30 V | 39V | 80 Ohms |

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