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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
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![]() | UF4001HB0G | - | ![]() | 7263 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | UF4001 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
Rs1blhrtg | - | ![]() | 8067 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rs1b | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800mA | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4005G B0G | - | ![]() | 2276 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4005 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1 V @ 1 A | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4739G R0G | 0,0627 | ![]() | 1481 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4739 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA a 7 V | 9.1 v | 5 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
SS26LWH | 0,3900 | ![]() | 43 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | SS26 | Schottky | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 2 a | 200 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55C68 L0G | 0,0350 | ![]() | 6930 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 51 V | 68 v | 160 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR105G R1G | - | ![]() | 9006 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | FR105 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2M150Z B0G | - | ![]() | 6262 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2M150 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 Na @ 114 V | 150 v | 575 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFF1006GAHC0G | - | ![]() | 3749 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF1006 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 400 v | 10a (DC) | 1,3 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||
S15GLW RVG | 0,0867 | ![]() | 4830 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | S15G | Padrão | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1,5 A | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSZU52C3V3 | 0,0669 | ![]() | 7696 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 0603 (1608 Mética) | Tszu52 | 150 MW | 0603 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSZU52C3V3TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 20.000 | 900 mV a 10 mA | 25 µA @ 1 V | 3,3 v | 95 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C43P RTG | - | ![]() | 9736 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,97% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 33 V | 43 v | 45 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C39PHMHG | - | ![]() | 6005 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,12% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 30 V | 39 v | 40 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR420S R6 | - | ![]() | 1154 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-MUR420SR6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 875 mV @ 4 a | 25 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 65pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
SS16L M2G | - | ![]() | 6929 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS16 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 400 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C200P MHG | - | ![]() | 6227 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 150 V | 200 v | 750 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
1SMA5940H | 0,0995 | ![]() | 5491 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1SMA5940 | 1,5 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 500 Na @ 32,7 V | 43 v | 53 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S12MC R7G | - | ![]() | 3377 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S12M | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 12 A | 1 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | 78pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C36K RKG | 0,0474 | ![]() | 4651 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 Na @ 27 V | 36 v | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
BC547A B1G | - | ![]() | 5655 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | BC547 | 500 MW | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | - | 110 @ 2MA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MTZJ10SC R0G | 0.0305 | ![]() | 2201 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj10 | 500 MW | Do-34 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 200 Na @ 7 V | 9,95 v | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585B22 RKG | - | ![]() | 6660 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | BZX585B2 | 200 MW | SOD-523F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 45 Na @ 15,4 V | 22 v | 55 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
SK39A R3G | - | ![]() | 8956 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SK39 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 850 mv @ 3 a | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK110BHR5G | - | ![]() | 1963 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SK110 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mV @ 1 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
Tsm061na03cr rlg | - | ![]() | 7201 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM061 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 88a (TC) | 4.5V, 10V | 6.1mohm @ 16a, 10V | 2,5V a 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 1133 pf @ 15 V | - | 78W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SF18G R1G | - | ![]() | 7503 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SF18 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rs3j r6g | - | ![]() | 5439 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-RS3JR6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 3 A | 250 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF10200CTC0 | - | ![]() | 9163 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF1020 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 10a | 980 mV @ 10 A | 100 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM60NB380CH | 2.1663 | ![]() | 8075 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM60NB380CH | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | N-canal | 600 v | 9.5a (TC) | 10V | 380mohm @ 2.85a, 10V | 4V A 250µA | 19,4 NC @ 10 V | ± 30V | 795 pf @ 100 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | SRF1090HC0G | - | ![]() | 5824 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SRF1090 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 90 v | 10a | 900 mV @ 5 A | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. |
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