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Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET ATUAL - Hold (ih) (Máx) Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Estado Off - Off ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) Tensão - No Estado (VTM) (Max) ATUAL - Off State (Max) TIPO SCR Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
SS29L MHG Taiwan Semiconductor Corporation SS29L MHG -
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 ECAD 1806 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS29 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 90 v 850 mv @ 2 a 100 µA A 90 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
TSM1NB60CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CH C5G 0,7448
RFQ
 ECAD 1518 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA TSM1NB60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 600 v 1a (TC) 10V 10ohm @ 500mA, 10V 4.5V a 250µA 6.1 NC @ 10 V ± 30V 138 pf @ 25 V - 39W (TC)
BZT52B68-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B68-G 0,0461
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 ECAD 6694 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F BZT52B 410 MW SOD-123F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52B68-GTR Ear99 8541.10.0050 6.000 900 mV a 10 mA 45 Na @ 47,6 V 68 v 240 ohms
PU1JA Taiwan Semiconductor Corporation Pu1ja 0,0910
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 ECAD 9588 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Pu1j Padrão DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-PU1JATR Ear99 8541.10.0080 15.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,5 V @ 1 A 28 ns 1 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 17pf @ 4V, 1MHz
UDZS5V6B RRG Taiwan Semiconductor Corporation Udzs5v6b rrg -
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 ECAD 3648 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F Udzs5 200 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 Na @ 3 V 5,6 v 40 ohms
SFF1606GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1606GHC0G -
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 ECAD 7093 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SFF1606 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 8 A 35 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 16a 50pf @ 4V, 1MHz
BZD27C18P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C18P M2G -
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 ECAD 7088 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 13 V 17,95 v 15 ohms
BC337-25-B0 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-25-B0 A1 -
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 ECAD 9431 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW Parágrafo 92 - Alcançar Não Afetado 1801-BC337-25-B0A1TB Obsoleto 1 45 v 800 mA 100na (ICBO) Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 250 @ 100mA, 5V 100MHz
BZD27C100PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C100PHM2G -
RFQ
 ECAD 6186 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 75 V 100 v 200 ohms
TSM080NB03CR Taiwan Semiconductor Corporation TSM080NB03CR 0,5983
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 ECAD 3281 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn TSM080 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5x6) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM080NB03CRTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 30 v 14a (ta), 59a (tc) 4.5V, 10V 8mohm @ 14a, 10v 2,5V a 250µA 20 NC A 10 V ± 20V 1097 pf @ 15 V - 3.1W (TA), 55,6W (TC)
ES2F R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2F R5G -
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 ECAD 7306 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AA, SMB ES2F Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,3 V @ 2 A 35 ns 10 µA A 300 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 20pf @ 4V, 1MHz
SS22L M2G Taiwan Semiconductor Corporation SS22L M2G -
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 ECAD 2909 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS22 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 500 mv @ 2 a 400 µA A 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
1N4752G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4752G 0,0627
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 ECAD 4175 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4752 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N4752GTR Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 200 mA 5 µA a 25,1 V 33 v 45 ohms
ES2GFSH Taiwan Semiconductor Corporation Es2gfsh 0,1491
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 ECAD 2818 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 Padrão SOD-128 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-ES2GFSHTR Ear99 8541.10.0080 14.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 2 A 35 ns 1 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 27pf @ 4V, 1MHz
SRA16100 Taiwan Semiconductor Corporation SRA16100 -
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 ECAD 4456 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SRA16100 Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 920 mV @ 16 a 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 16a -
SS16L RTG Taiwan Semiconductor Corporation SS16L RTG -
RFQ
 ECAD 8388 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS16 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 400 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
RS3JHM6G Taiwan Semiconductor Corporation Rs3jhm6g -
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 ECAD 8198 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Rs3j Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 3 A 500 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
SRAF1060HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1060HC0G -
RFQ
 ECAD 4466 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 SRAF1060 Schottky ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mv @ 10 a 500 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
MCR100-4 A1G Taiwan Semiconductor Corporation MCR100-4 A1G -
RFQ
 ECAD 7454 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads MCR100 Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.30.0080 4.000 5 MA 200 v 800 mA 800 mv 10a @ 60Hz 200 µA 1,7 V. 10 µA Portão sensível
SS39 V7G Taiwan Semiconductor Corporation SS39 V7G -
RFQ
 ECAD 3160 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC SS39 Schottky DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 90 v 100 µA A 90 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
TSPB15U100S S2G Taiwan Semiconductor Corporation TSPB15U100S S2G 0,6216
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 ECAD 2353 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN TSPB15 Schottky SMPC4.0 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 6.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 700 mV @ 15 a 250 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 15a -
BZD27C68P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C68P RHG -
RFQ
 ECAD 1219 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA @ 51 V 68 v 80 ohms
MBRF2060 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2060 C0G -
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 ECAD 1862 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 MBRF2060 Schottky ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 820 mV @ 20 A 200 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 20a -
SRA20150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA20150HC0G -
RFQ
 ECAD 3826 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 SRA20150 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 1,02 V @ 20 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 20a -
BZD27C27PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27PHRUG 0,2933
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 ECAD 8368 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 7,03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1,2 V @ 200 mA 1 µA a 20 V 27 v 15 ohms
GBPC4008 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC4008 T0G -
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 ECAD 3139 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Bandeja Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4-Quadrado, GBPC40 GBPC4008 Padrão GBPC40 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 100 1,1 V @ 20 A 10 µA a 800 V 40 a Fase Única 800 v
BZD27C43P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C43P TAP 0,2753
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 ECAD 6777 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1,2 V @ 200 mA 1 µA @ 33 V 43 v 45 ohms
SFF505GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF505GHC0G -
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 ECAD 3679 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SFF505 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,3 V @ 2,5 A 35 ns 10 µA A 300 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 50pf @ 4V, 1MHz
TSM170N06CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM170N06CP 0,9529
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 ECAD 6628 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM170 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM170N06CPTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 60 v 38a (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 20a, 10V 2,5V a 250µA 15 NC a 4,5 V ± 20V 900 pf @ 25 V - 46W (TC)
BZV55C11 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C11 0,0333
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 ECAD 3107 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 BZV55C 500 MW Mini Mell download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZV55C11TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 10 Ma 100 Na @ 8,2 V 11 v 20 ohms
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