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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4738G | 0,0627 | ![]() | 8377 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4738 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-1N4738GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA a 6 V | 8.2 v | 4,5 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzs5v6b | 0,0354 | ![]() | 1587 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | Udzs5v6 | 200 MW | SOD-323F | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-UDZS5V6BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 Na @ 3 V | 5,6 v | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFF1008GAH | 0,5934 | ![]() | 3389 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF1008 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SFF1008GAH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 600 v | 10a | 1,7 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR16100PTH | - | ![]() | 9293 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-247-3 | SR16100 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 16a | 900 mV @ 8 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS3G M6G | - | ![]() | 1278 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | HS3G | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZY55B18 RYG | 0,0486 | ![]() | 6820 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 0805 (2012 Mética) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 13 V | 18 v | 50 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZS55C2V7 RXG | 0,0340 | ![]() | 7209 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 1206 (3216 Mética) | BZS55 | 500 MW | 1206 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 10 µA A 1 V | 2,7 v | 85 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM60N750CH C5G | - | ![]() | 5304 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.875 | N-canal | 600 v | 6a (TC) | 10V | 750mohm @ 3a, 10V | 4V A 250µA | 10,8 nc @ 10 V | ± 30V | 554 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4734G | 0,0627 | ![]() | 2933 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4734 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-1N4734GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA @ 2 V | 5,6 v | 5 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMA4739 | 0,0649 | ![]() | 2292 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1 w | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-1SMA4739TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µA @ 7 V | 9.1 v | 5 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C13P MTG | - | ![]() | 2528 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,53% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 2 µA A 10 V | 13 v | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bas85-l0 l1g | - | ![]() | 1901 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | Schottky | Mini Mell | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Bas85-l0l1g | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 30 v | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | 125 ° C (Máximo) | 200Ma | 10pf @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3B M6G | - | ![]() | 2237 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S3b | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,15 V @ 3 A | 1,5 µs | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5262B | 0,0277 | ![]() | 8028 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 200 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N5262 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-1N5262BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 39 V | 51 v | 125 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C47 | 0,0794 | ![]() | 6644 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-AZ23C47TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par ânodo comum | 100 Na @ 35 V | 47 v | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4762A B0G | - | ![]() | 8195 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4762 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 5 µA A 62,2 V | 82 v | 200 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR207G A0G | - | ![]() | 6858 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Fr207 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 2 A | 500 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2M130ZHB0G | - | ![]() | 4436 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2M130 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 Na @ 98,8 V | 130 v | 400 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337-40-B0 A1G | - | ![]() | 2104 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | 625 MW | Parágrafo 92 | download | Alcançar Não Afetado | 1801-BC337-40-B0A1GTB | Obsoleto | 1 | 45 v | 800 mA | 100na (ICBO) | Npn | 700mv @ 50Ma, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
1PGSMA4759 | 0.1086 | ![]() | 5165 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1PGSMA4759 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 47,1 V | 62 v | 125 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB495D | 0,0912 | ![]() | 6797 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Schottky | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-RB495DTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 25 v | 350mA | 550 mV a 200 mA | 70 µA A 25 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzs5v1b | 0,0354 | ![]() | 5708 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | Udzs5v1 | 200 MW | SOD-323F | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-UDZS5V1BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,8 µA @ 2 V | 5.1 v | 60 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER205G | 0,1247 | ![]() | 5392 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | HER205 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 2 A | 50 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 35pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF41GHA0G | - | ![]() | 6340 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF41 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 4 a | 35 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 100pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF26G | 0.1159 | ![]() | 2405 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | SF26 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 2 A | 35 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRF20150H | 1.0323 | ![]() | 8428 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SRF20150 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SRF20150H | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 20a | 1,02 V @ 10 A | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
S1M | 0,3700 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | S1M | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1 A | 1,5 µs | 1 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZY55C5V6 RYG | 0,0350 | ![]() | 5995 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 0805 (2012 Mética) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 1 V | 5,6 v | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C220PW | 0,1092 | ![]() | 1168 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123W | BZD27 | 1 w | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA A 160 V | 220 v | 900 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C160PHRUG | - | ![]() | 3987 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,55% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 120 V | 162 v | 350 ohms |
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