SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
SRS10100 Taiwan Semiconductor Corporation SRS10100 0,6690
RFQ
ECAD 7947 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab SRS10100 Schottky TO-263AB (D2PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SRS10100TR Ear99 8541.10.0080 1.600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 10a 900 mV @ 5 A 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
RSFAL MTG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfal mtg -
RFQ
ECAD 3181 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB Rsfal Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,3 V @ 500 mA 150 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 500mA 4pf @ 4V, 1MHz
BZT55B8V2 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B8V2 L1G -
RFQ
ECAD 5705 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 BZT55 500 MW Mini Mell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 Na @ 6,2 V 8.2 v 7 ohms
BZD17C51P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C51P RHG -
RFQ
ECAD 9437 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD17 800 MW Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 39 V 51 v 60 ohms
SK84C R7G Taiwan Semiconductor Corporation SK84C R7G -
RFQ
ECAD 1599 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC SK84 Schottky DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 8 a 500 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 8a -
SRT15HA1G Taiwan Semiconductor Corporation SRT15HA1G -
RFQ
ECAD 3891 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Descontinuado no sic Através do buraco T-18, axial SRT15 Schottky TS-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 500 µA A 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
BZX85C16 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C16 A0G -
RFQ
ECAD 1442 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 10 Ma 500 Na @ 12 V 16 v 15 ohms
RS3MB-T Taiwan Semiconductor Corporation RS3MB-T 0,4700
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB Rs3m Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,3 V @ 3 A 500 ns 5 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 50pf @ 4V, 1MHz
SS19LHMQG Taiwan Semiconductor Corporation SS19LHMQG -
RFQ
ECAD 1816 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS19 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 90 v 800 mv @ 1 a 50 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
SF48G Taiwan Semiconductor Corporation SF48G 0,2748
RFQ
ECAD 6868 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial SF48 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 4 a 35 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a 80pf @ 4V, 1MHz
HER602G R0G Taiwan Semiconductor Corporation HER602G R0G -
RFQ
ECAD 6354 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Através do buraco R-6, axial HER602 Padrão R-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 6 A 50 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a 80pf @ 4V, 1MHz
TSI30H120CW Taiwan Semiconductor Corporation TSI30H120CW -
RFQ
ECAD 8922 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Obsoleto Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA TSI30 Schottky I2pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 120 v 15a 840 mV @ 15 A 250 µA A 120 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BZX55B6V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B6V2 0.0304
RFQ
ECAD 5499 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX55 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX55B6V2TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 100 Ma 100 Na @ 2 V 6.2 v 10 ohms
1N4745G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4745G R0G 0,0627
RFQ
ECAD 3252 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4745 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 200 mA 5 µA A 12,2 V 16 v 16 ohms
BZX55B8V2 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B8V2 A0G -
RFQ
ECAD 9372 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX55 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1 V @ 100 Ma 100 Na @ 6,2 V 8.2 v 7 ohms
MBRF10H100CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10H100CTH 0,7277
RFQ
ECAD 9290 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBRF10 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBRF10H100CTH Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 10a 950 mV @ 10 A 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 175 ° C.
MBRS10150CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRS10150CT-Y 0.4119
RFQ
ECAD 3266 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRS10150 Schottky TO-263AB (D2PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBRS10150CT-YTR Ear99 8541.10.0080 1.600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 10a 980 mV @ 10 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
KBL403G T0G Taiwan Semiconductor Corporation KBL403G T0G -
RFQ
ECAD 9101 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Bandeja Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbl Padrão Kbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado KBL403GT0G Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 4 A 10 µA A 200 V 4 a Fase Única 200 v
SF2003G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2003G C0G -
RFQ
ECAD 7790 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SF2003 Padrão TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 975 mV @ 10 A 35 ns 5 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 20a 80pf @ 4V, 1MHz
MBR25150CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR25150CT-Y 0,8541
RFQ
ECAD 8652 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 MBR25150 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBR25150CT-Y Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 25a 1,02 V @ 25 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BC549A A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC549A A1G -
RFQ
ECAD 7750 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads BC549 500 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 4.000 30 v 100 ma 15na (ICBO) Npn - 110 @ 2MA, 5V -
SF2007PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2007PTHC0G -
RFQ
ECAD 2064 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-247-3 SF2007 Padrão TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,9 V @ 20 A 35 ns 10 µA A 500 V -55 ° C ~ 150 ° C. 20a 175pf @ 4V, 1MHz
BZD27C150PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150PHRVG -
RFQ
ECAD 5443 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 110 V 147 v 300 ohms
BZS55B5V6 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B5V6 RXG -
RFQ
ECAD 1738 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 1206 (3216 Mética) BZS55 500 MW 1206 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 10 Ma 100 Na @ 1 V 5,6 v 30 ohms
1N5401G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5401G B0G -
RFQ
ECAD 1227 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Ativo Através do buraco Do-201D, axial 1N5401 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,1 V @ 3 A 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 25pf @ 4V, 1MHz
MTZJ2V0SB Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj2v0sb 0.0305
RFQ
ECAD 4228 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AG, DO-34, axial Mtzj2 500 MW Do-34 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MTZJ2V0SBTR Ear99 8541.10.0050 10.000 120 µA A 500 mV 2.11 v 100 ohms
BZD17C62P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C62P TAP -
RFQ
ECAD 6828 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD17 800 MW Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1,2 V @ 200 mA 1 µA @ 47 V 62 v 80 ohms
TSM042N03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS RLG 1.8300
RFQ
ECAD 16 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) TSM042 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-SOP download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 30a (TC) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 12a, 10V 2,5V a 250µA 24 NC a 4,5 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 7W (TC)
6A05G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05G -
RFQ
ECAD 3543 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco R-6, axial Padrão R-6 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-6A05GTR Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,1 V @ 6 A 10 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a 60pf @ 4V, 1MHz
MBRF15150CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF15150CTH 0,8694
RFQ
ECAD 6362 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBRF15150 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBRF15150Cth Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 15a 950 mV @ 15 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque