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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
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BZD17C100P RTG | - | ![]() | 4876 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 75 V | 100 v | 200 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4751G | 0,0627 | ![]() | 2447 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4751 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-1N4751GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 22,8 V | 30 v | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C13PHRVG | - | ![]() | 5606 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,41% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 2 µA A 10 V | 13,25 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C180P RQG | - | ![]() | 8441 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,38% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 130 V | 180 v | 450 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM080N03PQ56 | 0,5916 | ![]() | 3960 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM080 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM080N03PQ56TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 30 v | 14a (ta), 73a (tc) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 14a, 10v | 2,5V a 250µA | 14,4 nc @ 10 V | ± 20V | 843 pf @ 15 V | - | 2.6W (TA), 69W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR320S M6 | - | ![]() | 3660 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-MUR320SM6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 875 mv @ 3 a | 25 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS36 R6G | - | ![]() | 9442 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SS36R6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mv @ 3 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
GBL203 D2G | - | ![]() | 6323 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, gbl | GBL203 | Padrão | Gbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 V @ 2 A | 5 µA A 200 V | 2 a | Fase Única | 200 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS6P05G C2G | - | ![]() | 9053 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS6P05 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 6 A | 10 µA A 600 V | 6 a | Fase Única | 600 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS2545Cth | 0.9105 | ![]() | 5624 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS2545 | Schottky | TO-263AB (D2PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRS2545CTHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.600 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 25a | 820 mV @ 25 A | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
Rs2dfsh | 0,0690 | ![]() | 1024 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | Padrão | SOD-128 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-rs2dfshtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 28.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 2 A | 150 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 11pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3B R7G | - | ![]() | 4042 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S3b | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,15 V @ 3 A | 1,5 µs | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-40 | 0,0435 | ![]() | 1172 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC807 | 300 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BC807-40TR | Ear99 | 8541.21.0075 | 6.000 | 45 v | 500 MA | 100na (ICBO) | Pnp | 700mv @ 50Ma, 500mA | 250 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS40P06G C2G | - | ![]() | 7331 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS40P06 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 20 A | 10 µA a 800 V | 40 a | Fase Única | 800 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55B5V6 L1G | - | ![]() | 2769 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 1 V | 5,6 v | 25 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sbs25hreg | - | ![]() | 2477 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | SBS25 | Padrão | Abs | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 500 mv @ 2 a | 100 µA a 50 V | 2 a | Fase Única | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C47-G | 0,0424 | ![]() | 2882 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZT52C47-GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V @ 10 Ma | 45 Na @ 33 V | 47 v | 170 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2M82ZH | 0,1667 | ![]() | 2415 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2m82 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.500 | 500 Na @ 62,2 V | 82 v | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM035NB04LCZ | 1.6825 | ![]() | 7136 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | TSM035 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM035NB04LCZ | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 40 v | 18a (ta), 157a (tc) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 18a, 10V | 2,5V a 250µA | 111 nc @ 10 V | ± 20V | 6350 pf @ 20 V | - | 2W (TA), 156W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SS25 | - | ![]() | 3197 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SS25TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 400 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
DBLS156GH | 0,3192 | ![]() | 6934 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DBLS156 | Padrão | Dbls | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,1 V @ 1,5 A | 2 µA A 800 V | 1.5 a | Fase Única | 800 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UR3KB80 | 0,5154 | ![]() | 9270 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 -SIP | UR3KB | Padrão | D3K | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 V @ 2 A | 10 µA a 800 V | 3 a | Fase Única | 800 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS40P07GH | 1.5366 | ![]() | 2340 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS40P07 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 20 A | 10 µA A 1000 V | 40 a | Fase Única | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KTC3198-Y-M0 A2G | - | ![]() | 5263 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | 500 MW | Parágrafo 92 | download | Alcançar Não Afetado | 1801-KTC3198-Y-M0A2GTB | Obsoleto | 1 | 50 v | 150 MA | 100na (ICBO) | Npn | 250mv @ 10ma, 100mA | 120 @ 150mA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM22P10CZ C0G | - | ![]() | 8487 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | TSM22P10CZC0G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P. | 100 v | 22a (TC) | 4.5V, 10V | 140mohm @ 20a, 10V | 3V A 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 25V | 2250 pf @ 30 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzs7v5b | 0,0354 | ![]() | 1588 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | Udzs7v5 | 200 MW | SOD-323F | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-UDZS7V5BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 Na @ 4 V | 7,5 v | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C5V6 RFG | 0,0511 | ![]() | 4893 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 300 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 1 µA @ 2 V | 5,6 v | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS15P06G C2G | - | ![]() | 8381 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS15P06 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 15 A | 10 µA a 800 V | 15 a | Fase Única | 800 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM340N06CH X0G | 1.8500 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 Leads de Stub, Ipak | TSM340 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 v | 30a (TC) | 4.5V, 10V | 34mohm @ 15a, 10V | 2,5V a 250µA | 16,6 nc @ 10 V | ± 20V | 1180 pf @ 30 V | - | 66W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | UF4007HB0G | - | ![]() | 2414 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | UF4007 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz |
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