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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
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ES1HL MHG | - | ![]() | 6752 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | ES1H | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
SS29L MHG | - | ![]() | 1806 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS29 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 850 mv @ 2 a | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||
BZD27C16PHR3G | 0,2933 | ![]() | 5517 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,55% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 12 V | 16,2 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZY55C24 RYG | 0,0350 | ![]() | 4526 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 0805 (2012 Mética) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 18 V | 24 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR2045PTH | - | ![]() | 4001 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-247-3 | MBR2045 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 20a | 840 mV @ 20 A | 100 µA A 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SRA1050H | - | ![]() | 2549 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Schottky | TO-220AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SRA1050H | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 10 a | 500 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||||||||||||||||||||||||
ES1DV R3G | - | ![]() | 8908 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | ES1D | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 920 mV @ 1 a | 15 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5362HR7G | - | ![]() | 5235 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | 1pgsmc | 5 w | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 Na @ 21,2 V | 28 v | 6 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 6A10G B0G | - | ![]() | 7879 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | R-6, axial | 6A10 | Padrão | R-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 6 A | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55C51 | 0,0350 | ![]() | 5402 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Variante SOD-80 | 500 MW | Qmmelf | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZT55C51TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 38 V | 51 v | 125 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
TSC966CT B0G | - | ![]() | 9524 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 1 w | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 400 v | 300 mA | 1µA | Npn | 1V @ 5MA, 50MA | 100 @ 1MA, 5V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||
BZD27C56PHRQG | - | ![]() | 7004 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 7,14% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 43 V | 56 v | 60 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMB5944HR5G | - | ![]() | 7318 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | 1PGSMB5944 | 3 w | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA a 47,1 V | 62 v | 100 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4749G R0G | 0,0627 | ![]() | 4752 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4749 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 18,2 V | 24 v | 25 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS3J R7 | - | ![]() | 7789 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-HS3JR7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
BYG21M | 0,0948 | ![]() | 2184 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BYG21 | Avalanche | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,6 V @ 1,5 A | 120 ns | 1 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 13pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SK82CHM6G | - | ![]() | 1609 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SK82 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 550 mV @ 8 a | 500 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 8a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRAD1060H | 0,8200 | ![]() | 7764 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MBRAD1060 | Schottky | Thindpak | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 800 mv @ 10 a | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 397pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ht14g a0g | - | ![]() | 8457 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | HT14 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SR306HA0G | - | ![]() | 9175 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SR306 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 3 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3DV R6 | - | ![]() | 1276 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-ES3DVR6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM250N02DCQ RFG | 1.0100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-VDFN PAD EXPOSTO | TSM250 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 620MW (TC) | 6-tdfn (2x2) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 5.8a (TC) | 25mohm @ 4a, 4.5V | 800mV A 250µA | 11nc @ 4.5V | 775pf @ 10V | Padrão | ||||||||||||||||||||||
![]() | MUR460S V7G | - | ![]() | 9917 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Mur460 | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,25 V @ 4 a | 50 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 65pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
BZD17C18P RQG | - | ![]() | 1465 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,38% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 13 V | 18 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
S1BL MHG | - | ![]() | 6223 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S1b | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HS5M R7 | - | ![]() | 3534 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-HS5MR7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 5 A | 75 ns | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
S1JLHRTG | - | ![]() | 4405 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S1J | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
HS1M R3G | - | ![]() | 3229 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | HS1M | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
SS1H20LS | 0,5100 | ![]() | 70 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123H | SS1H20 | Schottky | Sod-123He | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 850 mV @ 1 a | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tpmr6j | 0,2799 | ![]() | 9394 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Tpmr6 | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TPMR6JTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,8 V @ 6 A | 40 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 60pf @ 4V, 1MHz |
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