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Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
SR005 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR005 B0G -
RFQ
 ECAD 7279 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial SR005 Schottky DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 700 mV @ 500 mA 500 µA A 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 500mA 80pf @ 4V, 1MHz
SS12L MTG Taiwan Semiconductor Corporation SS12L MTG -
RFQ
 ECAD 6171 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS12 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 450 mv @ 1 a 400 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a -
TS4148 Taiwan Semiconductor Corporation TS4148 0,0273
RFQ
 ECAD 5853 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo TS4148 - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TS4148TR Ear99 8541.10.0070 15.000
TQM070NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM070NB04CR RLG 3.0100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície, Flanco Molhado 8-PowerTdfn TQM070 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-PDFNU (5x6) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 v 15a (ta), 75a (tc) 7V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 3,8V a 250µA 42 NC @ 10 V ± 20V 3125 pf @ 20 V - 3.1W (TA), 83W (TC)
BZX84C3V0 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C3V0 RFG 0,3400
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 10 µA A 1 V 3 v 95 ohms
RS3K M6G Taiwan Semiconductor Corporation Rs3k m6g -
RFQ
 ECAD 3978 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC RS3K Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,3 V @ 3 A 500 ns 10 µA a 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
HER302G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER302G A0G -
RFQ
 ECAD 3079 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-201D, axial HER302 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 3 A 50 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 60pf @ 4V, 1MHz
SS215LHMQG Taiwan Semiconductor Corporation SS215LHMQG -
RFQ
 ECAD 9304 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS215 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 950 mV @ 2 a 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
BZD27C27PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27PHRUG 0,2933
RFQ
 ECAD 8368 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 7,03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1,2 V @ 200 mA 1 µA a 20 V 27 v 15 ohms
F1T7GHA1G Taiwan Semiconductor Corporation F1T7GHA1G -
RFQ
 ECAD 7424 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco T-18, axial F1T7 Padrão TS-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,3 V @ 1 a 500 ns 5 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
1N4743G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4743G A0G -
RFQ
 ECAD 2360 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4743 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 5 µA a 42,6 V 13 v 110 ohms
TSM5NC50CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM5NC50CF C0G 1.1466
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 ECAD 9875 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 TSM5 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Ito-220s download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 500 v 5a (TC) 10V 1.38OHM @ 1.7A, 10V 4.5V a 250µA 15 nc @ 10 V ± 30V 586 pf @ 50 V - 40W (TC)
BZD17C120P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C120P RQG -
RFQ
 ECAD 3069 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD17 800 MW Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA @ 91 V 120 v 300 ohms
TSG65N110CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSG65N110CE RVG 15.8300
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 ECAD 9450 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation * Tape & Reel (TR) Ativo TSG65 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 3.000
BZS55C10 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C10 RXG 0,0340
RFQ
 ECAD 1745 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 1206 (3216 Mética) BZS55 500 MW 1206 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 10 Ma 100 Na @ 7,5 V 10 v 15 ohms
1SMA160Z R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA160Z R3G -
RFQ
 ECAD 6064 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AC, SMA 1SMA160 1,25 w DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1 µA A 121,6 V 160 v 1100 ohms
BZD27C13PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13PHMTG -
RFQ
 ECAD 6916 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 2 µA A 10 V 13,25 v 10 ohms
SS12LHMTG Taiwan Semiconductor Corporation SS12LHMTG -
RFQ
 ECAD 5479 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS12 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 450 mv @ 1 a 400 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a -
SS36LHRFG Taiwan Semiconductor Corporation SS36LHRFG -
RFQ
 ECAD 8063 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS36 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 750 mv @ 3 a 500 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
BZD27C18PWH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C18PWH 0,5400
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123W BZD27 1 w SOD-123W download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 200 mA 1 µA A 13 V 18 v 15 ohms
S4K R7G Taiwan Semiconductor Corporation S4K R7G -
RFQ
 ECAD 6000 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC S4K Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,15 V @ 4 A 10 µA a 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a 60pf @ 4V, 1MHz
1PGSMB5941H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5941H 0,1798
RFQ
 ECAD 5880 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AA, SMB 3 w DO-214AA (SMB) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1 µA A 35,8 V 47 v 67 ohms
1PGSMA150Z R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA150Z R3G -
RFQ
 ECAD 2998 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AC, SMA 1PGSMA150 1,25 w DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 114 V 150 v 1000 ohms
BZT52B3V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V6 0,0412
RFQ
 ECAD 1770 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F BZT52B 500 MW SOD-123F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52B3V6TR Ear99 8541.10.0050 6.000 1 V @ 10 Ma 4,5 µA a 1 V 3,6 v 90 ohms
BZT52C43S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C43S 0,0357
RFQ
 ECAD 5919 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52C43STR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 10 Ma 45 Na @ 30,1 V 43 v 150 ohms
BZD27C150PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150PHMTG -
RFQ
 ECAD 7284 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 110 V 147 v 300 ohms
BZX55C15 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C15 A0G -
RFQ
 ECAD 2518 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX55 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1 V @ 100 Ma 100 Na @ 11 V 15 v 30 ohms
UGF1606GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF1606GHC0G -
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 ECAD 6503 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada UGF1606 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 400 v 16a 1,25 V @ 8 a 25 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 175 ° C.
MTZJ4V7SC R0G Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj4v7sc r0g 0.0305
RFQ
 ECAD 1942 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AG, DO-34, axial Mtzj4 500 MW Do-34 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 5 µA @ 1 V 4.81 v 80 ohms
1N4005GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4005GHB0G -
RFQ
 ECAD 5916 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4005 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1 V @ 1 A 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
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