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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) @ 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SF1606G | 0,6461 | ![]() | 2075 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SF1606 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 8 A | 35 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | 3A100 | 0,0977 | ![]() | 1282 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 3A100 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 3 A | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 27pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | Pu1blwh | 0,4000 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | Padrão | SOD-123W | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 930 mV @ 1 a | 25 ns | 2 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 19pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | RS3M R7 | - | ![]() | 5948 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-RS3MR7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 3 A | 500 ns | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||||||||||||||||||
BZD27C15P MHG | - | ![]() | 7257 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,12% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 11 V | 14,7 v | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | HERF1006GH | 0,6155 | ![]() | 1092 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-HERF1006GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 10a | 1,7 V @ 5 A | 80 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||
![]() | SRS10100H | 0,7126 | ![]() | 3978 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SRS10100 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 10a | 900 mV @ 5 A | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||
![]() | SK59C | 0,4455 | ![]() | 6450 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SK59CTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 850 mv @ 5 a | 300 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | HT12G A1G | - | ![]() | 4504 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Descontinuado no sic | Através do buraco | T-18, axial | HT12 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | Esh3d | 0,2139 | ![]() | 8515 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Esh3 | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 20 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRF1060 C0G | - | ![]() | 4188 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | MBRF106 | Schottky | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 800 mv @ 10 a | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||||||||||||||||||||
Rs1jlsh | 0,0672 | ![]() | 4405 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123H | Padrão | Sod-123He | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-rs1jlshtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1,2 A | 300 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.2a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | SFF1001GAHC0G | - | ![]() | 6905 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF1001 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 50 v | 10a (DC) | 975 mV @ 5 A | 35 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||
SS215L MTG | - | ![]() | 4359 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS215 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 2 a | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | S4B R7G | - | ![]() | 8716 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S4b | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,15 V @ 4 A | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C47 RHG | 0,2700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 45 Na @ 33 V | 47 v | 170 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZS55B3V3 PANO | - | ![]() | 9903 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 1206 (3216 Mética) | BZS55 | 500 MW | 1206 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-BZS55B3V3RAGTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 3,3 v | 85 ohms | |||||||||||||||||||||
Tapete SS115L | 0,2625 | ![]() | 6549 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS115 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 900 mV @ 1 a | 50 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||||||||||||||||||||
HS1FL MHG | - | ![]() | 9964 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | HS1F | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
Rs1mfs | 0,0528 | ![]() | 7830 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | Rs1m | Padrão | SOD-128 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 7pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
Tapete Hs1ml | - | ![]() | 5139 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | HS1M | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | S1DLW | 0,0524 | ![]() | 6330 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | Padrão | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-S1DLWTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
BZT52C10-G | 0,0449 | ![]() | 3510 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZT52C10-GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 900 mV a 10 mA | 200 Na @ 7 V | 10 v | 20 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | TSM680P06CZ C0G | - | ![]() | 4105 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | TSM680P06CZC0G | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P. | 60 v | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 68mohm @ 6a, 10V | 2.2V A 250µA | 16,4 nc @ 10 V | ± 20V | 870 pf @ 30 V | - | 42W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | SR1090H | - | ![]() | 8098 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SR1090 | Schottky | TO-220AB | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SR1090H | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 90 v | 10a (DC) | 850 mv @ 5 a | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||
![]() | BZV55B7V5 L1G | - | ![]() | 5073 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZV55B | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 5 V | 7,5 v | 7 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C47 L1G | - | ![]() | 6885 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZV55C | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 35 V | 47 v | 110 ohms | ||||||||||||||||||||||
SS115LSH | 0,4400 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123H | SS115 | Schottky | Sod-123He | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 900 mV @ 1 a | 50 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2M91Z B0G | - | ![]() | 5307 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2m91 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 Na @ 69,2 V | 91 v | 125 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | SRA16100 | - | ![]() | 4456 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SRA16100 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 920 mV @ 16 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - |
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