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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) @ 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
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BYG21M | 0,0948 | ![]() | 2184 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | BYG21 | Avalanche | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,6 V @ 1,5 A | 120 ns | 1 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 13pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRAD1060H | 0,8200 | ![]() | 7764 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MBRAD1060 | Schottky | Thindpak | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 800 mv @ 10 a | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 397pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM250N02DCQ RFG | 1.0100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-VDFN PAD EXPOSTO | TSM250 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 620MW (TC) | 6-tdfn (2x2) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 5.8a (TC) | 25mohm @ 4a, 4.5V | 800mV A 250µA | 11nc @ 4.5V | 775pf @ 10V | Padrão | ||||||||||||||||||||||
![]() | MUR460S V7G | - | ![]() | 9917 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Mur460 | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,25 V @ 4 a | 50 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 65pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
BZD17C18P RQG | - | ![]() | 1465 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,38% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 13 V | 18 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
S1BL MHG | - | ![]() | 6223 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S1b | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HS5M R7 | - | ![]() | 3534 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-HS5MR7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 5 A | 75 ns | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF10100CTHC0G | - | ![]() | 5973 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF10100 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 10a | 950 mV @ 10 A | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SK510CH | 0.2111 | ![]() | 2078 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mv @ 5 a | 300 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||
BZD17C39P RVG | - | ![]() | 1570 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,12% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 30 V | 39 v | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | F1T5G | 0,0679 | ![]() | 6678 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | F1T5 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55B30 | 0,0357 | ![]() | 3993 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZV55B | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZV55B30TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 22 V | 30 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
BZD27C27P M2G | - | ![]() | 5818 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 7,03% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 20 V | 27 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF3035CTHC0G | - | ![]() | 3377 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF3035 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 35 v | 30a | 820 mV @ 30 A | 200 µA A 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||
Rs1bl Mtg | - | ![]() | 7269 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rs1b | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800mA | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BC549C A1 | - | ![]() | 1777 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | 500 MW | Parágrafo 92 | download | Alcançar Não Afetado | 1801-BC549CA1TB | Obsoleto | 1 | 30 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | - | 420 @ 2MA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Es1ah | 0,2565 | ![]() | 1044 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-ES1AlHtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SR805 A0G | - | ![]() | 5449 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SR805 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 8 a | 500 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | |||||||||||||||||||||||||
S1dlhrug | 0,1708 | ![]() | 6879 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S1D | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SR220HB0G | - | ![]() | 6283 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | SR220 | Schottky | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 2 a | 100 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV19 | 0,0315 | ![]() | 5881 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BAV19 | Padrão | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BAV19TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 120 v | 1,25 V @ 200 mA | 100 Na @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 200Ma | 5pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF30200CT | 1.2993 | ![]() | 6589 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF30200 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 30a | 1,05 V @ 30 A | 200 µA a 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF2007GHC0G | - | ![]() | 9554 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | SFAF2007 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,7 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | 150pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
BZY55B2V4 | 0,0486 | ![]() | 1447 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 0805 (2012 Mética) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZY55B2V4TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2,4 v | 85 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
Rs1g r3g | 0,5500 | ![]() | 264 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Rs1g | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5236B | 0,0433 | ![]() | 6485 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123F | MMSZ5236 | 500 MW | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MMSZ5236BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 900 mV a 10 mA | 3 µA a 6 V | 7,5 v | 6 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR1503HA0G | - | ![]() | 1216 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | R-6, axial | SR1503 | Schottky | R-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 700 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 15 A | 500 µA A 30 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Puad8bh | 0,9100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Puad8 | Padrão | Thindpak | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 8 A | 25 ns | 2 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 101pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
BZD17C33P MTG | - | ![]() | 1587 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,06% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 24 V | 33 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
SK29A M2G | - | ![]() | 2140 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SK29 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 850 mv @ 2 a | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - |
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