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Produtos Semicondutores Discretos (15635)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZD27C91P RHG | - |  | 4434 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,07% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 68 V | 90,5 v | 200 ohms | |||||||||||||||||||||
 | EABS1G | 0,3498 | | 8393 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | EABS1 | Padrão | Abs | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,2 V @ 1 A | 1 µA A 400 V | 1 a | Fase Única | 400 v | |||||||||||||||||||||
| EABS1GH | 0,3912 | | 9995 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | EABS1 | Padrão | Abs | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,2 V @ 1 A | 1 µA A 400 V | 1 a | Fase Única | 400 v | |||||||||||||||||||||
 | 2A05GH | 0,0760 | | 2319 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2A05 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1 V @ 2 A | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
| 2m14z | 0,1565 | | 7396 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2m14 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.500 | 500 Na @ 10,6 V | 14 v | 5,5 ohms | ||||||||||||||||||||||
 | TS10K60 | 1.4500 | | 500 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, gbl | TS10K60 | Padrão | TS4K | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 A | 10 µA A 600 V | 10 a | Fase Única | 600 v | |||||||||||||||||||||
 | TS6KL60 | 0,4998 | | 7059 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, kbjl | TS6KL60 | Padrão | KBJL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1,05 V @ 3 A | 5 µA A 600 V | 6 a | Fase Única | 600 v | |||||||||||||||||||||
 | TSM170N06CH C5G | 2.2200 | | 29 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM170 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 v | 38a (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 28,5 NC a 10 V | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 46W (TC) | |||||||||||||||
| SBS25 | 1.3600 | | 6 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | SBS25 | Padrão | Abs | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 500 mv @ 2 a | 100 µA a 50 V | 2 a | Fase Única | 50 v | |||||||||||||||||||||
 | SF64G | 0,8300 | | 346 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF64 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 975 mV @ 6 a | 35 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 100pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
 | TSM3N80CP ROG | - | | 8040 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM3N80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 800 v | 3a (TC) | 10V | 4.2OHM @ 1.5A, 10V | 4V A 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 696 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | |||||||||||||||
 | TSM4NC60CI C0G | - | | 3023 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | ITO-220AB | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 4a (TC) | 10V | 2.5Ohm @ 1.3a, 10V | 4V A 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 30V | 654 pf @ 50 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||
 | 1SMA4750 R3G | - | | 1465 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1SMA4750 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1 µA a 20,6 V | 27 v | 35 ohms | ||||||||||||||||||||||
| ABS20M | 0,5400 | | 50 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | ABS20 | Padrão | Abs | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,1 V @ 2 A | 5 µA A 1000 V | 2 a | Fase Única | 1 kv | |||||||||||||||||||||
| BZD27C22P R3G | 0,6300 | | 6 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 16 V | 22.05 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||
| BZD27C39P RVG | 0,0980 | | 5341 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 30 V | 39 v | 40 ohms | |||||||||||||||||||||
| BZD27C7V5P RVG | - | | 8414 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 50 µA @ 3 V | 7.45 v | 2 ohms | |||||||||||||||||||||
| Rabs15m Reg | 0,2435 | | 3517 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | Rabs15 | Padrão | ABS-L | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1 V @ 1,5 A | 1 µA A 1000 V | 1.5 a | Fase Única | 1 kv | |||||||||||||||||||||
 | Rmb6s | 0,6300 | | 170 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-BSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | Rmb6 | Padrão | Mbs | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 V @ 2 A | 5 µA A 600 V | 800 mA | Fase Única | 600 v | |||||||||||||||||||||
 | D2SB80 | 0,9000 | | 8 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, gbl | D2SB80 | Padrão | Gbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1.1 V @ 15 A | 10 µA a 800 V | 2 a | Fase Única | 800 v | |||||||||||||||||||||
| DBLS104G | 0,6600 | | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DBLS104 | Padrão | Dbls | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,1 V @ 1 A | 2 µA A 400 V | 1 a | Fase Única | 400 v | |||||||||||||||||||||
| DBLS203G | 1.0200 | | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DBLS203 | Padrão | Dbls | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,15 V @ 2 A | 2 µA a 200 V | 2 a | Fase Única | 200 v | |||||||||||||||||||||
 | GBU1006 | 0,7872 | | 3026 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU1006 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 15 A | 5 µA A 800 V | 10 a | Fase Única | 800 v | |||||||||||||||||||||
| GBU805 | 0.7104 | | 8523 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU805 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 A | 5 µA A 600 V | 8 a | Fase Única | 600 v | |||||||||||||||||||||
| GBU806 | 1.4500 | | 650 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU806 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 A | 5 µA A 800 V | 8 a | Fase Única | 800 v | |||||||||||||||||||||
 | BZV55B68 L0G | 0,0357 | | 5316 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZV55B | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 51 V | 68 v | 160 ohms | |||||||||||||||||||||
| BZV55C22 L0G | 0,0333 | | 5062 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZV55C | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 16 V | 22 v | 55 ohms | |||||||||||||||||||||
| BZV55C4V3 L0G | 0,0333 | | 7215 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZV55C | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 Ma | 1 µA a 1 V | 4.3 v | 75 ohms | |||||||||||||||||||||
| 2M24ZH | 0,1667 | | 4669 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2m24 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.500 | 500 Na @ 18,2 V | 24 v | 13 ohms | ||||||||||||||||||||||
 | 1PGSMC5362 R7G | - | | 7206 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | 1pgsmc | 5 w | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 Na @ 21,2 V | 28 v | 6 ohms |
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