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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
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![]() | BZX79B6V2 | 0.0305 | ![]() | 8635 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX79 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZX79B6V2TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 100 Ma | 4 ma @ 3 V | 6.2 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||
![]() | Murf1620Cth | 0,7629 | ![]() | 3208 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MURF1620 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MURF1620CTH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 16a | 975 mV @ 8 a | 25 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||
![]() | TSM1NB60CW RPG | 1.5200 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | TSM1NB60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-223 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 v | 1a (TC) | 10V | 10ohm @ 500mA, 10V | 4.5V a 250µA | 6.1 NC @ 10 V | ± 30V | 138 pf @ 25 V | - | 39W (TC) | ||||||||||||||||
SS24LHRUG | - | ![]() | 8528 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS24 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mv @ 2 a | 400 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | HER106G A0G | 0,5600 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | HER106 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | S2GFL | 0,0817 | ![]() | 8199 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | Padrão | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-S2GFLTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 2 A | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | S4A M6 | - | ![]() | 8255 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-S4am6tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,15 V @ 4 A | 1,5 µs | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | HT15G A1G | - | ![]() | 9550 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Descontinuado no sic | Através do buraco | T-18, axial | HT15 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | Bas70-04 | 0,0453 | ![]() | 1605 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bas70 | Padrão | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BAS70-04TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 6.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 70 v | 70mA | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 Na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||||||||
![]() | SS36 R6 | - | ![]() | 1494 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SS36R6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mv @ 3 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | Rs1jal | 0,4800 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | Rs1j | Padrão | SMA FINA | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 7pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | UGF2005G | 1.4200 | ![]() | 895 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | UGF2005 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 20a | 1,25 V @ 10 A | 20 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||
SS29L M2G | - | ![]() | 5984 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS29 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 850 mv @ 2 a | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | S4K R6 | - | ![]() | 5372 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-S4KR6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,15 V @ 4 A | 1,5 µs | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
BZD27C68PHRTG | - | ![]() | 1967 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 51 V | 68 v | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | SFF1007GAHC0G | - | ![]() | 4099 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF1007 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 500 v | 10a (DC) | 1,7 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||
![]() | S15JC | 0,2997 | ![]() | 9393 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1.1 V @ 15 A | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | 93pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | TUAU4GH | 0,2466 | ![]() | 9702 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | TUAU4 | Padrão | SMPC4.6U | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TUAU4GHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 4 a | 50 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 62pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | TSM60NB600CP ROG | 3.3600 | ![]() | 6944 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 v | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.1a, 10V | 4V A 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 516 PF @ 100 V | - | 63W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | SF1606G | 0,6461 | ![]() | 2075 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SF1606 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 8 A | 35 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | 3A100 | 0,0977 | ![]() | 1282 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 3A100 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 3 A | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 27pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
BZD27C15P MHG | - | ![]() | 7257 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,12% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 11 V | 14,7 v | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | SK59C | 0,4455 | ![]() | 6450 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SK59CTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 850 mv @ 5 a | 300 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | Esh3d | 0,2139 | ![]() | 8515 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Esh3 | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 20 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRF1060 C0G | - | ![]() | 4188 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | MBRF106 | Schottky | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 800 mv @ 10 a | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||||||||||||||||||||
Rs1jlsh | 0,0672 | ![]() | 4405 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123H | Padrão | Sod-123He | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-rs1jlshtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1,2 A | 300 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.2a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | SFF1001GAHC0G | - | ![]() | 6905 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF1001 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par ânodo comum | 50 v | 10a (DC) | 975 mV @ 5 A | 35 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||
SS215L MTG | - | ![]() | 4359 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS215 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 2 a | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZS55B3V3 PANO | - | ![]() | 9903 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 1206 (3216 Mética) | BZS55 | 500 MW | 1206 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-BZS55B3V3RAGTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 3,3 v | 85 ohms | |||||||||||||||||||||
Tapete SS115L | 0,2625 | ![]() | 6549 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS115 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 900 mV @ 1 a | 50 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - |
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