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Produtos Semicondutores Discretos (15635)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2m18z a0g | - |  | 9746 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2m18 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 Na @ 13,7 V | 18 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | FR301G B0G | - | | 4716 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | FR301 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 3 A | 150 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | BC850CW RFG | 0,0368 | | 3245 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | BC850 | 200 MW | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 v | 100 ma | 100na (ICBO) | Npn | 600mV @ 5Ma, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | BZS55B13 RXG | - | | 4077 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 1206 (3216 Mética) | BZS55 | 500 MW | 1206 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 10 V | 13 v | 26 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SS25LHR3G | 0,3210 | | 9743 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS25 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 400 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Esh3c | 0,2139 | | 5177 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Esh3 | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 20 ns | 5 µA A 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | HS2JA R3G | 0,6400 | | 20 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | HS2J | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 1,5 A | 75 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C62P M2G | - | | 9982 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47 V | 62 v | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
| S8GCH | 0.2111 | | 1683 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 985 mV @ 8 a | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 48pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | S1JFS MWG | 0,4300 | | 17 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | S1J | Padrão | SOD-128 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| SS32HM6G | - | | 7392 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SS32 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mv @ 3 a | 500 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| RB706F-40 | 0,0523 | | 1891 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | Schottky | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-RB706F-40TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 6.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | CONEXÃO DE 1 SÉRIE DA SÉRIE | 40 v | 30Ma | 370 mV @ 1 Ma | 1 µA A 10 V | 125 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
| Mtzj2v4sb | 0.0305 | | 3269 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj2 | 500 MW | Do-34 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MTZJ2V4SBTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 120 µA @ 1 V | 2,4 v | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MUR190AH | - | | 3002 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Padrão | DO-204AL (DO-41) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-MUR190AHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 900 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 900 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | SR010 B0G | - | | 2628 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SR010 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mV a 500 mA | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 65pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| Rs1bhm2g | - | | 4747 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Rs1b | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
| Mtzj39sa | 0.0305 | | 8715 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj39 | 500 MW | Do-34 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MTZJ39SATR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 200 Na @ 30 V | 35,58 v | 85 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | HERAF801G C0G | - | | 6694 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | HERAF801 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | TSM70N380CP ROG | 6.6600 | | 14 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 700 v | 11a (TC) | 10V | 380mohm @ 3.3a, 10V | 4V A 250µA | 18,8 nc @ 10 V | ± 30V | 981 pf @ 100 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | BZD27C30PWH | 0,1787 | | 8097 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123W | BZD27 | 1 w | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA A 22 V | 30 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C43PHRVG | 0.1043 | | 5327 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,97% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 33 V | 43 v | 45 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1SMA5931H | 0,0995 | | 4336 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1SMA5931 | 1,5 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 500 Na @ 13,7 V | 18 v | 12 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PGSMB5933H | 0,1798 | | 9391 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | 3 w | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA A 16,7 V | 22 v | 17,5 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52C12 RHG | 0,2700 | | 1114 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 90 Na @ 8 V | 12 v | 25 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
| S1dlHr3g | - | | 4095 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S1D | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
| Hs1ml | 0,4800 | | 8 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | HS1M | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | SF1603PTHC0G | - | | 6756 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | SF1603 | Padrão | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 8 A | 35 ns | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 85pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
| SR315HB0G | - | | 8922 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SR315 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 850 mv @ 3 a | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5395G | 0,0712 | | 6739 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 1N5395 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1 V @ 1,5 A | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX584B3V9 | 0,0790 | | 3063 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZX584B3V9TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 900 mV a 10 mA | 3 µA @ 1 V | 3,9 v | 90 ohms |
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