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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
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![]() | LL4148 L1G | 0,2000 | ![]() | 80 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | LL4148 | Padrão | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1 V @ 50 Ma | 54 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 150mA | 4pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
BZD27C12PHRFG | - | ![]() | 4905 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,39% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 3 µA A 9,1 V | 12.05 v | 7 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5234B A0G | - | ![]() | 7514 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 5% | 100 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N5234 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,1 V @ 200 mA | 5 µA A 4 V | 6.2 v | 7 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
BC550C B1G | - | ![]() | 6081 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | BC550 | 500 MW | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | - | 420 @ 2MA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
BZT52B4V3-G | 0,0461 | ![]() | 7268 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZT52B4V3-GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 900 mV a 10 mA | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55C39 L1G | - | ![]() | 5875 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZV55C | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 28 V | 39 v | 90 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54CD Reg | - | ![]() | 5772 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BAT54 | Schottky | SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 2 par cátodo comum | 30 v | 200Ma (DC) | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA A 25 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||
S1AlHM2G | - | ![]() | 1495 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S1A | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B6V8S RRG | - | ![]() | 5746 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 1,8 µA a 4 V | 6,8 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
1SMA5953 R3G | - | ![]() | 1562 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1SMA5953 | 1,5 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 500 Na @ 114 V | 150 v | 600 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZT52B5V6-G RHG | 0,0461 | ![]() | 3122 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 1 µA @ 2 V | 5,6 v | 40 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR30100PT | 1.6215 | ![]() | 4417 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | MBR30100 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 30a | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
BC338-40 B1G | - | ![]() | 8302 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | BC338 | 625 MW | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 25 v | 800 mA | 100na (ICBO) | Npn | 700mv @ 50Ma, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF15GHA0G | - | ![]() | 1429 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SF15 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF801G C0G | - | ![]() | 2838 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SF801 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 70pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM089N08LCR | 2.1142 | ![]() | 5536 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM089 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM089N08LCRTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 80 v | 12a (ta), 67a (tc) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 12a, 10V | 2,5V a 250µA | 90 nc @ 10 V | ± 20V | 6119 pf @ 40 V | - | 2.6W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Sft15g | 0.1095 | ![]() | 5971 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | SFT15 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5930HR5G | - | ![]() | 9061 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | 1SMB5930 | 3 w | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA A 12,2 V | 16 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C8V2 | 0,0412 | ![]() | 7852 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZT52C8V2TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V @ 10 Ma | 630 Na @ 5 V | 8.2 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRS10150H | 0,7126 | ![]() | 8039 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SRS10150 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 10a | 1 V @ 5 A | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR502 B0G | - | ![]() | 3711 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | Do-201D, axial | SR502 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 550 mV @ 5 A | 500 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
S1DL RTG | - | ![]() | 7417 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S1D | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR104G B0G | - | ![]() | 4774 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | FR104 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR010HB0G | - | ![]() | 7051 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Descontinuado no sic | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SR010 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mV a 500 mA | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 65pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55B30 L0G | 0,0357 | ![]() | 5434 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZV55B | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 22 V | 30 v | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C24 A0G | - | ![]() | 7578 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 18 V | 24 v | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
1PGSMA4743HR3G | - | ![]() | 1275 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1PGSMA4743 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 9,9 V | 13 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR160AHR1G | - | ![]() | 2387 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | MUR160 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,25 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 27pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK33B R5G | - | ![]() | 7108 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SK33 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mv @ 3 a | 500 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4736G | 0,0627 | ![]() | 6477 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4736 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-1N4736GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA A 4 V | 6,8 v | 3,5 ohms |
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