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Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
SS15LHMQG Taiwan Semiconductor Corporation SS15LHMQG -
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 ECAD 7036 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS15 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 400 µA A 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
BZT52B6V8 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B6V8 0,0412
RFQ
 ECAD 3943 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F BZT52B 500 MW SOD-123F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52B6V8TR Ear99 8541.10.0050 6.000 1 V @ 10 Ma 1,8 µA a 4 V 6,8 v 15 ohms
SR310HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR310HA0G -
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 ECAD 4652 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-201D, axial SR310 Schottky Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mv @ 3 a 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
SS36L M2G Taiwan Semiconductor Corporation SS36L M2G -
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 ECAD 6967 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS36 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 750 mv @ 3 a 500 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
BZT52B3V3S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V3S RRG -
RFQ
 ECAD 8600 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 4,5 µA a 1 V 3,3 v 95 ohms
ES1AL RFG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL RFG -
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 ECAD 2176 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB ES1A Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 1 a 35 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 1V, 1MHz
BZX55B6V8 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B6V8 A0G -
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 ECAD 9988 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX55 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1 V @ 100 Ma 100 Na @ 3 V 6,8 v 8 ohms
TSI10H120CW Taiwan Semiconductor Corporation TSI10H120CW -
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 ECAD 3659 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Obsoleto Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA TSI10 Schottky I2pak download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 120 v 5a 790 mV @ 5 A 100 µA A 120 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SFAF1603G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1603G C0G -
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 ECAD 7065 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 SFAF1603 Padrão ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 975 mV @ 16 a 35 ns 10 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 16a 130pf @ 4V, 1MHz
BZD17C200P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C200P RVG 0,5250
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 ECAD 2023 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD17 800 MW Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 150 V 200 v 750 ohms
TSF30H150C Taiwan Semiconductor Corporation TSF30H150C 1.3110
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 ECAD 3112 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSF30 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 15a 900 mV @ 15 A 150 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
F1T6GHA1G Taiwan Semiconductor Corporation F1T6GHA1G -
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 ECAD 6503 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco T-18, axial F1T6 Padrão TS-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,3 V @ 1 a 500 ns 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
MBRS15150CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS15150CT Mng -
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 ECAD 9556 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRS15150 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 15a 950 mV @ 7.5 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MBS4 Taiwan Semiconductor Corporation MBS4 0,5000
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 ECAD 2 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-BSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) MBS4 Padrão Mbs download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 1 V @ 2 A 5 µA A 400 V 800 mA Fase Única 400 v
SS310LHRQG Taiwan Semiconductor Corporation SS310LHRQG -
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 ECAD 9604 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS310 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mv @ 3 a 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
SSL33HM6G Taiwan Semiconductor Corporation SSL33HM6G -
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 ECAD 7565 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC SSL33 Schottky DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 410 mV @ 3 a 200 µA a 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 3a -
UF1BHB0G Taiwan Semiconductor Corporation Uf1bhb0g -
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 ECAD 8025 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Uf1b Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 17pf @ 4V, 1MHz
MTZJ8V2SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj8v2sb r0g 0.0308
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 ECAD 4943 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AG, DO-34, axial Mtzj8 500 MW Do-34 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 500 Na @ 5 V 7,99 v 20 ohms
TSF20H100C-S Taiwan Semiconductor Corporation TSF20H100C-S 1.0686
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 ECAD 8536 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSF20 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 790 mV @ 10 A 150 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
TSM60NC390CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC390CH C5G 5.5100
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 ECAD 15 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA TSM60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 600 v 11a (TC) 10V 390mohm @ 3.8a, 10V 5V @ 1MA 21,4 NC a 10 V ± 20V 818 pf @ 100 V - 125W (TC)
SS16LW Taiwan Semiconductor Corporation SS16LW 0,4700
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123W SS16 Schottky SOD-123W download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 100 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
BA157GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation BA157GHA0G -
RFQ
 ECAD 2954 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial BA157 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,2 V @ 1 A 150 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
1N5822HB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5822HB0G -
RFQ
 ECAD 6249 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Através do buraco Do-201D, axial 1N5822 Schottky Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 525 mV @ 3 a 500 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 3a 200pf @ 4V, 1MHz
SFAF1001GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1001GHC0G -
RFQ
 ECAD 3727 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 SFAF1001 Padrão ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 975 mV @ 10 A 35 ns 10 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 170pf @ 4V, 1MHz
HS5G R6G Taiwan Semiconductor Corporation HS5G R6G -
RFQ
 ECAD 2284 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-HS5GR6GTR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 5 A 50 ns 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 80pf @ 4V, 1MHz
BZD17C16P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C16P RHG -
RFQ
 ECAD 4278 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5.625% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD17 800 MW Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 12 V 16 v 15 ohms
BZT55B3V0 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B3V0 L0G 0,0385
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 ECAD 7253 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 BZT55 500 MW Mini Mell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 10 Ma 4 µA A 1 V 3 v 85 ohms
SF21G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF21G B0G -
RFQ
 ECAD 7525 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Descontinuado no sic Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial SF21 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 2 a 35 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 40pf @ 4V, 1MHz
BZD27C75P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C75P RFG -
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 ECAD 1554 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA @ 56 V 74,5 v 100 ohms
HS1GL RFG Taiwan Semiconductor Corporation HS1GL RFG -
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 ECAD 1724 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB HS1G Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 1 a 50 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
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