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Produtos Semicondutores Discretos (15635)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZD27C150P MTG | - |  | 5844 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,12% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 110 V | 147 v | 300 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | BC549A B1G | - | | 6458 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | BC549 | 500 MW | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 30 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | - | 110 @ 2MA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||
 | Es3dvhm6g | - | | 2512 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | ES3D | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | SK52CH | - | | 3878 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SK52CHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 550 mV @ 5 A | 500 µA A 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||
| BZD17C68P M2G | - | | 9507 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 51 V | 68 v | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | Tsm024na04lcr rlg | 1.5500 | | 27 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | TSM024 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pdfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 170A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 25a, 10V | 2,5V a 250µA | 67 nc @ 10 V | ± 20V | 4224 PF @ 20 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||
| BZD27C12PHRTG | - | | 6610 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,39% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 3 µA A 9,1 V | 12.05 v | 7 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C180P MTG | - | | 4378 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,4% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 130 V | 179,5 v | 450 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | F1T3GHR0G | - | | 5660 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Através do buraco | T-18, axial | F1T3 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | 1PGSMA4764H | 0.1156 | | 6742 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1PGSMA4764 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 76 V | 100 v | 350 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
| UG06A A1G | - | | 8184 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | UG06 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 950 mV @ 600 mA | 15 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 600mA | 9pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | BZV55B10 L1G | - | | 6853 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZV55B | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 7,5 V | 10 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52C3V3-G RHG | 0,0445 | | 2502 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,3 v | 95 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | ZM4747A L0G | 0.0830 | | 4615 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | ZM4747 | 1 w | Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA A 15,2 V | 20 v | 22 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| Mtzj6v8sc | 0.0305 | | 1630 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj6 | 500 MW | Do-34 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-mtzj6v8sctr | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 2 µA A 3,5 V | 6,8 v | 20 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 1SMB5928HR5G | - | | 9804 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | 1SMB5928 | 3 w | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA A 9,9 V | 13 v | 7 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4002GHR1G | - | | 1130 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4002 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| ES3C V7G | - | | 9611 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | ES3C | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 35 ns | 10 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| BZD17C68P RVG | - | | 1610 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,88% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 51 V | 68 v | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
| BZX79B43 | 0.0305 | | 8015 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX79 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZX79B43TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 100 Ma | 30,1 mA a 50 mV | 43 v | 150 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
| HS3G M6G | - | | 1278 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | HS3G | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
| 1t1g r0g | - | | 3678 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Através do buraco | T-18, axial | 1t1g | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2A02G A0G | - | | 7630 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2A02 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 2 A | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| S3BH | - | | 7228 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-S3bhtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,15 V @ 3 A | 1,5 µs | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | BZT52B51S | 0,0385 | | 3533 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZT52B51STR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 Ma | 45 Na @ 35,7 V | 51 v | 180 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
| BZD27C43P RQG | - | | 7916 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,97% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 33 V | 43 v | 45 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | S2JAL | 0,4800 | | 6 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | S2J | Padrão | SMA FINA | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 2 A | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 12pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| BZT52C5V1-G | 0,0445 | | 8166 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZT52C5V1-GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 900 mV a 10 mA | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | BAV21WS-G | 0,0334 | | 6306 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | BAV21 | Padrão | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BAV21WS-GTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 200 v | 1,25 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 200Ma | 5pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
| BZV55B6V2 | 0,0504 | | 3991 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZV55B | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZV55B6V2TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 2 V | 6.2 v | 10 ohms |
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