SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
RS1KL MTG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1kl mtg -
RFQ
ECAD 4047 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB Rs1k Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,3 V @ 800 mA 500 ns 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 800mA 10pf @ 4V, 1MHz
BZY55C22 Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C22 0,0350
RFQ
ECAD 1720 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 0805 (2012 Mética) Bzy55 500 MW 0805 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZY55C22TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 10 Ma 100 Na @ 16 V 22 v 55 ohms
SRT13 R0G Taiwan Semiconductor Corporation Srt13 r0g -
RFQ
ECAD 5028 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Através do buraco T-18, axial SRT13 Schottky TS-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 500 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a -
BZX79B43 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B43 A0G -
RFQ
ECAD 1361 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX79 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 100 Ma 30,1 mA a 50 mV 43 v 150 ohms
TSM60NB380CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB380CP 2.2100
RFQ
ECAD 7950 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM60NB380CPTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 600 v 9.5a (TC) 10V 380mohm @ 2.85a, 10V 4V A 250µA 19,4 NC @ 10 V ± 30V 795 pf @ 100 V - 83W (TC)
1PGSMB5926H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5926H 0,1798
RFQ
ECAD 8293 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AA, SMB 3 w DO-214AA (SMB) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1 µA a 8,4 V 11 v 5,5 ohms
AZ23C47 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C47 0,0794
RFQ
ECAD 6644 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-AZ23C47TR Ear99 8541.10.0050 3.000 1 par ânodo comum 100 Na @ 35 V 47 v 100 ohms
BZD27C7V5PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5PHMQG -
RFQ
ECAD 8485 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 50 µA @ 3 V 7.45 v 2 ohms
SR102 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SR102 R0G -
RFQ
ECAD 3866 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Através do buraco Do-204al, DO-41, axial SR102 Schottky DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 550 mV @ 1 a 500 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a -
1N4001GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001GHR0G -
RFQ
ECAD 9167 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4001 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1 V @ 1 A 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
SR1020HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1020HC0G -
RFQ
ECAD 3160 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 SR1020 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 550 mV @ 5 A 500 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 10a -
1N5223B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5223B 0,0271
RFQ
ECAD 5416 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 100 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5223 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N5223BTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 mA 75 µA @ 1 V 2,7 v 30 ohms
RSFAL Taiwan Semiconductor Corporation Rsfal 0,5100
RFQ
ECAD 189 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB Rsfal Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,3 V @ 500 mA 150 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 500mA 4pf @ 4V, 1MHz
1PGSMC5349 M6G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5349 M6G -
RFQ
ECAD 5078 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-1PGSMC5349M6GTR Ear99 8541.10.0050 3.000 2 µA A 9,1 V 12 v 3 ohms
FR306G Taiwan Semiconductor Corporation FR306G 0,1731
RFQ
ECAD 1909 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial FR306 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,3 V @ 3 A 500 ns 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 30pf @ 4V, 1MHz
S1M-26R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1M-26R3G -
RFQ
ECAD 7907 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA S1M-26 Padrão DO-214AC (SMA) - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,1 V @ 1 A 1,5 µs 1 µA A 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 12pf @ 4V, 1MHz
BZS55C10 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C10 RXG 0,0340
RFQ
ECAD 1745 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 1206 (3216 Mética) BZS55 500 MW 1206 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 10 Ma 100 Na @ 7,5 V 10 v 15 ohms
SSL33 Taiwan Semiconductor Corporation SSL33 0,3150
RFQ
ECAD 1372 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC SSL33 Schottky DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 200 µA a 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 3a -
RS3A M6G Taiwan Semiconductor Corporation Rs3a m6g -
RFQ
ECAD 8537 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Rs3a Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,3 V @ 3 A 150 ns 10 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
ZM4741A Taiwan Semiconductor Corporation ZM4741A 0.0830
RFQ
ECAD 3455 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície Do-213ab, Mell ZM4741 1 w Mell download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-ZM4741ATR Ear99 8541.10.0050 5.000 5 µA a 8,4 V 11 v 8 ohms
SRT14 R0G Taiwan Semiconductor Corporation Srt14 r0g 0,0579
RFQ
ECAD 2756 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco T-18, axial SRT14 Schottky TS-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 500 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a -
S1DL M2G Taiwan Semiconductor Corporation S1DL M2G -
RFQ
ECAD 9017 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB S1D Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 1 A 1,8 µs 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 9pf @ 4V, 1MHz
BZT52B43S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B43S RRG -
RFQ
ECAD 4262 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 45 Na @ 30,1 V 43 v 150 ohms
S3D R6 Taiwan Semiconductor Corporation S3D R6 -
RFQ
ECAD 5975 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-S3DR6TR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,15 V @ 3 A 1,5 µs 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 60pf @ 4V, 1MHz
BC857B RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC857B RFG 0,0343
RFQ
ECAD 8797 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 200 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 45 v 100 ma 100na (ICBO) Pnp 650mv @ 5Ma, 100mA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
BZY55B7V5 Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B7V5 0,0413
RFQ
ECAD 8273 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 0805 (2012 Mética) Bzy55 500 MW 0805 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZY55B7V5TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 10 Ma 100 Na @ 5 V 7,5 v 7 ohms
TSM60N1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N1R4CP ROG 0,4523
RFQ
ECAD 4261 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 v 3.3a ​​(TC) 10V 1.4OHM @ 2A, 10V 4V A 250µA 7,7 nc @ 10 V ± 30V 370 pf @ 100 V - 38W (TC)
BZD27C47PWH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47PWH 0.1191
RFQ
ECAD 5907 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123W BZD27 1 w SOD-123W download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 200 mA 1 µA A 36 V 47 v 45 ohms
S12GC R6 Taiwan Semiconductor Corporation S12GC R6 -
RFQ
ECAD 6881 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-S12GCR6TR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 12 A 1 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 12a 78pf @ 4V, 1MHz
BZX55C43 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C43 A0G -
RFQ
ECAD 6468 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX55 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1 V @ 100 Ma 100 Na @ 32 V 43 v 90 ohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque