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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | TIPO DE FET | ATUAL - Hold (ih) (Máx) | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Tensão - Estado Off - Off | ATUAL - SEM ESTADO (IT (RMS)) (Max) | Tensão - Gatilho de Porta (VGT) (MAX) | Corrente - Não Rep. Surge 50, 60Hz (ITSM) | Corrente - Gatilho de Portão (IGT) (max) | Tensão - No Estado (VTM) (Max) | ATUAL - Off State (Max) | TIPO SCR | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
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![]() | MCR100-6 A1G | - | ![]() | 5660 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | MCR100 | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.30.0080 | 4.000 | 5 MA | 400 v | 800 mA | 800 mv | 10a @ 60Hz | 200 µA | 1,7 V. | 10 µA | Portão sensível | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C27P RFG | - | ![]() | 2072 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 7,03% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 20 V | 27 v | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3F R6 | - | ![]() | 1492 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-ES3fr6tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,3 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM2NB60CH | 0,8512 | ![]() | 3314 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM2 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM2NB60CH | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | N-canal | 600 v | 2a (TC) | 10V | 4.4OHM @ 1A, 10V | 4.5V a 250µA | 9,4 NC a 10 V | ± 30V | 249 pf @ 25 V | - | 44W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR1503HA0G | - | ![]() | 1216 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | R-6, axial | SR1503 | Schottky | R-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 700 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 15 A | 500 µA A 30 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Tapete SS14L | 0.1965 | ![]() | 6429 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS14 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV @ 1 a | 400 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ES1DV R3G | - | ![]() | 8908 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | ES1D | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 920 mV @ 1 a | 15 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSA884CX RFG | 0,1683 | ![]() | 9610 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSA884 | 300 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 500 v | 150 MA | 100na (ICBO) | Pnp | 500mv @ 10ma, 50mA | 150 @ 1MA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SS13L MTG | - | ![]() | 9457 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS13 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mV @ 1 a | 400 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55B8V2 A0G | - | ![]() | 9372 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 6,2 V | 8.2 v | 7 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF36G A0G | 0,3380 | ![]() | 7895 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF36 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 3 A | 35 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4764AH | 0.1188 | ![]() | 1208 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4764 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA @ 76 V | 100 v | 350 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C160P R3G | - | ![]() | 1536 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,55% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 120 V | 162 v | 350 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRAF560 | - | ![]() | 5076 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | Schottky | ITO-220AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SRAF560 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 5 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B75 | 0,0453 | ![]() | 4128 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZT52B75TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 900 mV a 10 mA | 45 Na @ 52,5 V | 75 v | 255 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1KBH | 0,0964 | ![]() | 9424 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | S1K | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1JF-T | 0,0958 | ![]() | 4838 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | Padrão | SMAF | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-ES1JF-TTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 7pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1dal | 0,4200 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | S1D | Padrão | SMA FINA | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55C4V7 L0G | 0,0350 | ![]() | 1784 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 Ma | 500 Na @ 1 V | 4,7 v | 60 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Hs1dl rfg | - | ![]() | 9025 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Hs1d | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSF40L60C | - | ![]() | 9470 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSF40 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 20a | 630 mV @ 20 A | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SS16LHMQG | - | ![]() | 2111 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS16 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 400 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM4N60ECP ROG | 1.1500 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM4N60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 v | 4a (TC) | 10V | 2.5OHM @ 2A, 10V | 5V A 250µA | 12 nc @ 10 V | ± 30V | 545 pf @ 25 V | - | 86.2W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55B3V6 L1G | - | ![]() | 5425 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZT55 | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 3,6 v | 85 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR302G A0G | - | ![]() | 1681 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | FR302 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,3 V @ 3 A | 150 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C13 | 0,0786 | ![]() | 3833 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-AZ23C13TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par ânodo comum | 100 Na @ 10 V | 13 v | 25 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF45G | 0,2688 | ![]() | 1911 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF45 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,3 V @ 4 a | 35 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Esh3dfsh | 0,5100 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | Padrão | SOD-128 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 3 a | 25 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 42pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5953 R5G | - | ![]() | 4953 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | 1SMB5953 | 3 w | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA A 114 V | 150 v | 600 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C62P TAP | - | ![]() | 6828 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47 V | 62 v | 80 ohms |
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