SIC
close

Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
MBRF2545CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2545Cth 1.0053
RFQ
 ECAD 2027 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBRF2545 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBRF2545Cth Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 25a 750 mV @ 25 A 2 mA a 45 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BZD27C8V2PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C8V2PHRVG -
RFQ
 ECAD 1491 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 10 µA A 3 V 8.2 v 2 ohms
GBPC5008 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC5008 T0G -
RFQ
 ECAD 4796 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Bandeja Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal de QC 4-Quadrado, GBPC40 GBPC5008 Padrão GBPC40 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 25 A 10 µA a 800 V 50 a Fase Única 800 v
SR4050PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR4050PTHC0G -
RFQ
 ECAD 1087 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 SR4050 Schottky TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 50 v 40A 700 mV @ 20 A 1 mA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BZV55B62 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B62 0,0357
RFQ
 ECAD 7992 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 BZV55B 500 MW Mini Mell download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZV55B62TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 100 Ma 100 Na @ 47 V 62 v 150 ohms
TS6P07G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P07G 1.6200
RFQ
 ECAD 9685 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P Padrão TS-6P - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-TS6P07G Ear99 8541.10.0080 1.200 1,1 V @ 6 A 10 µA A 1000 V 6 a Fase Única 1 kv
ES1BFSH Taiwan Semiconductor Corporation Es1bfsh 0.1131
RFQ
 ECAD 5391 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 Padrão SOD-128 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-ES1BFSHTR Ear99 8541.10.0080 14.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 950 mV @ 1 a 35 ns 1 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 18pf @ 4V, 1MHz
TSM13N50ACI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM13N50ACI C0G -
RFQ
 ECAD 2469 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MOSFET (ÓXIDO DE METAL) ITO-220AB - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 500 v 13a (TC) 10V 480mohm @ 6.5a, 10V 4V A 250µA 31 NC @ 10 V ± 30V 1965 pf @ 25 V - 52W (TC)
BZV55B51 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B51 L0G 0,0357
RFQ
 ECAD 6949 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 BZV55B 500 MW Mini Mell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 100 Ma 100 Na @ 38 V 51 v 125 ohms
BC338-16-B0 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-16-B0 A1 -
RFQ
 ECAD 2005 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads 625 MW Parágrafo 92 - Alcançar Não Afetado 1801-BC338-16-B0A1TB Obsoleto 1 25 v 800 mA 100na (ICBO) Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 250 @ 100mA, 5V 100MHz
SRS1660 Taiwan Semiconductor Corporation SRS1660 0,7722
RFQ
 ECAD 5845 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab SRS1660 Schottky TO-263AB (D2PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SRS1660TR Ear99 8541.10.0080 1.600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 16a 700 mv @ 8 a 500 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N4448WS Taiwan Semiconductor Corporation 1N4448WS 0,0279
RFQ
 ECAD 7189 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F 1N4448 Padrão SOD-323F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N4448WSTR Ear99 8541.10.0080 9.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C. 150mA 4pf @ 0V, 1MHz
SF31G Taiwan Semiconductor Corporation SF31G -
RFQ
 ECAD 4045 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial Padrão Do-201d - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SF31GTR Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 3 a 35 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 80pf @ 4V, 1MHz
BZD17C68P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C68P RQG -
RFQ
 ECAD 3909 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD17 800 MW Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA @ 51 V 68 v 80 ohms
TSM60NB099CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099CZ C0G 12.9500
RFQ
 ECAD 9088 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 TSM60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 600 v 38a (TC) 10V 99mohm @ 11.3a, 10V 4V A 250µA 62 NC @ 10 V ± 30V 2587 pf @ 100 V - 298W (TC)
BC337-25 A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337-25 A1G -
RFQ
 ECAD 3269 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads BC337 625 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 8.000 45 v 800 mA 100na (ICBO) Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 160 @ 100mA, 5V 100MHz
SF22GH Taiwan Semiconductor Corporation SF22GH -
RFQ
 ECAD 7929 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Padrão DO-204AC (DO-15) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SF22GHTR Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 950 mV @ 2 a 35 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 40pf @ 4V, 1MHz
ES3C Taiwan Semiconductor Corporation ES3C -
RFQ
 ECAD 4890 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-ES3CTR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 950 mV @ 3 a 35 ns 10 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 45pf @ 4V, 1MHz
BZX79B12 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B12 A0G -
RFQ
 ECAD 6267 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX79 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 100 Ma 8 mA A 100 mV 12 v 25 ohms
MBR30L45CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR30L45CTH -
RFQ
 ECAD 5070 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-220-3 MBR30 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 30a 550 mV @ 15 A 400 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C.
TSM70NB1R4CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM70NB1R4CP 1.2804
RFQ
 ECAD 4373 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM70 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM70NB1R4CPTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 700 v 3a (TC) 10V 1.4OHM @ 1.2A, 10V 4V A 250µA 7,4 nc @ 10 V ± 30V 317 pf @ 100 V - 28W (TC)
2M68ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m68zha0g -
RFQ
 ECAD 5338 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial 2m68 2 w DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.500 500 Na @ 51,7 V 68 v 75 ohms
BZX55B6V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B6V2 0.0304
RFQ
 ECAD 5499 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX55 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX55B6V2TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 100 Ma 100 Na @ 2 V 6.2 v 10 ohms
SS16LHRFG Taiwan Semiconductor Corporation SS16LHRFG -
RFQ
 ECAD 3450 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS16 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 400 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
1N914B Taiwan Semiconductor Corporation 1n914b 0,0177
RFQ
 ECAD 7678 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N914 Padrão DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N914BTR Ear99 8541.10.0080 20.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C. 150mA 4pf @ 0V, 1MHz
UDZS30B Taiwan Semiconductor Corporation UDZS30B 0,0416
RFQ
 ECAD 5735 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F UDZS30 200 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-UDZS30BTR Ear99 8541.10.0050 6.000 45 Na @ 23 V 30 v 100 ohms
BZD27C150PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150PHRTG -
RFQ
 ECAD 1680 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 110 V 147 v 300 ohms
1N4935GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4935GHA0G -
RFQ
 ECAD 3156 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4935 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,2 V @ 1 A 200 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
MMBT3906L Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906L 0,0247
RFQ
 ECAD 5617 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906L 350 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MMBT3906LTR Ear99 8541.21.0075 9.000 40 v 200 MA 100na (ICBO) Pnp 400mV @ 5MA, 50MA 100 @ 10Ma, 1V 250MHz
HS1A Taiwan Semiconductor Corporation Hs1a -
RFQ
 ECAD 9663 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Padrão DO-214AC (SMA) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-HS1ATR Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque

Lista de RFQ (0 itens)
Lista de carrinhos (0 itens)
WishlistLista de desejos (0 itens)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Pad exposto de 196-LFBGA

Quantidade: 1

Lista de comparação (0 itens)
Bata Enter para pesquisar ou ESC para fechar