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Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max)
GBU405H Taiwan Semiconductor Corporation GBU405H 0,6044
RFQ
 ECAD 6547 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU405 Padrão GBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 20 1,1 V @ 4 A 5 µA A 600 V 4 a Fase Única 600 v
GBU601HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU601HD2G -
RFQ
 ECAD 6699 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU601 Padrão GBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 20 1,1 V @ 6 A 5 µA a 50 V 6 a Fase Única 50 v
GBU602HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU602HD2G -
RFQ
 ECAD 7549 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU602 Padrão GBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 20 1,1 V @ 6 A 5 µA A 100 V 6 a Fase Única 100 v
GBU801 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU801 D2G -
RFQ
 ECAD 3348 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU801 Padrão GBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 20 1,1 V @ 8 A 5 µA a 50 V 8 a Fase Única 50 v
GBU802 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU802 D2G -
RFQ
 ECAD 2330 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU802 Padrão GBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 20 1,1 V @ 8 A 5 µA A 100 V 8 a Fase Única 100 v
GBU802HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU802HD2G -
RFQ
 ECAD 4545 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU802 Padrão GBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 20 1,1 V @ 8 A 5 µA A 100 V 8 a Fase Única 100 v
GBU803 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU803 D2G -
RFQ
 ECAD 4718 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU803 Padrão GBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 20 1,1 V @ 8 A 5 µA A 200 V 8 a Fase Única 200 v
GBU804H Taiwan Semiconductor Corporation GBU804H 0,8550
RFQ
 ECAD 3769 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU804 Padrão GBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 20 1,1 V @ 8 A 5 µA A 400 V 8 a Fase Única 400 v
GBU807H Taiwan Semiconductor Corporation GBU807H 0,8550
RFQ
 ECAD 3075 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, GBU GBU807 Padrão GBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 20 1,1 V @ 8 A 5 µA A 1000 V 8 a Fase Única 1 kv
HDBL101G C1G Taiwan Semiconductor Corporation HDBL101G C1G -
RFQ
 ECAD 3428 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) HDBL101 Padrão Dbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 1 V @ 1 A 5 µA a 50 V 1 a Fase Única 50 v
HDBL106G Taiwan Semiconductor Corporation HDBL106G 0,3999
RFQ
 ECAD 2800 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) HDBL106 Padrão Dbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 1,7 V @ 1 A 5 µA A 800 V 1 a Fase Única 800 v
HDBL107G Taiwan Semiconductor Corporation HDBL107G 0,3999
RFQ
 ECAD 1953 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) HDBL107 Padrão Dbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 1,7 V @ 1 A 5 µA A 1000 V 1 a Fase Única 1 kv
HDBLS105G C1G Taiwan Semiconductor Corporation HDBLS105G C1G -
RFQ
 ECAD 1894 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota HDBLS105 Padrão Dbls download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 1,7 V @ 1 A 5 µA A 600 V 1 a Fase Única 600 v
HDBLS106G C1G Taiwan Semiconductor Corporation HDBLS106G C1G -
RFQ
 ECAD 2339 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota HDBLS106 Padrão Dbls download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 1,7 V @ 1 A 5 µA A 800 V 1 a Fase Única 800 v
HDBLS107G C1G Taiwan Semiconductor Corporation HDBLS107G C1G -
RFQ
 ECAD 3645 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota HDBLS107 Padrão Dbls download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 1,7 V @ 1 A 5 µA A 1000 V 1 a Fase Única 1 kv
MURF8L60HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MURF8L60HC0G -
RFQ
 ECAD 3514 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Murf8 Padrão ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 8 A 65 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a -
D2SB05HD2G Taiwan Semiconductor Corporation D2SB05HD2G -
RFQ
 ECAD 5889 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, gbl D2SB05 Padrão Gbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25 1,1 V @ 2 A 10 µA a 50 V 2 a Fase Única 50 v
D2SB10 D2G Taiwan Semiconductor Corporation D2SB10 D2G -
RFQ
 ECAD 4559 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, gbl D2SB10 Padrão Gbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25 1,1 V @ 2 A 10 µA A 100 V 2 a Fase Única 100 v
D2SB10HD2G Taiwan Semiconductor Corporation D2SB10HD2G -
RFQ
 ECAD 1212 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, gbl D2SB10 Padrão Gbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25 1,1 V @ 2 A 10 µA A 100 V 2 a Fase Única 100 v
D2SB40 D2G Taiwan Semiconductor Corporation D2SB40 D2G -
RFQ
 ECAD 5074 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, gbl D2SB40 Padrão Gbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25 1,1 V @ 2 A 10 µA A 400 V 2 a Fase Única 400 v
D2SB40HD2G Taiwan Semiconductor Corporation D2SB40HD2G -
RFQ
 ECAD 3354 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, gbl D2SB40 Padrão Gbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25 1,1 V @ 2 A 10 µA A 400 V 2 a Fase Única 400 v
D2SB80HD2G Taiwan Semiconductor Corporation D2SB80HD2G -
RFQ
 ECAD 3046 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, gbl D2SB80 Padrão Gbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 25 1,1 V @ 2 A 10 µA a 800 V 2 a Fase Única 800 v
DBL101G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBL101G C1G -
RFQ
 ECAD 6108 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl101 Padrão Dbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1 A 2 µA a 50 V 1 a Fase Única 50 v
DBL102G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBL102G C1G -
RFQ
 ECAD 6438 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl102 Padrão Dbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1 A 2 µA A 100 V 1 a Fase Única 100 v
DBL102GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBL102GHC1G -
RFQ
 ECAD 6437 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl102 Padrão Dbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1 A 2 µA A 100 V 1 a Fase Única 100 v
DBL103G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBL103G C1G -
RFQ
 ECAD 8013 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl103 Padrão Dbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1 A 2 µA a 200 V 1 a Fase Única 200 v
DBL104GH Taiwan Semiconductor Corporation DBL104GH 0,2394
RFQ
 ECAD 5781 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl104 Padrão Dbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1 A 2 µA A 400 V 1 a Fase Única 400 v
DBL151GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBL151GHC1G -
RFQ
 ECAD 9885 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl151 Padrão Dbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1,5 A 2 µA A 100 V 1.5 a Fase Única 50 v
DBL154GH Taiwan Semiconductor Corporation DBL154GH 0,2874
RFQ
 ECAD 9776 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl154 Padrão Dbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1,5 A 2 µA A 400 V 1.5 a Fase Única 400 v
DBL156G Taiwan Semiconductor Corporation Dbl156g 0,2700
RFQ
 ECAD 6398 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Dbl156 Padrão Dbl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1,5 A 2 µA A 800 V 1.5 a Fase Única 800 v
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    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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    15.000 m2

    Armazém em estoque

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