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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSP10U100S | 1.3500 | ![]() | 113 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | TSP10 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 680 mV @ 10 a | 150 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF2006G C0G | - | ![]() | 1620 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | SFAF2006 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | 150pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Pu1jlw | 0,0933 | ![]() | 9454 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | Pu1j | Padrão | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-PU1JLWTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,5 V @ 1 A | 25 ns | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | SR1060H | 0,5037 | ![]() | 6588 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SR1060 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SR1060H | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 10a | 700 mv @ 5 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||
Rs1aLHMHG | - | ![]() | 4876 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rs1a | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 800 mA | 150 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800mA | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TSF20L45C | - | ![]() | 3644 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSF20 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 10a | 650 mV @ 10 A | 500 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SK55BHM4G | - | ![]() | 9301 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SK55 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 750 mv @ 5 a | 500 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TSZL52C30-F0 RWG | - | ![]() | 4874 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 1005 (2512 Mética) | 200 MW | 1005 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-TSZL52C30-F0RWGTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 23 V | 30 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR2560CT-Y | 0,6949 | ![]() | 3977 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR2560 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MBR2560CT-Y | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 25a | 750 mV @ 12,5 A | 200 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S10MC | 0,2235 | ![]() | 7090 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S10M | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HER101G R1G | - | ![]() | 1988 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | HER101 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | LSR105-J0 L0 | - | ![]() | 6696 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | Schottky | Mell | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-LSR105-J0L0TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 1 a | 1 mA a 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SR2060H | 0,6437 | ![]() | 6453 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SR2060 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SR2060H | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 20a | 700 mv @ 10 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S15GC | 0,2997 | ![]() | 5001 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1.1 V @ 15 A | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | 93pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
BZT52C15-G | 0,0445 | ![]() | 2461 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZT52C15-GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 10,5 V | 15 v | 30 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFA1007GH | - | ![]() | 3262 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Padrão | TO-220AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SFA1007GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,7 V @ 10 A | 35 ns | 10 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Hs1jlh | 0,2378 | ![]() | 8071 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-HS1JLHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Esh3d r7g | - | ![]() | 5892 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Esh3 | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 900 mV @ 3 a | 20 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | S1BB R5G | - | ![]() | 3162 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | S1b | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SF1604G | 0,6140 | ![]() | 4766 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SF1604 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C13 RFG | 0,0786 | ![]() | 8803 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par ânodo comum | 100 Na @ 10 V | 13 v | 25 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF30L120CTH | 1.4670 | ![]() | 6357 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF30 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRF30L120CTH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 120 v | 30a | 950 mV @ 30 A | 20 µA A 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||
BZD27C91PHRQG | - | ![]() | 4885 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,07% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 68 V | 90,5 v | 200 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR006 A0G | 0,0919 | ![]() | 2844 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SR006 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mV @ 500 mA | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BC338-25-B0 B1 | - | ![]() | 2012 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Parágrafo 92 | - | Alcançar Não Afetado | 1801-BC338-25-B0B1 | Obsoleto | 1 | 25 v | 800 mA | 100na (ICBO) | Npn | 700mv @ 50Ma, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||
S2JA | 0,0633 | ![]() | 2056 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | S2J | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1,5 A | 1,5 µs | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM4953DCS | 0,6389 | ![]() | 8135 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TSM4953 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.5W (TA) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM4953DCSTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 Canal P. | 30V | 4.9a (ta) | 60mohm @ 4.9a, 10V | 3V A 250µA | 28NC @ 10V | 745pf @ 15V | Padrão | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZS55C3V9 | 0,0340 | ![]() | 6118 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 1206 (3216 Mética) | BZS55 | 500 MW | 1206 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZS55C3V9TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 3,9 v | 85 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1M150Z A0G | - | ![]() | 6615 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1M150 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA A 114 V | 150 v | 1000 ohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZS55C12 RXG | 0,0340 | ![]() | 3986 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 1206 (3216 Mética) | BZS55 | 500 MW | 1206 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 9,1 V | 12 v | 20 ohms |
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