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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
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![]() | BZV55B43 | 0,0357 | ![]() | 4632 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZV55B | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZV55B43TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 32 V | 43 v | 90 ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZS55B16 RXG | - | ![]() | 8102 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 1206 (3216 Mética) | BZS55 | 500 MW | 1206 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 12 V | 16 v | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S15GC R7G | - | ![]() | 1915 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S15G | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1.1 V @ 15 A | 1 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | 93pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM10N80CI C0G | - | ![]() | 8795 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 800 v | 9.5a (TC) | 10V | 1.05Ohm @ 4.75a, 10V | 4V A 250µA | 53 nc @ 10 V | ± 30V | 2336 PF @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | 1N4742G B0G | - | ![]() | 7686 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TA) | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4742 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA A 27,4 V | 12 v | 50 ohms | |||||||||||||||||||||||||
BZD27C12PHMQG | - | ![]() | 7895 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,39% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 3 µA A 9,1 V | 12.05 v | 7 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS3A R6 | - | ![]() | 7628 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-HS3AR6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4003G A0G | - | ![]() | 6539 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4003 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
SS15L RHG | - | ![]() | 5145 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS15 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 1 a | 400 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HS3MB | 0,1368 | ![]() | 9532 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | HS3M | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBR10200CTH | - | ![]() | 6043 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-3 | MBR1020 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 10a | 980 mV @ 10 A | 100 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzs24b rrg | 0,0416 | ![]() | 4591 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | Udzs24 | 200 MW | SOD-323F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 45 Na @ 19 V | 24 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
BZD17C11P R3G | 0,2625 | ![]() | 1050 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,45% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 4 µA a 8,2 V | 11 v | 7 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2m11zh | 0,1667 | ![]() | 7563 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2m11 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.500 | 1 µA a 8,4 V | 11 v | 4 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B8V2 RSG | 0,0639 | ![]() | 1433 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 900 mV a 10 mA | 700 Na @ 5 V | 8.2 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||
BZD27C100PW | 0,1638 | ![]() | 5230 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123W | BZD27 | 1 w | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 200 mA | 1 µA A 75 V | 100 v | 200 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C16 RFG | 0,0786 | ![]() | 2074 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par ânodo comum | 100 Na @ 12 V | 16 v | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HS3B M6G | - | ![]() | 3628 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | HS3B | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55C15 | 0,0354 | ![]() | 2293 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Variante SOD-80 | 500 MW | Qmmelf | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZT55C15TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 11 V | 15 v | 30 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
BZD27C82P RVG | 0,2450 | ![]() | 7394 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 62 V | 82 v | 200 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFF1004GH | 0,5318 | ![]() | 5796 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF1004 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SFF1004GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 200 v | 10a | 975 mV @ 5 A | 35 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||
![]() | 6a05g a0g | - | ![]() | 8960 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | 6A05 | Padrão | R-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 700 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 6 A | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR4050PTHC0G | - | ![]() | 6401 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | MBR4050 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 50 v | 40A | 1 mA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR3090PTHC0G | - | ![]() | 9610 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | MBR3090 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 90 v | 30a | 500 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||
1PGSMA180ZHR3G | 0,4800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1PGSMA180 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 136,8 V | 180 v | 1200 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
1PGSMA200Z R3G | 0,4500 | ![]() | 130 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1PGSMA200 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 152 V | 200 v | 1500 ohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TS10K60 | 1.4500 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, gbl | TS10K60 | Padrão | TS4K | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 2 A | 10 µA A 600 V | 10 a | Fase Única | 600 v | |||||||||||||||||||||||||
TS6KL60 | 0,4998 | ![]() | 7059 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, kbjl | TS6KL60 | Padrão | KBJL | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1,05 V @ 3 A | 5 µA A 600 V | 6 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM170N06CH C5G | 2.2200 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSM170 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 v | 38a (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 28,5 NC a 10 V | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 46W (TC) | |||||||||||||||||||
BZD17C16P MHG | - | ![]() | 2178 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5.625% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 12 V | 16 v | 15 ohms |
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