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Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
MBR1645 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1645 C0G -
RFQ
 ECAD 7353 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-220-2 MBR1645 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 630 mV @ 16 a 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 16a -
BZX79B24 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B24 0.0308
RFQ
 ECAD 7093 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX79 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX79B24TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 100 Ma 16,8 mA a 50 mV 24 v 70 ohms
SF31G Taiwan Semiconductor Corporation SF31G -
RFQ
 ECAD 4045 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial Padrão Do-201d - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SF31GTR Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 3 a 35 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 80pf @ 4V, 1MHz
1N4448WS Taiwan Semiconductor Corporation 1N4448WS 0,0279
RFQ
 ECAD 7189 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F 1N4448 Padrão SOD-323F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N4448WSTR Ear99 8541.10.0080 9.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C. 150mA 4pf @ 0V, 1MHz
UR3KB60 Taiwan Semiconductor Corporation UR3KB60 0,5154
RFQ
 ECAD 8757 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 -SIP UR3KB Padrão D3K download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-UR3KB60 Ear99 8541.10.0080 1.500 1 V @ 1,5 A 10 µA A 600 V 3 a Fase Única 600 v
TSM60NB099CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099CZ C0G 12.9500
RFQ
 ECAD 9088 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 TSM60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 4.000 N-canal 600 v 38a (TC) 10V 99mohm @ 11.3a, 10V 4V A 250µA 62 NC @ 10 V ± 30V 2587 pf @ 100 V - 298W (TC)
ES2JAL Taiwan Semiconductor Corporation Es2jal 0,4200
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 ECAD 425 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads ES2J Padrão SMA FINA - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 14.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 2 A 35 ns 1 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 15pf @ 4V, 1MHz
BZX585B51 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B51 RSG 0,0476
RFQ
 ECAD 1740 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 BZX585B5 200 MW SOD-523F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 8.000 45 Na @ 35,7 V 51 v 180 ohms
BZT52B15S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B15S 0,0510
RFQ
 ECAD 4348 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F BZT52B 200 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52B15STR Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 45 Na @ 10,5 V 15 v 30 ohms
PUAD8D Taiwan Semiconductor Corporation Puad8d 0,8600
RFQ
 ECAD 6177 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Padrão Thindpak - 1 (ilimito) 4.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 8 A 25 ns 2 µA a 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a 101pf @ 4V, 1MHz
HS1GH Taiwan Semiconductor Corporation HS1GH 0,0907
RFQ
 ECAD 8913 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Padrão DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-HS1GHTR Ear99 8541.10.0080 15.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 1 a 50 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
TSM4N90CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N90CZ C0G 1.7900
RFQ
 ECAD 977 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 TSM4N90 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.000 N-canal 900 v 4a (TC) 10V 4ohm @ 2a, 10V 4V A 250µA 25 nc @ 10 V ± 30V 955 pf @ 25 V - 38.7W (TC)
BZD27C22PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C22PHRUG 0,2933
RFQ
 ECAD 4524 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 16 V 22.05 v 15 ohms
SS22M Taiwan Semiconductor Corporation SS22M 0,0712
RFQ
 ECAD 8837 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, Chumbo Plano SS22 Schottky Micro SMA download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SS22MTR Ear99 8541.10.0080 18.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 600 mV @ 2 a 150 µA A 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 35pf @ 4V, 1MHz
BZD27C220PWH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220PWH 0.1191
RFQ
 ECAD 8261 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123W BZD27 1 w SOD-123W download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 200 mA 1 µA A 160 V 220 v 900 ohms
TUAS3JH Taiwan Semiconductor Corporation Tuas3jh 0,1776
RFQ
 ECAD 2937 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN Tuas3 Padrão TO-277A (SMPC4.6U) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TUAS3JHTR Ear99 8541.10.0080 6.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 3 A 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 27pf @ 4V, 1MHz
RS2JFS Taiwan Semiconductor Corporation Rs2jfs 0,4600
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 Rs2j Padrão SOD-128 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 14.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 2 A 250 ns 1 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 11pf @ 4V, 1MHz
UF4005HR1G Taiwan Semiconductor Corporation UF4005HR1G -
RFQ
 ECAD 7273 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial UF4005 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 1 A 75 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 17pf @ 4V, 1MHz
SR805 Taiwan Semiconductor Corporation SR805 0.3308
RFQ
 ECAD 7384 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial Schottky Do-201d - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SR805TR Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 700 mv @ 8 a 500 µA A 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
MBRF1560CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1560CT-Y 0,4530
RFQ
 ECAD 5833 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBRF1560 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBRF1560CT-Y Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 15a 950 mV @ 15 A 300 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1SMA5940HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5940HR3G -
RFQ
 ECAD 1677 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AC, SMA 1SMA5940 1,5 w DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 500 Na @ 32,7 V 43 v 53 ohms
RS3J Taiwan Semiconductor Corporation Rs3j 0,1648
RFQ
 ECAD 2894 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Rs3j Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 250 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
FR205G Taiwan Semiconductor Corporation Fr205G 0,0981
RFQ
 ECAD 5834 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Fr205 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 2 A 250 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 10pf @ 4V, 1MHz
RSFGLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfglhrvg -
RFQ
 ECAD 5064 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB Rsfgl Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 500 mA 150 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 500mA 4pf @ 4V, 1MHz
SF18G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF18G B0G -
RFQ
 ECAD 2872 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial SF18 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 1 A 35 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
TSM130NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM130NB06LCR RLG 2.0200
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 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-Powerldfn TSM130 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-pdfn (5.2x5.75) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 10a (ta), 51a (tc) 4.5V, 10V 13mohm @ 10a, 10V 2,5V a 250µA 37 nc @ 10 V ± 20V 2175 pf @ 30 V - 3.1W (TA), 83W (TC)
SR802 Taiwan Semiconductor Corporation SR802 -
RFQ
 ECAD 7250 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial Schottky Do-201d - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SR802TR Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 550 mV @ 8 a 500 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 8a -
BZX79B5V1 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B5V1 A0G -
RFQ
 ECAD 6351 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX79 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 100 Ma 2 mA @ 2 V 5.1 v 60 ohms
BZY55B10 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B10 RYG -
RFQ
 ECAD 2823 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 0805 (2012 Mética) Bzy55 500 MW 0805 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 10 Ma 100 Na @ 7,5 V 10 v 15 ohms
BZT52B20 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B20 RHG 0,0416
RFQ
 ECAD 7356 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F BZT52B 500 MW SOD-123F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 45 Na @ 14 V 20 v 55 ohms
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