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Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
SS210L MHG Taiwan Semiconductor Corporation SS210L MHG -
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 ECAD 7849 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS210 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mv @ 2 a 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
BZT52C11S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C11S RRG -
RFQ
 ECAD 8594 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 90 Na @ 8 V 11 v 20 ohms
TSM4NB60CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CH X0G 0,9576
RFQ
 ECAD 2750 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 Leads de Stub, Ipak TSM4NB60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 600 v 4a (TC) 10V 2.5OHM @ 2A, 10V 4.5V a 250µA 14,5 nc @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 50W (TC)
MBRF25100CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF25100CTH -
RFQ
 ECAD 6673 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Descontinuado no sic Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBRF25100 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 25a 920 mV @ 25 A 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SRF1660HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF1660HC0G -
RFQ
 ECAD 4400 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SRF1660 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 16a 700 mv @ 8 a 500 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SS34LWH Taiwan Semiconductor Corporation SS34LWH 0,4100
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 ECAD 29 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123W SS34 Schottky SOD-123W download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 3 a 200 µA a 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 3a -
BZD17C16P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C16P R3G 0,2625
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 ECAD 8557 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5.625% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD17 800 MW Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 12 V 16 v 15 ohms
TSF30H200C Taiwan Semiconductor Corporation TSF30H200C 2.6600
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 ECAD 2 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada TSF30 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 15a 920 mV @ 15 a 150 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1SMA4741 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4741 R3G -
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 ECAD 1598 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AC, SMA 1SMA4741 1,25 w DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1 µA a 8,4 V 11 v 8 ohms
SFAF1003GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1003GHC0G -
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 ECAD 7433 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 SFAF1003 Padrão ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 975 mV @ 10 A 35 ns 10 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 170pf @ 4V, 1MHz
DBLS104GH Taiwan Semiconductor Corporation DBLS104GH 0,2715
RFQ
 ECAD 5243 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 4-SMD, Asa de Gaivota DBLS104 Padrão Dbls download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 1,1 V @ 1 A 2 µA A 400 V 1 a Fase Única 400 v
TSM320N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM320N03CX RFG 0,9000
RFQ
 ECAD 198 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM320 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 v 5.5a (TC) 2.5V, 4.5V 32mohm @ 4a, 4.5V 900MV A 250µA 8,9 nc a 4,5 V ± 12V 792 pf @ 15 V - 1.8W (TC)
S1GFS MWG Taiwan Semiconductor Corporation S1GFS MWG 0,4300
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 ECAD 6098 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 S1G Padrão SOD-128 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 1 A 1 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 9pf @ 4V, 1MHz
SFT17GHA1G Taiwan Semiconductor Corporation Sft17gha1g -
RFQ
 ECAD 1788 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Descontinuado no sic Através do buraco T-18, axial SFT17 Padrão TS-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,7 V @ 1 A 35 ns 5 µA A 500 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
SF26GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF26GHB0G -
RFQ
 ECAD 3397 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial SF26 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 2 A 35 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 20pf @ 4V, 1MHz
BAT54CW RVG Taiwan Semiconductor Corporation BAT54CW RVG -
RFQ
 ECAD 1838 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BAT54 Schottky SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par cátodo comum 30 v 200Ma (DC) 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA A 25 V 125 ° C (Máximo)
MBR20L100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR20L100CT 1.4700
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 ECAD 3 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 MBR20 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 20a 850 mV @ 20 A 20 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
FR155GH Taiwan Semiconductor Corporation FR155GH 0,0856
RFQ
 ECAD 2805 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial FR155 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 1,5 A 250 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 20pf @ 4V, 1MHz
RS1A M2G Taiwan Semiconductor Corporation Rs1a m2g -
RFQ
 ECAD 1404 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Rs1a Padrão DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
BZD27C24P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24P R3G 0,1600
RFQ
 ECAD 6693 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1,2 V @ 200 mA 1 µA a 18 V 24,2 v 15 ohms
SR20150PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR20150PT C0G -
RFQ
 ECAD 2232 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 SR20150 Padrão TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 20a 550 mV @ 10 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 125 ° C.
1N4002G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4002G R1G -
RFQ
 ECAD 8269 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4002 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 1 A 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
2A05G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A05G B0G -
RFQ
 ECAD 8754 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial 2A05 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1 V @ 2 A 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 15pf @ 4V, 1MHz
FR106G R1G Taiwan Semiconductor Corporation FR106G R1G -
RFQ
 ECAD 8951 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial FR106 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,3 V @ 1 a 500 ns 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
TSM70N600CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N600CH C5G 5.3600
RFQ
 ECAD 125 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA TSM70 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 700 v 8a (TC) 10V 600MOHM @ 4A, 10V 4V A 250µA 12,6 nc @ 10 V ± 30V 743 pf @ 100 V - 83W (TC)
UF5JFC C0G Taiwan Semiconductor Corporation Uf5jfc c0g -
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 ECAD 9514 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Uf5j Padrão ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,8 V @ 5 A 25 ns 30 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 30pf @ 4V, 1MHz
TST30U60C Taiwan Semiconductor Corporation TST30U60C 1.8492
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 ECAD 5820 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 TST30 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 570 mV @ 15 A 500 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 15a -
SS23H Taiwan Semiconductor Corporation SS23H 0.1146
RFQ
 ECAD 7737 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SS23 Schottky DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 500 mv @ 2 a 400 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 2a -
S1DLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1dlshrvg -
RFQ
 ECAD 9031 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123H S1D Padrão Sod-123He download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 1,2 A 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1.2a -
BZD17C33P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C33P M2G -
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 ECAD 2598 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD17 800 MW Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 24 V 33 v 15 ohms
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