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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) @ 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
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![]() | HER157G A0G | - | ![]() | 4187 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | HER157 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1 V @ 1,5 A | 75 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR420H | 0,3072 | ![]() | 7133 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | MUR420 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 890 mV @ 4 a | 25 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 65pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1dlh | 0,1605 | ![]() | 9284 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123 | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-S1DLHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
SS25LHRHG | - | ![]() | 5192 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS25 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 400 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S12KC | 0,2349 | ![]() | 9245 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S12K | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | 78pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF4002 | - | ![]() | 6886 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | UF400 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-UF4002TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZY55B22 RYG | 0,0486 | ![]() | 5239 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 0805 (2012 Mética) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 16 V | 22 v | 55 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UGF1008GH | 0,4932 | ![]() | 3539 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | UGF1008 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-UGF1008GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 600 v | 10a | 1,7 V @ 5 A | 25 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR503HA0G | - | ![]() | 4711 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SR503 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 5 A | 500 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55B8V2 | 0,0385 | ![]() | 1135 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Variante SOD-80 | 500 MW | Qmmelf | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZT55B8V2TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 6,2 V | 8.2 v | 7 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mtzj2v2sa r0g | 0.0305 | ![]() | 4251 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj2 | 500 MW | Do-34 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 120 µA A 700 mV | 2,21 v | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B13 RKG | - | ![]() | 7398 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 8 V | 13 v | 30 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2M150ZHB0G | - | ![]() | 3130 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2M150 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 Na @ 114 V | 150 v | 575 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSC873CT B0G | - | ![]() | 5899 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 1 w | Parágrafo 92 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | TSC873CTB0G | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 400 v | 1 a | 1Ma | Npn | 1v a 250mA, 1a | 80 @ 250mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSP10H60S S1G | 1.3800 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | TSP10 | Schottky | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 640 mV @ 10 A | 150 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBS26 | 0,5994 | ![]() | 4075 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | SBS26 | Padrão | Abs | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 700 mv @ 2 a | 50 µA A 60 V | 2 a | Fase Única | 60 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
S1ahr3g | - | ![]() | 9930 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | S1A | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 1 A | 1,5 µs | 1 µA a 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5239B | 0,0271 | ![]() | 8581 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 200 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N5239 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-1N5239BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 mA | 3 µA a 7 V | 9.1 v | 10 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRAS860 | 0,6279 | ![]() | 1702 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SRAS860 | Schottky | TO-263AB (D2PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SRAS860TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.600 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 8 a | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZD17C27P R3G | - | ![]() | 1646 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 7,03% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 20 V | 27 v | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C22PHR3G | - | ![]() | 4743 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,66% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 16 V | 22.05 v | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK510CHM6G | - | ![]() | 2894 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SK510 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mv @ 5 a | 300 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
SS36LHRUG | 0,3915 | ![]() | 5666 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS36 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 750 mv @ 3 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS22H | - | ![]() | 5899 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SS22HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mv @ 2 a | 400 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM3N90CZ C0G | - | ![]() | 8691 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | TSM3N90 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 900 v | 2.5a (TC) | 10V | 5.1ohm @ 1.25a, 10V | 4V A 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 748 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2m82z | 0,1565 | ![]() | 4396 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2m82 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.500 | 500 Na @ 62,2 V | 82 v | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
1SMA4742 R3G | 0,2216 | ![]() | 3754 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1SMA4742 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1 µA A 9,1 V | 12 v | 9 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C20P RHG | - | ![]() | 1717 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 15 V | 20 v | 15 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF15150CT-Y | 0,4632 | ![]() | 1477 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MBRF15150 | Schottky | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRF15150CT-Y | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 15a | 950 mV @ 15 A | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C9V1PHRTG | - | ![]() | 5739 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,07% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 10 µA a 5 V | 9.05 v | 4 ohms |
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