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Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
MBRS3045CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS3045CT Mng -
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 ECAD 7130 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRS3045 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 30a 900 mV @ 30 A 200 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C.
1N4448W Taiwan Semiconductor Corporation 1N4448W 0,0276
RFQ
 ECAD 7122 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123F 1N4448 Padrão SOD-123F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N4448WTR Ear99 8541.10.0080 9.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 75 v 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C. 150mA 4pf @ 0V, 1MHz
HT11G A0G Taiwan Semiconductor Corporation Ht11g a0g -
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 ECAD 8224 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco T-18, axial HT11 Padrão TS-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
HT13G R0G Taiwan Semiconductor Corporation HT13G R0G -
RFQ
 ECAD 4207 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Através do buraco T-18, axial HT13 Padrão TS-1 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
MBR1590CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1590CTHC0G -
RFQ
 ECAD 8803 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 MBR1590 Schottky TO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 90 v 15a 920 mV @ 7.5 A 100 µA A 90 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BZX79B3V0 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B3V0 A0G -
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 ECAD 2524 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX79 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 100 Ma 1 mA a 50 V 3 v 95 ohms
BC337-25 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337-25 B1G -
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 ECAD 5269 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) BC337 625 MW Parágrafo 92 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 5.000 45 v 800 mA 100na (ICBO) Npn 700mv @ 50Ma, 500mA 160 @ 100mA, 5V 100MHz
BA157G A0G Taiwan Semiconductor Corporation BA157G A0G -
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 ECAD 7795 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial BA157 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,2 V @ 1 A 150 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
ES3JB Taiwan Semiconductor Corporation Es3jb 0.1908
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 ECAD 6328 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB ES3J Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,45 V @ 3 A 35 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 34pf @ 4V, 1MHz
SS34L MQG Taiwan Semiconductor Corporation SS34L MQG -
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 ECAD 6443 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS34 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 500 mv @ 3 a 500 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 3a -
SR220 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR220 B0G -
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 ECAD 9559 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial SR220 Schottky DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 2 a 100 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
HS1DL MQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1DL MQG -
RFQ
 ECAD 4533 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB Hs1d Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 1 a 50 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
SRF20100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF20100HC0G -
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 ECAD 1184 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SRF20100 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 20a 920 mV @ 10 A 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C.
HS5B V6G Taiwan Semiconductor Corporation HS5B V6G -
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 ECAD 9810 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC HS5B Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 50 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 80pf @ 4V, 1MHz
6A10G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A10G A0G -
RFQ
 ECAD 8651 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco R-6, axial 6A10 Padrão R-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 700 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,1 V @ 6 A 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a 60pf @ 4V, 1MHz
SK34BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation Sk34bhr5g -
RFQ
 ECAD 1321 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SK34 Schottky DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 500 mv @ 3 a 500 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 3a -
TSM680P06CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM680P06CH X0G 2.0100
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 Leads de Stub, Ipak TSM680 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 Canal P. 60 v 18a (TC) 4.5V, 10V 68mohm @ 6a, 10V 2.2V A 250µA 16,4 nc @ 10 V ± 20V 870 pf @ 30 V - 20W (TC)
MBRF16H45 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF16H45 -
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 ECAD 4317 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Schottky ITO-220AC - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-MBRF16H45 Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 630 mV @ 16 a 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 16a -
1SMA150Z R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA150Z R3G -
RFQ
 ECAD 4910 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AC, SMA 1SMA150 1,25 w DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1 µA A 114 V 150 v 1000 ohms
SS14LHMTG Taiwan Semiconductor Corporation SS14LHMTG -
RFQ
 ECAD 3846 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS14 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 550 mV @ 1 a 400 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a -
TSZL52C33 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C33 RWG -
RFQ
 ECAD 3411 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montagem na Superfície 1005 (2512 Mética) TSZL52 200 MW 1005 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 4.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 25 V 33 v 80 ohms
SR810 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR810 B0G -
RFQ
 ECAD 6265 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Volume Ativo Através do buraco Do-201D, axial SR810 Schottky Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 920 mV @ 8 a 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
TSM900N10CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N10CH 0,9822
RFQ
 ECAD 7460 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 Leads de Stub, Ipak TSM900 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251S (I-Pak SL) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM900N10CH Ear99 8541.29.0095 15.000 N-canal 100 v 15a (TC) 4.5V, 10V 90mohm @ 5a, 10V 2,5V a 250µA 9,3 nc @ 10 V ± 20V 1480 pf @ 50 V - 50W (TC)
SK15H45 Taiwan Semiconductor Corporation SK15H45 0,7872
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 ECAD 8734 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco R-6, axial SK15 Schottky R-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 560 mV @ 15 a 150 µA A 45 V 200 ° C (max) 15a -
MMBD4148CA RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBD4148CA RFG -
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 ECAD 7851 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD4148 Padrão SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 100 v 200Ma 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C.
GPA804 Taiwan Semiconductor Corporation GPA804 -
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 ECAD 4332 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Padrão TO-220AC - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-GPA804 Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 8 A 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 50pf @ 4V, 1MHz
SS13L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS13L RFG -
RFQ
 ECAD 6106 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS13 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 500 mV @ 1 a 400 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a -
ES1HL RTG Taiwan Semiconductor Corporation ES1HL RTG -
RFQ
 ECAD 2349 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB ES1H Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,7 V @ 1 A 35 ns 5 µA A 500 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 8pf @ 1V, 1MHz
BC847B RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC847B RFG 0,2200
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 ECAD 21 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 200 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0075 3.000 45 v 100 ma 100na (ICBO) Npn 500mv @ 5Ma, 100mA 200 @ 2MA, 5V 100MHz
HER205G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER205G A0G -
RFQ
 ECAD 4764 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial HER205 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 2 A 50 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 35pf @ 4V, 1MHz
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