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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
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![]() | Hs1jalh | 0.1008 | ![]() | 3077 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | Padrão | SMA FINA | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-HS1JALHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 13pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mtzj36sc r0g | 0.0305 | ![]() | 1755 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj36 | 500 MW | Do-34 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 200 Na @ 27 V | 34,27 v | 75 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
Rsfjlhm2g | - | ![]() | 9906 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Rsfjl | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 500 mA | 250 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 4pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5357 M6G | - | ![]() | 7210 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | 1pgsmc | 5 w | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-1PGSMC5357M6GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 Na @ 15,2 V | 20 v | 3 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM60NB190CI C0G | 8.1000 | ![]() | 749 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 18a (TC) | 10V | 190mohm @ 6a, 10V | 4V A 250µA | 31 NC @ 10 V | ± 30V | 1273 pf @ 100 V | - | 33.8W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5228B A0G | - | ![]() | 8789 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 5% | 100 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N5228 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,1 V @ 200 mA | 10 µA A 1 V | 3,9 v | 23 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSC5802DCHC5G | - | ![]() | 1117 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | TSC5802 | 30 w | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | 450 v | 2.5 a | 250µA | Npn | 3V @ 600MA, 2A | 50 @ 100mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRAS2020HMNG | - | ![]() | 9940 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SRAS2020 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 570 mV @ 20 A | 500 µA A 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5399GH | 0,0831 | ![]() | 1065 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 1N5399 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1 V @ 1,5 A | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS5G | 0,2748 | ![]() | 7545 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | HS5G | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 50 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
S1MFS | 0,0525 | ![]() | 2304 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-128 | S1mf | Padrão | SOD-128 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1 A | 1 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
SS12LHRQG | - | ![]() | 8555 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS12 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 450 mv @ 1 a | 400 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM038N04LCP ROG | 3.0900 | ![]() | 480 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM038 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 135a (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 19a, 10V | 2,5V a 250µA | 104 NC @ 10 V | ± 20V | 5509 pf @ 20 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||
S1JLHMHG | - | ![]() | 7486 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S1J | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZM4746A | 0.0830 | ![]() | 6718 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | ZM4746 | 1 w | Mell | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-ZM4746ATR | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA A 13,7 V | 18 v | 20 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS3DB R5G | 0,8400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | HS3D | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS32 | - | ![]() | 6112 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SS32TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mv @ 3 a | 500 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
1SMA4762H | 0,0995 | ![]() | 7027 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1SMA4762 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1 µA A 62,2 V | 82 v | 200 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM3N80CI C0G | - | ![]() | 8601 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM3N80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 800 v | 3a (TC) | 10V | 4.2OHM @ 1.5A, 10V | 4V A 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 696 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | |||||||||||||||||||||||
HS1J R3G | - | ![]() | 5793 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | HS1J | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMB5932 | 0.1689 | ![]() | 5133 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | 1PGSMB59 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | 3 w | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA A 15,2 V | 20 v | 14 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S2GAF-T | 0,0988 | ![]() | 5034 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | Padrão | SMAF | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-S2GAF-TTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,1 V @ 2 A | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 11pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSS0230LU RGG | 0,0766 | ![]() | 2241 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | Montagem na Superfície | 0603 (1608 Mética) | TSS0230 | Schottky | 0603 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 4.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 35 v | 500 mV @ 200 mA | 30 µA a 10 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 200Ma | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HERF1604GH | 0,7608 | ![]() | 5861 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-HERF1604GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 300 v | 16a | 1 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS2JAL | 0,4600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | HS2J | Padrão | SMA FINA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 2 A | 75 ns | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 17pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
S1J | 0,0547 | ![]() | 6620 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | S1J | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 1,5 µs | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 12pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Uf1mha0g | - | ![]() | 8857 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Uf1m | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n4448 a0g | - | ![]() | 3700 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N4448 | Padrão | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 720 mV @ 5 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150mA | 4pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
BZD17C15P RVG | 0,0933 | ![]() | 4508 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 11 V | 15 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR15100CT | 0,5404 | ![]() | 1651 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | MBR15100 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 100 v | 15a | 920 mV @ 7.5 A | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. |
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