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Produtos Semicondutores Discretos (15635)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Velocidade | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | KBP102G C2 | - |  | 9933 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBP | Padrão | KBP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1 V @ 1 A | 10 µA A 100 V | 1 a | Fase Única | 100 v | ||||||||||||||||||||||
 | Mtzj24sc r0g | 0.0305 | | 7251 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AG, DO-34, axial | Mtzj24 | 500 MW | Do-34 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 200 Na @ 19 V | 23,72 v | 35 ohms | ||||||||||||||||||||||
 | BZV55C11 L0G | 0,0333 | | 1276 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | BZV55C | 500 MW | Mini Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 8,2 V | 11 v | 20 ohms | |||||||||||||||||||||
 | BZT52C6V2-G | 0,0445 | | 2473 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZT52C | 350 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZT52C6V2-GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 900 mV a 10 mA | 3 µA A 4 V | 6.2 v | 10 ohms | |||||||||||||||||||||
 | Srs1090hmng | - | | 9250 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SRS1090 | Schottky | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 90 v | 10a | 900 mV @ 5 A | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||
| BC337-40 B1 | - | | 3889 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Parágrafo 92 | - | Alcançar Não Afetado | 1801-BC337-40B1 | Obsoleto | 1 | 45 v | 800 mA | 100na (ICBO) | Npn | 700mv @ 50Ma, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||
| BZT52B3V3-G | 0,0461 | | 2418 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZT52B | 410 MW | SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZT52B3V3-GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 900 mV a 10 mA | 5 µA @ 1 V | 3,3 v | 95 ohms | |||||||||||||||||||||
 | 1PGSMA4749 R3G | 0,4100 | | 100 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1PGSMA4749 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 18,2 V | 24 v | 25 ohms | |||||||||||||||||||||
 | 1N5819H | 0,0727 | | 7954 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5819 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 600 mV @ 1 a | 1 mA a 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 55pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
 | BZD27C100P MQG | - | | 1501 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 75 V | 100 v | 200 ohms | |||||||||||||||||||||
| BZT52B12 | 0,0412 | | 4935 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZT52B12TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V @ 10 Ma | 90 Na @ 8 V | 12 v | 25 ohms | |||||||||||||||||||||
 | SS36LW | 0,4100 | | 37 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123W | SS36 | Schottky | SOD-123W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 3 a | 200 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||||||||||||||||||
 | 2m62zhb0g | - | | 1678 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2m62 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 Na @ 47,1 V | 62 v | 60 ohms | ||||||||||||||||||||||
| BZD27C180P R3G | 0,1676 | | 3840 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,4% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 130 V | 179,5 v | 450 ohms | |||||||||||||||||||||
| S1AL M2G | - | | 5054 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S1A | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
 | MMSZ5260B RHG | 0,0433 | | 7599 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123F | MMSZ5260 | 500 MW | SOD-123F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 Na @ 33 V | 43 v | 93 ohms | ||||||||||||||||||||||
 | BZX585B33 RKG | - | | 9510 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | BZX585B3 | 200 MW | SOD-523F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 45 Na @ 23 V | 33 v | 80 ohms | ||||||||||||||||||||||
| BZD17C24P M2G | - | | 1391 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,83% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 18 V | 24 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||
 | BZX55C24 A0G | - | | 7578 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 18 V | 24 v | 80 ohms | |||||||||||||||||||||
| TPMR10DH | 0,4740 | | 5191 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | TPMR10 | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TPMR10DHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 950 mV @ 10 A | 35 ns | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 140pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
 | Sft15g | 0.1095 | | 5971 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | SFT15 | Padrão | TS-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,3 V @ 1 a | 35 ns | 5 µA A 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
 | SK510C M6G | - | | 4612 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SK510 | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mv @ 5 a | 300 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | ||||||||||||||||||||
 | AZ23C47 RFG | 0,0794 | | 2982 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par ânodo comum | 100 Na @ 35 V | 47 v | 100 ohms | |||||||||||||||||||||
| SK510C M6 | - | | 7007 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SK510CM6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mv @ 5 a | 300 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | ||||||||||||||||||||
| HS3GBH | 0,1467 | | 5662 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-HS3GBHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||
| BZD27C33P R3G | 0,1600 | | 9177 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,06% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 24 V | 33 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||
| TSD2150acy rmg | - | | 6148 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-243AA | 600 MW | SOT-89 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-TSD2150Ar | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 50 v | 3 a | 100na (ICBO) | Npn | 500mv @ 200Ma, 2a | 200 @ 500MA, 2V | 90MHz | |||||||||||||||||||
| BZD27C24P RFG | - | | 6620 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5,78% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA a 18 V | 24,2 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||
 | Rs2a m4g | - | | 9813 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Rs2a | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,3 V @ 2 A | 150 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||
| 1N5262B A0G | - | | 9962 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 5% | 100 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N5262 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,1 V @ 200 mA | 100 Na @ 39 V | 51 v | 125 ohms |
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