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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Corrente - Retificada Média (IO) | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX584B51 | 0,0379 | ![]() | 4330 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZX584B51TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 39 V | 51 v | 180 ohms | ||||||
![]() | KBU402G | - | ![]() | 4480 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, kbu | Padrão | KBU | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-KBU402G | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V @ 4 A | 5 µA A 100 V | 4 a | Fase Única | 100 v | ||||||
![]() | Dbl151g | - | ![]() | 6204 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Padrão | Dbl | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-DBL151G | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,1 V @ 1,5 A | 2 µA a 50 V | 1.5 a | Fase Única | 50 v | ||||||
![]() | GBU802H | - | ![]() | 8982 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 -SIP, GBU | Padrão | GBU | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-GBU802H | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V @ 8 A | 5 µA A 100 V | 8 a | Fase Única | 100 v | ||||||
![]() | DBL202GH | - | ![]() | 3011 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Padrão | Dbl | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-DBL202GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,15 V @ 2 A | 2 µA A 100 V | 2 a | Fase Única | 100 v | ||||||
![]() | TS15P01G | - | ![]() | 9491 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | Padrão | TS-6P | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-TS15P01G | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1.1 V @ 15 A | 10 µA a 50 V | 15 a | Fase Única | 50 v | ||||||
![]() | DBL203GH | - | ![]() | 8806 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Padrão | Dbl | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-DBL203GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,15 V @ 2 A | 2 µA a 200 V | 2 a | Fase Única | 200 v | ||||||
![]() | DBL201GH | - | ![]() | 3067 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Padrão | Dbl | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-DBL201GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,15 V @ 2 A | 2 µA a 50 V | 2 a | Fase Única | 50 v | ||||||
![]() | DBL102GH | - | ![]() | 3079 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Padrão | Dbl | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-DBL102GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,1 V @ 1 A | 2 µA A 100 V | 1 a | Fase Única | 100 v | ||||||
![]() | KBL403G | - | ![]() | 3032 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, kbl | Padrão | Kbl | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-KBL403G | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V @ 4 A | 10 µA A 200 V | 4 a | Fase Única | 200 v | ||||||
![]() | TS15P01GH | - | ![]() | 4540 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | Padrão | TS-6P | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-TS15P01GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1.1 V @ 15 A | 10 µA a 50 V | 15 a | Fase Única | 50 v | ||||||
![]() | DBL103GH | - | ![]() | 9224 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Padrão | Dbl | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-DBL103GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,1 V @ 1 A | 2 µA a 200 V | 1 a | Fase Única | 200 v | ||||||
![]() | TS25P02G | - | ![]() | 1930 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | Padrão | TS-6P | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-TS25P02G | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA A 100 V | 25 a | Fase Única | 100 v | ||||||
![]() | GBLA01H | - | ![]() | 1243 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, gbl | Padrão | Gbl | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-GBLA01H | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 V @ 4 a | 5 µA A 100 V | 3 a | Fase Única | 100 v | ||||||
![]() | GBLA02 | - | ![]() | 4143 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, gbl | Padrão | Gbl | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-GBLA02 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 V @ 4 a | 5 µA A 200 V | 3 a | Fase Única | 200 v | ||||||
![]() | HDBL102G | - | ![]() | 9742 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Padrão | Dbl | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-HDBL102G | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1 V @ 1 A | 5 µA A 100 V | 1 a | Fase Única | 100 v | ||||||
![]() | HDBL101G | - | ![]() | 6287 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Padrão | Dbl | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-HDBL101G | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1 V @ 1 A | 5 µA a 50 V | 1 a | Fase Única | 50 v | ||||||
![]() | TS6P06G | 1.6200 | ![]() | 2727 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | Padrão | TS-6P | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-TS6P06G | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1,1 V @ 6 A | 10 µA a 800 V | 6 a | Fase Única | 800 v | ||||||
![]() | GBLA005H | - | ![]() | 5953 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, gbl | Padrão | Gbl | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-GBLA005H | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 V @ 4 a | 5 µA a 50 V | 3 a | Fase Única | 50 v | ||||||
![]() | GBU803 | - | ![]() | 5206 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 -SIP, GBU | Padrão | GBU | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-GBU803 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V @ 8 A | 5 µA A 200 V | 8 a | Fase Única | 200 v | ||||||
![]() | TS20P01G | - | ![]() | 2395 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | Padrão | TS-6P | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-TS20P01G | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1,1 V @ 20 A | 10 µA a 50 V | 20 a | Fase Única | 50 v | ||||||
![]() | TS10P04G | - | ![]() | 7831 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | Padrão | TS-6P | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-TS10P04G | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1,1 V @ 10 A | 10 µA A 400 V | 10 a | Fase Única | 400 v | ||||||
![]() | KBU1001G | - | ![]() | 7722 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, kbu | Padrão | KBU | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-KBU1001G | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V @ 10 A | 5 µA a 50 V | 10 a | Fase Única | 50 v | ||||||
![]() | TS25P02GH | - | ![]() | 2024 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | Padrão | TS-6P | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-TS25P02GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA A 100 V | 25 a | Fase Única | 100 v | ||||||
![]() | TSZL52C10-F0 RWG | - | ![]() | 1110 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 1005 (2512 Mética) | 200 MW | 1005 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-TSZL52C10-F0RWGTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 7,5 V | 10 v | 15 ohms | ||||||
![]() | TSZL52C5V6-F0 RWG | - | ![]() | 4531 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 1005 (2512 Mética) | 200 MW | 1005 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-TSZL52C5V6-F0RWGTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 mV a 10 mA | 100 Na @ 1 V | 5,6 v | 40 ohms | ||||||
![]() | RTBS60M | 0,8900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | Padrão | TBS | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-RTBS60MTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | 1,3 V @ 3 A | 5 µA A 1000 V | 6 a | Fase Única | 1 kv | ||||||
![]() | GBU1506 | 2.6300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 -SIP, GBU | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-GBU1506 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 15 A | 5 µA A 800 V | 15 a | Fase Única | 800 v | ||||||
![]() | TBS408 | 1.2000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | TBS408 | Padrão | TBS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | 1 V @ 4 a | 2 µA A 800 V | 4 a | Fase Única | 800 v | ||||||
![]() | TBS610 | 1.5300 | ![]() | 413 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | TBS610 | Padrão | TBS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | 1 V @ 6 A | 2 µA A 1000 V | 6 a | Fase Única | 1 kv |
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