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Produtos Semicondutores Discretos (15635)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GBPC2510 T0G | - |  | 1743 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal de QC | 4 Quadrados, GBPC | GBPC2510 | Padrão | GBPC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 12,5 A | 5 µA A 1000 V | 25 a | Fase Única | 1 kv | ||||||||||
 | GBPC35005W T0G | - | | 1316 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 Quadrados, GBPC-W | GBPC35005 | Padrão | GBPC-W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 17,5 A | 5 µA a 50 V | 35 a | Fase Única | 50 v | ||||||||||
| GBPC3502W T0G | - | | 8956 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 Quadrados, GBPC-W | GBPC3502 | Padrão | GBPC-W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 17,5 A | 5 µA A 200 V | 35 a | Fase Única | 200 v | ||||||||||
| GBPC3510 T0G | - | | 5547 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal de QC | 4 Quadrados, GBPC | GBPC3510 | Padrão | GBPC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 17,5 A | 5 µA A 1000 V | 35 a | Fase Única | 1 kv | ||||||||||
| GBPC3510W T0G | - | | 2297 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4 Quadrados, GBPC-W | GBPC3510 | Padrão | GBPC-W | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 17,5 A | 5 µA A 1000 V | 35 a | Fase Única | 1 kv | ||||||||||
 | GBPC40005M T0G | - | | 2575 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal de QC | 4 quadrados, GBPC40-M | GBPC40005 | Padrão | GBPC40-M | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 20 A | 10 µA a 50 V | 40 a | Fase Única | 50 v | ||||||||||
 | GBPC4002 T0G | - | | 2252 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal de QC | 4-Quadrado, GBPC40 | GBPC4002 | Padrão | GBPC40 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 20 A | 10 µA A 100 V | 40 a | Fase Única | 200 v | ||||||||||
| GBPC4006M T0G | - | | 6114 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal de QC | 4 quadrados, GBPC40-M | GBPC4006 | Padrão | GBPC40-M | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 20 A | 10 µA A 600 V | 40 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||
| GBPC5010M T0G | - | | 2559 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal de QC | 4 quadrados, GBPC40-M | GBPC5010 | Padrão | GBPC40-M | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 25 A | 10 µA A 1000 V | 50 a | Fase Única | 1 kv | ||||||||||
 | SR004 B0G | - | | 2567 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SR004 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV a 500 mA | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 500mA | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| SR009HB0G | - | | 8680 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SR009 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 850 mV a 500 mA | 100 µA A 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | 65pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | 2m30ZHB0G | - | | 2917 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2m30 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 Na @ 22,8 V | 30 v | 20 ohms | |||||||||||
| 2M43ZHB0G | - | | 2213 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2m43 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 Na @ 32,7 V | 43 v | 35 ohms | |||||||||||
| 2M47Z B0G | - | | 3076 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2m47 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 Na @ 35,8 V | 47 v | 40 ohms | |||||||||||
 | GBU2506 | 2.4600 | | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU2506 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,2 V @ 25 A | 10 µA a 800 V | 25 a | Fase Única | 800 v | ||||||||||
 | 1PGSMB5952HR5G | - | | 7642 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | 1PGSMB5952 | 3 w | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA a 98,8 V | 130 v | 450 ohms | |||||||||||
| 1PGSMB5930HR5G | 0,6300 | | 1 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | 1PGSMB5930 | 3 w | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA A 12,2 V | 16 v | 10 ohms | |||||||||||
 | 1PGSMA160ZHR3G | - | | 6923 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1PGSMA160 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 121,6 V | 160 v | 1100 ohms | ||||||||||
| 1PGSMA4740HR3G | 0,4800 | | 55 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1PGSMA4740 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 5 µA a 7,6 V | 10 v | 7 ohms | ||||||||||
| 1PGSMA4748HR3G | 0,4300 | | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1PGSMA4748 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 16,7 V | 22 v | 23 ohms | ||||||||||
| 1PGSMA4762H | 0.1156 | | 6612 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1PGSMA4762 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 62,2 V | 82 v | 200 ohms | ||||||||||
 | Rs3j v7g | 0,9500 | | 1 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita de Corte (CT) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Rs3j | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 3 A | 250 ns | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||||||
| S3J V7G | 0,8200 | | 1 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita de Corte (CT) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S3J | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,15 V @ 3 A | 1,5 µs | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
 | KBP101G C2G | - | | 7256 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBP | Padrão | KBP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1 V @ 1 A | 10 µA a 50 V | 1 a | Fase Única | 50 v | |||||||||||
| KBP103G C2G | - | | 9023 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBP | Padrão | KBP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1 V @ 1 A | 10 µA A 200 V | 1 a | Fase Única | 200 v | |||||||||||
| KBP104G C2G | - | | 6646 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBP | Padrão | KBP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1 V @ 1 A | 10 µA A 400 V | 1 a | Fase Única | 400 v | |||||||||||
| KBP151G C2 | - | | 6948 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBP | Padrão | KBP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V @ 1,5 A | 10 µA a 50 V | 1.5 a | Fase Única | 50 v | |||||||||||
| KBP154G C2 | - | | 8818 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBP | Padrão | KBP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V @ 1,5 A | 10 µA A 400 V | 1.5 a | Fase Única | 400 v | |||||||||||
| KBP155G C2 | - | | 8070 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBP | Padrão | KBP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V @ 1,5 A | 10 µA A 600 V | 1.5 a | Fase Única | 600 v | |||||||||||
| KBP155G C2G | - | | 1407 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBP | Padrão | KBP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V @ 1,5 A | 10 µA A 600 V | 1.5 a | Fase Única | 600 v |
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