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Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça Velocidade Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
MBRF2560CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2560CTH 1.0053
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 ECAD 4217 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBRF2560 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBRF2560Cth Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 25a 750 mV @ 12,5 A 2 mA a 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
SF12G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF12G A0G -
RFQ
 ECAD 3910 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial SF12 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 950 mV @ 1 a 35 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
BZV55B3V3 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B3V3 L0G 0,0357
RFQ
 ECAD 9716 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 BZV55B 500 MW Mini Mell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 100 Ma 2 µA @ 1 V 3,3 v 85 ohms
HS1FL MQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1FL MQG -
RFQ
 ECAD 1489 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB HS1F Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 950 mV @ 1 a 50 ns 5 µA A 300 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
BZT52C4V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C4V3 0,0412
RFQ
 ECAD 9646 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52C4V3TR Ear99 8541.10.0050 6.000 1 V @ 10 Ma 2,7 µA a 1 V 4.3 v 90 ohms
HER3L03G Taiwan Semiconductor Corporation HER3L03G 0,6100
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 ECAD 4499 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial Padrão Do-201d - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,3 V @ 3 A 50 ns 3 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 54pf @ 4V, 1MHz
MBRF16100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF16100HC0G -
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 ECAD 6000 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Descontinuado no sic Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 MBRF16100 Schottky ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mV @ 16 a 300 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 16a -
SSL32 R6 Taiwan Semiconductor Corporation SSL32 R6 -
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 ECAD 4134 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SSL32R6TR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 410 mV @ 3 a 200 µA a 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 3a -
SS22L RQG Taiwan Semiconductor Corporation SS22L RQG -
RFQ
 ECAD 4979 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB SS22 Schottky Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 500 mv @ 2 a 400 µA A 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
BAS40-06 Taiwan Semiconductor Corporation Bas40-06 0,0587
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 ECAD 2215 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas40 Schottky SOT-23 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BAS40-06TR Ear99 8541.10.0070 6.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 1 par ânodo comum 40 v 200Ma 1 V @ 40 Ma 5 ns 200 Na @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C.
1PGSMA4748 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4748 R3G -
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 ECAD 1850 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AC, SMA 1PGSMA4748 1,25 w DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 16,7 V 22 v 23 ohms
TSM6866SDCA Taiwan Semiconductor Corporation TSM6866SDCA 0,7448
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 ECAD 7221 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) TSM6866 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.6W (TC) 8-TSSOP download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM6866SDCATR Ear99 8541.29.0095 12.000 2 n-canal 20V 6a (ta) 30mohm @ 6a, 4.5V 0,6V A 250µA 7NC @ 4.5V 565pf @ 8V Padrão
MUR190AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Mur190aha0g -
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 ECAD 3141 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Última Vez compra Através do buraco Do-204al, DO-41, axial MUR190 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 900 v 1,7 V @ 1 A 75 ns 5 µA A 900 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
BZS55C6V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C6V2 0,0340
RFQ
 ECAD 2188 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 1206 (3216 Mética) BZS55 500 MW 1206 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZS55C6V2TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 10 Ma 100 Na @ 2 V 6.2 v 10 ohms
SFS1003G MNG Taiwan Semiconductor Corporation SFS1003G Mng -
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 ECAD 3118 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab SFS1003 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 975 mV @ 5 A 35 ns 1 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a 70pf @ 4V, 1MHz
SRA1090H Taiwan Semiconductor Corporation SRA1090H -
RFQ
 ECAD 6284 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Schottky TO-220AC - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SRA1090H Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 90 v 850 mV @ 10 A 100 µA A 90 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
ZM4729A Taiwan Semiconductor Corporation ZM4729A 0.0830
RFQ
 ECAD 2755 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície Do-213ab, Mell ZM4729 1 w Mell download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-ZM4729ATR Ear99 8541.10.0050 5.000 100 µA @ 1 V 3,6 v 10 ohms
S15KCH Taiwan Semiconductor Corporation S15KCH 0,3192
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 ECAD 3872 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1.1 V @ 15 A 1 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 15a 93pf @ 4V, 1MHz
SFF1003GAH Taiwan Semiconductor Corporation SFF1003GAH -
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 ECAD 8642 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SFF1003 Padrão ITO-220AB - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SFF1003GAH Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par ânodo comum 150 v 10a (DC) 975 mV @ 5 A 35 ns 10 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BZD27C36PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36PHR3G -
RFQ
 ECAD 6462 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 27 V 36 v 40 ohms
BZX55B18 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B18 A0G -
RFQ
 ECAD 1589 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX55 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1 V @ 100 Ma 100 Na @ 14 V 18 v 50 ohms
BZT52B6V8-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B6V8-G 0,0461
RFQ
 ECAD 7029 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 BZT52B 410 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52B6V8-GTR Ear99 8541.10.0050 6.000 900 mV a 10 mA 2 µA A 4 V 6,8 v 15 ohms
UDZS10B Taiwan Semiconductor Corporation Udzs10b 0,0357
RFQ
 ECAD 3618 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F Udzs10 200 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-UDZS10BTR Ear99 8541.10.0050 10.000 180 Na @ 7 V 10 v 20 ohms
HERAF807G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF807G -
RFQ
 ECAD 3972 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Padrão ITO-220AC - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-HERAF807G Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,7 V @ 8 a 80 ns 10 µA a 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 60pf @ 4V, 1MHz
BZY55B22 Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B22 0,0491
RFQ
 ECAD 3655 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 0805 (2012 Mética) Bzy55 500 MW 0805 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZY55B22TR Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 10 Ma 100 Na @ 16 V 22 v 55 ohms
BZT52B16 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B16 0,0412
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 ECAD 9047 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F BZT52B 500 MW SOD-123F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52B16TR Ear99 8541.10.0050 6.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 11,2 V 16 v 40 ohms
HER1606PTH Taiwan Semiconductor Corporation HER1606PTH 1.4388
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 ECAD 4321 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 Padrão TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-HER1606PTH Ear99 8541.10.0080 900 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 16a 1,7 V @ 8 a 80 ns 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BZD17C75P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C75P RFG -
RFQ
 ECAD 5704 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD17 800 MW Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 mA 1 µA @ 56 V 75 v 100 ohms
MTZJ5V6SC Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj5v6sc 0.0305
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 ECAD 5074 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AG, DO-34, axial Mtzj5 500 MW Do-34 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MTZJ5V6SCTR Ear99 8541.10.0050 10.000 5 µA A 2,5 V 5,6 v 60 ohms
BZT55C39 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C39 L1G -
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 ECAD 1938 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 BZT55 500 MW Mini Mell download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 Na @ 28 V 39 v 90 ohms
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