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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Corrente - Retificada Média (IO) | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TS6P04G D2G | - | ![]() | 2683 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS6P04 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 6 A | 10 µA A 400 V | 6 a | Fase Única | 400 v | |
![]() | TS6P05GHC2G | - | ![]() | 9788 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS6P05 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 6 A | 10 µA A 600 V | 6 a | Fase Única | 600 v | |
![]() | TS6P07GHC2G | - | ![]() | 3681 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS6P07 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 6 A | 10 µA A 1000 V | 6 a | Fase Única | 1 kv | |
![]() | TS8P01GHD2G | - | ![]() | 8676 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P01 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA a 50 V | 8 a | Fase Única | 50 v | |
![]() | TS8P02G C2G | - | ![]() | 2472 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P02 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 100 V | 8 a | Fase Única | 100 v | |
![]() | TS8P02GHC2G | - | ![]() | 8393 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P02 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 100 V | 8 a | Fase Única | 100 v | |
![]() | TS8P03G C2G | - | ![]() | 1558 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P03 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 200 V | 8 a | Fase Única | 200 v | |
![]() | TS8P03G D2G | - | ![]() | 6294 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P03 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 200 V | 8 a | Fase Única | 200 v | |
![]() | TS8P03GHC2G | - | ![]() | 3230 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P03 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 200 V | 8 a | Fase Única | 200 v | |
![]() | TS8P03GHD2G | - | ![]() | 8175 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P03 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 200 V | 8 a | Fase Única | 200 v | |
![]() | TS8P04GH | - | ![]() | 7919 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P04 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 400 V | 8 a | Fase Única | 400 v | |
![]() | TS8P06G | 1.0245 | ![]() | 6043 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P06 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA a 800 V | 8 a | Fase Única | 800 v | |
![]() | TS8P07G C2G | - | ![]() | 3364 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-SIP, TS-6P | TS8P07 | Padrão | TS-6P | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 8 A | 10 µA A 1000 V | 8 a | Fase Única | 1 kv | |
TSS4B02GHC2G | - | ![]() | 8078 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, TS-4B | TSS4B02 | Padrão | TS4B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 980 mV @ 4 a | 5 µA A 100 V | 4 a | Fase Única | 100 v | ||
TSS4B03G C2G | - | ![]() | 1395 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, TS-4B | TSS4B03 | Padrão | TS4B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 980 mV @ 4 a | 5 µA A 200 V | 4 a | Fase Única | 200 v | ||
TSS4B03GHD2G | - | ![]() | 8319 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, TS-4B | TSS4B03 | Padrão | TS4B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 980 mV @ 4 a | 5 µA A 200 V | 4 a | Fase Única | 200 v | ||
TSS4B04G C2G | - | ![]() | 5157 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, TS-4B | TSS4B04 | Padrão | TS4B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1,3 V @ 4 a | 5 µA A 400 V | 4 a | Fase Única | 400 v | ||
DBL205GH | 0,2874 | ![]() | 3176 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dbl205 | Padrão | Dbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,15 V @ 2 A | 2 µA A 600 V | 2 a | Fase Única | 600 v | ||
![]() | DBL207GH | 0,2874 | ![]() | 8013 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Dbl207 | Padrão | Dbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,15 V @ 2 A | 2 µA A 1000 V | 2 a | Fase Única | 1 kv | |
DBLS101G C1G | - | ![]() | 8226 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DBLS101 | Padrão | Dbls | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1 A | 2 µA a 50 V | 1 a | Fase Única | 50 v | ||
DBLS102G C1G | - | ![]() | 5804 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DBLS102 | Padrão | Dbls | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1 A | 2 µA A 100 V | 1 a | Fase Única | 100 v | ||
DBLS104G C1G | - | ![]() | 7612 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DBLS104 | Padrão | Dbls | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1 A | 2 µA A 400 V | 1 a | Fase Única | 400 v | ||
DBLS106G C1G | - | ![]() | 9954 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DBLS106 | Padrão | Dbls | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1 A | 2 µA A 800 V | 1 a | Fase Única | 800 v | ||
DBLS106GHC1G | - | ![]() | 7362 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DBLS106 | Padrão | Dbls | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1 A | 2 µA A 800 V | 1 a | Fase Única | 800 v | ||
DBLS107GHC1G | - | ![]() | 3233 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DBLS107 | Padrão | Dbls | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1 A | 2 µA A 1000 V | 1 a | Fase Única | 1 kv | ||
DBLS151G C1G | - | ![]() | 6632 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DBLS151 | Padrão | Dbls | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1,5 A | 2 µA a 50 V | 1.5 a | Fase Única | 50 v | ||
DBLS152G C1G | - | ![]() | 2547 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DBLS152 | Padrão | Dbls | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1,5 A | 2 µA A 100 V | 1.5 a | Fase Única | 100 v | ||
DBLS155G C1G | - | ![]() | 4793 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DBLS155 | Padrão | Dbls | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1,5 A | 2 µA A 600 V | 1.5 a | Fase Única | 600 v | ||
DBLS159G C1G | - | ![]() | 2936 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DBLS159 | Padrão | Dbls | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,25 V @ 1,5 A | 2 µA A 1400 V | 1.5 a | Fase Única | 1,4 kV | ||
DBLS201G C1G | - | ![]() | 4917 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DBLS201 | Padrão | Dbls | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,15 V @ 2 A | 2 µA a 50 V | 2 a | Fase Única | 50 v |
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