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Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Número do Produto	Preço (USD)	Quantidade	Quantidade Dispon Svel	Mfr	Série	Pacote	Status do produto	Tolerânia	Temperatura operacional	Tipo de Montagem	Pacote / Caso	Número do Produto Base	Tecnologia	Poder - Máx	Pacote de Dispositivo de Fornecedor	Ficha de Dadas	Status do rohs	Status de alcance	Nomes de Ulros	ECCN	Htsus	PACOTE PADROO	Configuraça	Velocidade	Escorra para um tensão de origem (VDSS)	Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C	Rds em (max) @ id, vgs	VGS (th) (max) @ id	Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS	CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Recurso FET	Configuraça do Diodo	Tensão - DC Reversa (VR) (Max)	Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo)	Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se	Tempo de RecuperAção Reversa (TRR)	ATUAL - Vazamento Reverso @ VR	Temperatura operacional - Junção	Corrente - Retificada Média (IO)	CapacitânCia @ VR, F	Tipo de diodo	Tensão - Pico Reverso (Max)	Tensão - Zener (NOM) (VZ)	Impedioso (máx) (ZZT)
KBPF204G	0,4866	RFQ	2698	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tubo	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4-sip, kbpf	KBPF204	Padrão		KBPF	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-KBPF204G	Ear99	8541.10.0080	2.100													1,1 V @ 2 A		5 µA A 400 V		2 a		Fase Única	400 v
GBL204H	0,4061	RFQ	1760	Taiwan Semiconductor Corporation	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4-sip, gbl	GBL204	Padrão		Gbl	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-GBL204H	Ear99	8541.10.0080	1.200													1 V @ 2 A		5 µA A 400 V		2 a		Fase Única	400 v
GBPC2506M	3.1925	RFQ	1365	Taiwan Semiconductor Corporation	GBPC25	Bandeja	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem do chassi	4 quadrados, GBPC-M	GBPC2506	Padrão		GBPC-M	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-GBPC2506M	Ear99	8541.10.0080	200													1,1 V @ 12,5 A		5 µA A 600 V		25 a		Fase Única	600 v
GBL207H	0,4061	RFQ	3901	Taiwan Semiconductor Corporation	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4-sip, gbl	GBL207	Padrão		Gbl	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-GBL207H	Ear99	8541.10.0080	1.200													1 V @ 2 A		5 µA A 1000 V		2 a		Fase Única	1 kv
BZX55B13	0.0301	RFQ	3454	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	BZX55		500 MW	DO-35	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-BZX55B13TR	Ear99	8541.10.0050	10.000													1 V @ 100 Ma		100 Na @ 10 V						13 v	26 ohms
GBL04H	0,6044	RFQ	6560	Taiwan Semiconductor Corporation	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4-sip, gbl	GBL04	Padrão		Gbl	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-GBL04H	Ear99	8541.10.0080	1.200													1 V @ 2 A		5 µA A 400 V		3 a		Fase Única	400 v
1PGSMC5356	0,3266	RFQ	9566	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	DO-214AB, SMC	1pgsmc		5 w	DO-214AB (SMC)	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-1PGSMC5356TR	Ear99	8541.10.0050	3.000															500 Na @ 14,4 V						19 v	3 ohms
BZD17C51P	0,2625	RFQ	1644	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 5,88%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SOD-123	BZD17		800 MW	Sub sma	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-BZD17C51PTR	Ear99	8541.10.0050	10.000													1,2 V @ 200 mA		1 µA A 39 V						51 v	60 ohms
MBR25100CT-Y	0,7462	RFQ	3570	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tubo	Ativo			Através do buraco	To-220-3	MBR25100	Schottky		TO-220AB	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-MBR25100CT-Y	Ear99	8541.10.0080	1.000		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)								1 par cátodo comum	100 v	25a	920 mV @ 25 A		100 µA A 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
T15JA05G-K	1.2234	RFQ	3760	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tubo	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4-SIP, TS-6P	T15JA	Padrão		TS-6P	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-T15JA05G-K	Ear99	8541.10.0080	1.500													1.1 V @ 15 A		5 µA A 600 V		15 a		Fase Única	600 v
GBPC3508	3.7238	RFQ	9444	Taiwan Semiconductor Corporation	GBPC35	Bandeja	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem do chassi	4 Quadrados, GBPC	GBPC3508	Padrão		GBPC	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-GBPC3508	Ear99	8541.10.0080	200													1,1 V @ 17,5 A		5 µA A 800 V		35 a		Fase Única	800 v
GBPC5006M	4.5670	RFQ	5032	Taiwan Semiconductor Corporation	GBPC50	Bandeja	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem do chassi	4 Quadrados, GBPC	GBPC5006	Padrão		GBPC	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-GBPC5006M	Ear99	8541.10.0080	200													1.1 V @ 25 A		10 µA A 600 V		50 a		Fase Única	600 v
BZT52C12K	0,0474	RFQ	6144	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SC-79, SOD-523	BZT52C		200 MW	SOD-523F	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-BZT52C12KTR	Ear99	8541.10.0050	6.000															100 Na @ 9 V						12 v	25 ohms
Mtzj12sa	0.0305	RFQ	5592	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	DO-204AG, DO-34, axial	Mtzj12		500 MW	Do-34	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-mtzj12Satr	Ear99	8541.10.0050	10.000															200 Na @ 9 V						11.42 v	30 ohms
Rsfdlh	0,1815	RFQ	5860	Taiwan Semiconductor Corporation	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	SOD-123		Padrão		Sub sma	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-rsfdlhtr	Ear99	8541.10.0070	10.000		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)									200 v		1,3 V @ 500 mA	150 ns	5 µA A 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	500mA	4pf @ 4V, 1MHz
TS25PL06GH	4.6932	RFQ	6040	Taiwan Semiconductor Corporation	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4-SIP, TS-6P	TS25	Padrão		TS-6P	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-TS25PL06GH	Ear99	8541.10.0080	1.200													950 mV @ 12,5 A		10 µA a 800 V		25 a		Fase Única	800 v
TSM6968DCA	0,7714	RFQ	7202	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura)	TSM6968	MOSFET (ÓXIDO DE METAL)	1.04W (TA)	8-TSSOP	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-TSM6968DCATR	Ear99	8541.29.0095	12.000	2 n-canal		20V	6.5a (ta)	22mohm @ 6a, 4.5V	1V a 250µA	20NC @ 4.5V	950pf @ 10V	Padrão
UR2KB80	0,4895	RFQ	6467	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tubo	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4 -SIP	UR2KB	Padrão		D3K	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-UR2KB80	Ear99	8541.10.0080	1.500													1,05 V @ 1 A		10 µA a 800 V		2 a		Fase Única	800 v
BZX55B43	0.0301	RFQ	4325	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	BZX55		500 MW	DO-35	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-BZX55B43TR	Ear99	8541.10.0050	10.000													1 V @ 100 Ma		100 Na @ 32 V						43 v	90 ohms
TBS806	0,7757	RFQ	3194	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Reel (TR)	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	4-SMD, Asa de Gaivota	TBS8	Padrão		TBS	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-TBS806TR	Ear99	8541.10.0080	1.800													1,05 V @ 8 A		5 µA A 600 V		8 a		Fase Única	600 v
TS6KL60H	0,5706	RFQ	3479	Taiwan Semiconductor Corporation	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4-sip, kbjl	TS6KL60	Padrão		KBJL	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-TS6KL60H	Ear99	8541.10.0080	2.000													1,05 V @ 3 A		5 µA A 600 V		6 a		Fase Única	600 v
SRS1660H	0,7983	RFQ	9371	Taiwan Semiconductor Corporation	Automotivo, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Ativo			Montagem na Superfície	TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab	SRS1660	Schottky		TO-263AB (D2PAK)	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-SRS1660HTR	Ear99	8541.10.0080	1.600		RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io)								1 par cátodo comum	60 v	16a	700 mv @ 8 a		500 µA A 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C.
HDBL105GH	0,4257	RFQ	7825	Taiwan Semiconductor Corporation	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)		Padrão		Dbl	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-HDBL105GH	Ear99	8541.10.0080	5.000													1,7 V @ 1 A		5 µA A 600 V		1 a		Fase Única	600 v
GBPC1508M	3.1925	RFQ	8400	Taiwan Semiconductor Corporation	GBPC15	Bandeja	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem do chassi	4 quadrados, GBPC-M	GBPC1508	Padrão		GBPC-M	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-GBPC1508M	Ear99	8541.10.0080	200													1,1 V @ 7,5 A		5 µA A 800 V		15 a		Fase Única	800 v
TS6P07GH	0,9129	RFQ	5272	Taiwan Semiconductor Corporation	Automotivo, AEC-Q101	Tubo	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4-SIP, TS-6P	TS6P	Padrão		TS-6P	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-TS6P07GH	Ear99	8541.10.0080	1.200													1,1 V @ 6 A		10 µA A 1000 V		6 a		Fase Única	1 kv
GBPC3504W	3.7238	RFQ	2511	Taiwan Semiconductor Corporation	GBPC35	Bandeja	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Através do buraco	4 Quadrados, GBPC-W	GBPC3504	Padrão		GBPC-W	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-GBPC3504W	Ear99	8541.10.0080	200													1,1 V @ 17,5 A		5 µA A 400 V		35 a		Fase Única	400 v
BZT52B10	0,0412	RFQ	8224	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SOD-123F	BZT52B		500 MW	SOD-123F	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-BZT52B10TR	Ear99	8541.10.0050	6.000													1 V @ 10 Ma		180 Na @ 7 V						10 v	20 ohms
BZX55C43	0,0287	RFQ	1990	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Através do buraco	Do-204ah, do-35, axial	BZX55		500 MW	DO-35	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-BZX55C43TR	Ear99	8541.10.0050	10.000													1 V @ 100 Ma		100 Na @ 32 V						43 v	90 ohms
GBPC1504	3.1618	RFQ	6633	Taiwan Semiconductor Corporation	GBPC15	Bandeja	Ativo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem do chassi	4 Quadrados, GBPC	GBPC1504	Padrão		GBPC	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-GBPC1504	Ear99	8541.10.0080	200													1,1 V @ 7,5 A		5 µA A 400 V		15 a		Fase Única	400 v
BZT52C3V3S	0,0357	RFQ	1357	Taiwan Semiconductor Corporation	-	Tape & Reel (TR)	Ativo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montagem na Superfície	SC-90, SOD-323F	BZT52C		200 MW	SOD-323F	download	ROHS3 Compatível	Alcançar Não Afetado	1801-BZT52C3V3STR	Ear99	8541.10.0050	10.000													1 V @ 10 Ma		4,5 µA a 1 V						3,3 v	95 ohms