SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
S4M R7G Taiwan Semiconductor Corporation S4M R7G 0,4100
RFQ
ECAD 98 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC S4M Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,15 V @ 4 A 10 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a 60pf @ 4V, 1MHz
1N4754AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4754AH 0.1188
RFQ
ECAD 1331 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1N4754 1 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 5 µA a 29,7 V 39 v 60 ohms
GP1605H Taiwan Semiconductor Corporation GP1605H 0,6437
RFQ
ECAD 5933 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 GP1605 Padrão TO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-GP1605H Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 600 v 16a 1,1 V @ 8 A 10 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C.
FR201G Taiwan Semiconductor Corporation FR201G -
RFQ
ECAD 2376 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Padrão DO-204AC (DO-15) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-FR201GTR Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,3 V @ 2 A 150 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 10pf @ 4V, 1MHz
HS1JL RFG Taiwan Semiconductor Corporation Hs1jl rfg -
RFQ
ECAD 2283 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB HS1J Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 1 A 75 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
SKLWH Taiwan Semiconductor Corporation Sklwh 0,0567
RFQ
ECAD 2735 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123W Padrão SOD-123W download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SKLWHTR Ear99 8541.10.0080 20.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,1 V @ 800 mA 1 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 800mA 7pf @ 4V, 1MHz
BZX85C7V5 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C7V5 0,0645
RFQ
ECAD 3550 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204al, DO-41, axial BZX85 1.3 w DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX85C7V5TR Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 10 Ma 1 µA A 4,5 V 7,5 v 3 ohms
1PGSMC5369 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5369 0,3249
RFQ
ECAD 4086 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1PGSMC5369TR Ear99 8541.10.0050 3.000 500 Na @ 38,8 V 51 v 27 ohms
MBRF20200CT C0 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20200CT C0 -
RFQ
ECAD 3095 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 20a 1,05 V @ 20 A 100 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BZT52B13-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B13-G 0,0461
RFQ
ECAD 1845 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 BZT52B 410 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52B13-GTR Ear99 8541.10.0050 6.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 8 V 13 v 30 ohms
BZX55B15 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B15 A0G -
RFQ
ECAD 7928 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX55 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 5.000 1 V @ 100 Ma 100 Na @ 11 V 15 v 30 ohms
BZT52B43 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B43 RHG 0,3000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F BZT52B 500 MW SOD-123F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 45 Na @ 30,1 V 43 v 150 ohms
TQM250NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM250NB06CR RLG 2.5000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem NA Superfície, Flanco Molhado 8-PowerTdfn TQM250 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-PDFNU (5x6) - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 v 7a (ta), 32a (tc) 7V, 10V 25mohm @ 7a, 10V 3,8V a 250µA 24 nc @ 10 V ± 20V 1396 pf @ 30 V - 3.1W (TA), 68W (TC)
BZD27C100P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C100P R3G 0,4700
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 75 V 100 v 200 ohms
SRAF5150 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF5150 C0G -
RFQ
ECAD 7409 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 SRAF5150 Schottky ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 950 mV @ 5 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a -
SR010HR1G Taiwan Semiconductor Corporation SR010HR1G -
RFQ
ECAD 8055 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial SR010 Schottky DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mV a 500 mA 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 500mA 65pf @ 4V, 1MHz
TSM060N03ECP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03ECP ROG 1.7200
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM060 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível 3 (168 Horas) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 70A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 20a, 10V 2,5V a 250µA 11,1 nc @ 4,5 V ± 20V 1210 pf @ 25 V - 54W (TC)
MBR3045PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR3045PT 1.7416
RFQ
ECAD 6292 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-247-3 MBR3045 Schottky TO-247AD (TO-3P) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 45 v 30a 820 mV @ 30 A 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C.
TSM60N900CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N900CH C5G 0,5685
RFQ
ECAD 3215 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Não é para desenhos para Novos -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA TSM60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 600 v 4.5a (TC) 10V 900mohm @ 2.3a, 10V 4V A 250µA 9,7 nc @ 10 V ± 30V 480 pf @ 100 V - 50W (TC)
BZT52C4V7S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C4V7S 0,0357
RFQ
ECAD 9392 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW SOD-323F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52C4V7STR Ear99 8541.10.0050 10.000 1 V @ 10 Ma 2,7 µA @ 2 V 4,7 v 80 ohms
SR203 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR203 A0G -
RFQ
ECAD 3662 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial SR203 Schottky DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 550 mv @ 2 a 500 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 2a -
2M6.8ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m6.8zhb0g -
RFQ
ECAD 5059 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial 2m6.8 2 w DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.000 1 mA a 5,5 V 6,8 v 1,5 ohms
GPA802 C0G Taiwan Semiconductor Corporation GPA802 C0G -
RFQ
ECAD 8028 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 GPA802 Padrão TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,1 V @ 8 A 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 50pf @ 4V, 1MHz
1N5236B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5236B 0,0277
RFQ
ECAD 9835 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% 200 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5236 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1N5236BTR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 mA 3 µA a 6 V 7,5 v 6 ohms
HS2AA M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA M2G -
RFQ
ECAD 3754 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AC, SMA HS2A Padrão DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1 V @ 1,5 A 50 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 50pf @ 4V, 1MHz
SF16G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF16G A0G -
RFQ
ECAD 2900 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial SF16 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 1 a 35 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4V, 1MHz
SD103AM3 Taiwan Semiconductor Corporation SD103am3 0,0330
RFQ
ECAD 1026 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F SD103 Schottky SOD-323F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SD103am3tr Ear99 8541.10.0070 9.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 600 mV a 200 mA 5 µA A 30 V -55 ° C ~ 125 ° C. 350mA 50pf @ 0V, 1MHz
BZD17C11P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P RHG -
RFQ
ECAD 3146 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD17 800 MW Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 1,2 V @ 200 mA 4 µA a 8,2 V 11 v 7 ohms
BZX584B75 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B75 0,0379
RFQ
ECAD 6364 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW SOD-523F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX584B75TR Ear99 8541.10.0050 8.000 900 mV a 10 mA 100 Na @ 56 V 75 v 265 ohms
ES2JAF-T Taiwan Semiconductor Corporation Es2jaf-t 0,1258
RFQ
ECAD 8890 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads Padrão SMAF download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-ES2JAF-TTR Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 2 A 35 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 12pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque