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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
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![]() | 1N5818 A0G | - | ![]() | 2876 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N5818 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 1 mA a 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 55pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
1PGSMA200ZHR3G | 0,4800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1PGSMA200 | 1,25 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 152 V | 200 v | 1500 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C13P RTG | - | ![]() | 9291 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,41% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 mA | 2 µA A 10 V | 13,25 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B20S RRG | - | ![]() | 7258 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | BZT52B | 200 MW | SOD-323F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 Ma | 45 Na @ 14 V | 20 v | 55 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFAF1607GHC0G | - | ![]() | 8019 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | SFAF1607 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,7 V @ 16 a | 35 ns | 10 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 100pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
HS1GL MHG | - | ![]() | 6297 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | HS1G | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2M56Z B0G | - | ![]() | 3969 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | 2M56 | 2 w | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 500 Na @ 42,6 V | 56 v | 55 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337-40-B0 B1 | - | ![]() | 4768 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Parágrafo 92 | - | Alcançar Não Afetado | 1801-BC337-40-B0B1 | Obsoleto | 1 | 45 v | 800 mA | 100na (ICBO) | Npn | 700mv @ 50Ma, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR190HB0G | - | ![]() | 9103 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | MUR190 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 900 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 900 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79B3V0 A0G | - | ![]() | 2524 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX79 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 100 Ma | 1 mA a 50 V | 3 v | 95 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF47G A0G | - | ![]() | 4350 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SF47 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 500 v | 1,7 V @ 4 a | 35 ns | 5 µA A 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS30H45CTH | 0,9057 | ![]() | 5350 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS30 | Schottky | TO-263AB (D2PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRS30H45CTHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.600 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 30a | 900 mV @ 30 A | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27C18PH | 0,2933 | ![]() | 1614 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,41% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOD-123 | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZD27C18PHTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA A 13 V | 17,95 v | 15 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5232B A0G | - | ![]() | 2316 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 5% | 100 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N5232 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,1 V @ 200 mA | 5 µA @ 3 V | 5,6 v | 11 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rs2g | 0,0946 | ![]() | 9818 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Rs2g | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 2 A | 150 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR505 A0G | - | ![]() | 4935 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | SR505 | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 5 a | 500 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR2560CT | - | ![]() | 2478 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-3 | MBR2560 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 25a | 750 mV @ 25 A | 200 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5221B A0G | - | ![]() | 6879 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | ± 5% | 100 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N5221 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,1 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 2,4 v | 30 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PGSMB5935 | 0,1706 | ![]() | 9565 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | 1PGSMB59 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | 3 w | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA a 20,6 V | 27 v | 23 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC547A A1 | - | ![]() | 5168 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | 500 MW | Parágrafo 92 | download | Alcançar Não Afetado | 1801-BC547AA1TB | Obsoleto | 1 | 45 v | 100 ma | 15na (ICBO) | Npn | - | 110 @ 2MA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM090N03ECP ROG | 1.5900 | ![]() | 21 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM090 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 16a, 10V | 2,5V a 250µA | 7,7 nc @ 4,5 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||
1SMA5955 R3G | - | ![]() | 4175 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | 1SMA5955 | 1,5 w | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 500 Na @ 136,8 V | 180 v | 900 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS210H | 0,4300 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SS210 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 850 mv @ 2 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR3045CTH | - | ![]() | 4395 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-220-3 | MBR3045 | Schottky | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 45 v | 30a | 820 mV @ 30 A | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS3BB M4G | - | ![]() | 4611 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | HS3B | Padrão | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZM4758A L0G | 0.0830 | ![]() | 9596 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | ZM4758 | 1 w | Mell | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA a 42,6 V | 56 v | 110 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS32H | - | ![]() | 5036 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SS32HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mv @ 3 a | 500 µA A 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR104HA0G | - | ![]() | 4707 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | SR104 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV @ 1 a | 500 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Es3g v7g | 1.1600 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Es3g | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55B16 | 0,0385 | ![]() | 9223 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Variante SOD-80 | 500 MW | Qmmelf | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZT55B16TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 10 Ma | 100 Na @ 12 V | 16 v | 40 ohms |
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