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Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT)
MUR8L60 Taiwan Semiconductor Corporation MUR8L60 -
RFQ
 ECAD 5913 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Padrão TO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-MUR8L60 Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 8 A 65 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a -
UF1A Taiwan Semiconductor Corporation Uf1a -
RFQ
 ECAD 6324 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Padrão DO-204AL (DO-41) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-UF1atr Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 17pf @ 4V, 1MHz
TS25P02G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P02G -
RFQ
 ECAD 1930 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P Padrão TS-6P ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-TS25P02G Ear99 8541.10.0080 1.200 1.1 V @ 25 A 10 µA A 100 V 25 a Fase Única 100 v
GBLA01H Taiwan Semiconductor Corporation GBLA01H -
RFQ
 ECAD 1243 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, gbl Padrão Gbl ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-GBLA01H Ear99 8541.10.0080 1.200 1 V @ 4 a 5 µA A 100 V 3 a Fase Única 100 v
MBR1645H Taiwan Semiconductor Corporation MBR1645H -
RFQ
 ECAD 5131 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Schottky TO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-MBR1645H Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 630 mV @ 16 a 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 16a -
UG8JH Taiwan Semiconductor Corporation Ug8jh -
RFQ
 ECAD 4862 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Padrão TO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-UG8JH Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,9 V @ 8 A 25 ns 30 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
GBLA02 Taiwan Semiconductor Corporation GBLA02 -
RFQ
 ECAD 4143 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, gbl Padrão Gbl ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-GBLA02 Ear99 8541.10.0080 1.200 1 V @ 4 a 5 µA A 200 V 3 a Fase Única 200 v
HDBL102G Taiwan Semiconductor Corporation HDBL102G -
RFQ
 ECAD 9742 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Padrão Dbl ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-HDBL102G Ear99 8541.10.0080 5.000 1 V @ 1 A 5 µA A 100 V 1 a Fase Única 100 v
HDBL101G Taiwan Semiconductor Corporation HDBL101G -
RFQ
 ECAD 6287 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) Padrão Dbl ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-HDBL101G Ear99 8541.10.0080 5.000 1 V @ 1 A 5 µA a 50 V 1 a Fase Única 50 v
TS6P06G Taiwan Semiconductor Corporation TS6P06G 1.6200
RFQ
 ECAD 2727 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P Padrão TS-6P ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-TS6P06G Ear99 8541.10.0080 1.200 1,1 V @ 6 A 10 µA a 800 V 6 a Fase Única 800 v
SFT11G Taiwan Semiconductor Corporation Sft11g -
RFQ
 ECAD 8278 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco T-18, axial Padrão TS-1 ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SFT11GTR Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 1 a 35 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
1N5407GH A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5407GH A0G -
RFQ
 ECAD 4724 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial Padrão Do-201d ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-1N5407GHA0GTR Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1 V @ 3 A 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 25pf @ 4V, 1MHz
GBLA005H Taiwan Semiconductor Corporation GBLA005H -
RFQ
 ECAD 5953 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, gbl Padrão Gbl ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-GBLA005H Ear99 8541.10.0080 1.200 1 V @ 4 a 5 µA a 50 V 3 a Fase Única 50 v
GBU803 Taiwan Semiconductor Corporation GBU803 -
RFQ
 ECAD 5206 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4 -SIP, GBU Padrão GBU ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-GBU803 Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 8 A 5 µA A 200 V 8 a Fase Única 200 v
TS20P01G Taiwan Semiconductor Corporation TS20P01G -
RFQ
 ECAD 2395 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P Padrão TS-6P ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-TS20P01G Ear99 8541.10.0080 1.200 1,1 V @ 20 A 10 µA a 50 V 20 a Fase Única 50 v
SRAF8100 Taiwan Semiconductor Corporation SRAF8100 -
RFQ
 ECAD 7999 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Schottky ITO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SRAF8100 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 550 mV @ 8 a 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
MBRF5150H Taiwan Semiconductor Corporation MBRF5150H -
RFQ
 ECAD 6639 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Schottky ITO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-MBRF5150H Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 1,02 V @ 5 A 100 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a -
TS10P04G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P04G -
RFQ
 ECAD 7831 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P Padrão TS-6P ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-TS10P04G Ear99 8541.10.0080 1.200 1,1 V @ 10 A 10 µA A 400 V 10 a Fase Única 400 v
KBU1001G Taiwan Semiconductor Corporation KBU1001G -
RFQ
 ECAD 7722 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Bandeja Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu Padrão KBU ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-KBU1001G Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 10 A 5 µA a 50 V 10 a Fase Única 50 v
UGF12JDH Taiwan Semiconductor Corporation UGF12JDH -
RFQ
 ECAD 4323 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Padrão ITO-220AC ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-UGF12JDH Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 3,1 V @ 12 A 45 ns 500 Na @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 12a -
TS25P02GH Taiwan Semiconductor Corporation TS25P02GH -
RFQ
 ECAD 2024 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P Padrão TS-6P ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-TS25P02GH Ear99 8541.10.0080 1.200 1.1 V @ 25 A 10 µA A 100 V 25 a Fase Única 100 v
UF1AH Taiwan Semiconductor Corporation Uf1ah -
RFQ
 ECAD 9540 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Padrão DO-204AL (DO-41) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-UF1AHTR Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 17pf @ 4V, 1MHz
1PGSMC5359 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5359 V7G -
RFQ
 ECAD 2561 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-1PGSMC5359V7GTR Ear99 8541.10.0050 850 500 Na @ 18,2 V 24 v 4 ohms
1PGSMC5361 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5361 V7G -
RFQ
 ECAD 2634 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-1PGSMC5361V7GTR Ear99 8541.10.0050 850 500 Na @ 20,6 V 27 v 5 ohms
1PGSMC5362 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5362 V7G -
RFQ
 ECAD 3911 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-1PGSMC5362V7GTR Ear99 8541.10.0050 850 500 Na @ 21,2 V 28 v 6 ohms
1PGSMC5366 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5366 V7G -
RFQ
 ECAD 4970 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-1PGSMC5366V7GTR Ear99 8541.10.0050 850 500 Na @ 29,7 V 39 v 14 ohms
1PGSMB5933H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5933H 0,1798
RFQ
 ECAD 9391 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AA, SMB 3 w DO-214AA (SMB) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1 µA A 16,7 V 22 v 17,5 ohms
1PGSMC5360H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5360H 0,3459
RFQ
 ECAD 5001 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101, 1PGSMC53 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 500 Na @ 19 V 25 v 4 ohms
RS3KH Taiwan Semiconductor Corporation Rs3kh 0,1791
RFQ
 ECAD 2750 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,3 V @ 3 A 500 ns 10 µA a 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a -
1PGSMB5952 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5952 0.1689
RFQ
 ECAD 7719 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AA, SMB 3 w DO-214AA (SMB) ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 1 µA a 98,8 V 130 v 450 ohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

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