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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tolerânia | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Configuraça do Diodo | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F | Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) | Corrente - Coletor (IC) (Max) | Tipo de diodo | Tensão - Pico Reverso (Max) | Corrente - Corte de Colecionador (Max) | Tensão - Zener (NOM) (VZ) | Impedioso (máx) (ZZT) | Tipo de transistor | Vce saturação (max) @ ib, ic | Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE | Frequencia - Transmissão |
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![]() | TQM019NH04CR RLG | 6.5400 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101, FET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-PDFNU (4.9x5.75) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 40 v | 30a (ta), 100a (tc) | 7V, 10V | 1.9mohm @ 50a, 10V | 3,6V a 250µA | 134 NC @ 10 V | ± 20V | 9044 PF @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD3004 | 0,0616 | ![]() | 9438 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBD3004 | Padrão | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MMBD3004TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 350 v | 1,25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 240 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 225mA | 5pf @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Puup4dh | 0,8700 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 930 mV @ 4 a | 25 ns | 2 µA a 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 71pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX584B6V2 | 0,0639 | ![]() | 5084 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZX584B6V2TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 104.000 | 3 µA A 4 V | 6.2 v | 10 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR2060PTH | 1.5671 | ![]() | 2682 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-3 | MBR2060 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MBR2060PTH | Ear99 | 8541.10.0080 | 900 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 60 v | 20a | 950 mV @ 20 A | 100 µA A 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
GBL06 | 1.2200 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, gbl | GBL06 | Padrão | Gbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 V @ 2 A | 5 µA A 600 V | 4 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
GBL205 | 0,8800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, gbl | GBL205 | Padrão | Gbl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 V @ 2 A | 5 µA A 600 V | 2 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS10150 | 0,5250 | ![]() | 3116 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRS10150 | Schottky | TO-263AB (D2PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-MBRS10150TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.600 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 1,05 V @ 10 A | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DBLS105G | 0,6400 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DBLS105 | Padrão | Dbls | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,1 V @ 1 A | 2 µA A 600 V | 1 a | Fase Única | 600 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU607 | 1.3600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, GBU | GBU607 | Padrão | GBU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 1,5 A | 5 µA A 1000 V | 6 a | Fase Única | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DBLS102G | 0,3825 | ![]() | 4467 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DBLS102 | Padrão | Dbls | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.1 V @ 15 A | 2 µA A 100 V | 1 a | Fase Única | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DBLS209G | 0,7700 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-SMD, Asa de Gaivota | DBLS209 | Padrão | Dbls | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,3 V @ 2 A | 2 µA A 1400 V | 2 a | Fase Única | 1,4 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBS8 | 0,5200 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-BSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | MBS8 | Padrão | Mbs | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 V @ 2 A | 5 µA A 800 V | 800 mA | Fase Única | 800 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF1602G C0G | - | ![]() | 4548 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-3 | SF1602 | Padrão | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBP305G C2G | - | ![]() | 8654 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-sip, KBP | Padrão | KBP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V @ 3 A | 10 µA A 600 V | 3 a | Fase Única | 600 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZY55C5V1 RYG | - | ![]() | 1955 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 0805 (2012 Mética) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 1 V | 5.1 v | 50 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZD27C75PHRQG | - | ![]() | 1236 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 6,04% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DO-219AB | BZD27 | 1 w | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,2 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 V | 74,5 v | 100 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55B27 | 0.0301 | ![]() | 7490 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | DO-35 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZX55B27TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 100 Ma | 100 Na @ 20 V | 27 v | 80 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZY55B3V3 | 0,0413 | ![]() | 9937 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 0805 (2012 Mética) | Bzy55 | 500 MW | 0805 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-BZY55B3V3TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 3,3 v | 85 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR20150PTH | - | ![]() | 8717 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | To-247-3 | MBR20150 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 150 v | 20a | 1,02 V @ 20 A | 100 µA A 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SRT15 | - | ![]() | 5077 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | Schottky | TS-1 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SRT15TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 1 a | 500 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3904L-UA RFG | - | ![]() | 4856 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | - | 1801-MMBT3904L-UARFG | Obsoleto | 1 | 40 v | 200 MA | 50na | Npn | 300mv @ 5MA, 50MA | 100 @ 10Ma, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK810C R6G | - | ![]() | 1680 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SK810CR6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 900 mV @ 8 a | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzs13b | 0,0354 | ![]() | 7566 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | Udzs13 | 200 MW | SOD-323F | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-UDZS13BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 45 Na @ 10 V | 13 v | 40 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFF506GH | 0,5843 | ![]() | 5309 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Ativo | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | SFF506 | Padrão | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-SFF506GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1 par cátodo comum | 400 v | 5a | 1,3 V @ 2,5 A | 35 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sft12g | - | ![]() | 1512 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | T-18, axial | Padrão | TS-1 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-SFT12GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 950 mV @ 1 a | 35 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPMR10G | 0,4563 | ![]() | 1368 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | TPMR10 | Padrão | TO-277A (SMPC) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TPMR10GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,2 V @ 10 A | 35 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 140pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS5K R7 | - | ![]() | 7880 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Padrão | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-HS5KR7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 5 A | 75 ns | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C18K RKG | 0,0474 | ![]() | 6940 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 Na @ 13 V | 18 v | 45 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585B2V7 RSG | 0,0476 | ![]() | 2730 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | BZX585B2 | 200 MW | SOD-523F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 18 µA A 1 V | 2,7 v | 100 ohms |
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