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Produtos Semicondutores Discretos (15635)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tolerânia Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade TIPO DE FET Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Configuraça do Diodo Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Corrente - Retificada Média (IO) (por Diodo) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Tipo de diodo Tensão - Pico Reverso (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tensão - Zener (NOM) (VZ) Impedioso (máx) (ZZT) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão
BZT52C6V8-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C6V8-G 0,0445
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 ECAD 6915 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52C6V8-GTR Ear99 8541.10.0050 6.000 900 mV a 10 mA 2 µA A 4 V 6,8 v 15 ohms
TS20P05G Taiwan Semiconductor Corporation TS20P05G 1.9200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-SIP, TS-6P TS20P05 Padrão TS-6P download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 15 1,1 V @ 20 A 10 µA A 600 V 20 a Fase Única 600 v
BZD17C12P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C12P RTG -
RFQ
 ECAD 5235 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD17 800 MW Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 3 µA A 9,1 V 12 v 7 ohms
MTZJ30SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj30sb r0g 0.0305
RFQ
 ECAD 5127 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AG, DO-34, axial Mtzj30 500 MW Do-34 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 10.000 200 Na @ 23 V 28.42 v 55 ohms
SK520CHR7G Taiwan Semiconductor Corporation SK520CHR7G -
RFQ
 ECAD 5162 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AB, SMC SK520 Schottky DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 5 A 300 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a -
MBRS2060CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2060CTH 0,6851
RFQ
 ECAD 5689 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRS2060 Schottky TO-263AB (D2PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBRS2060CTHTR Ear99 8541.10.0080 1.600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 60 v 20a 950 mV @ 20 A 100 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
MMBT2222A Taiwan Semiconductor Corporation MMBT2222A 0.0305
RFQ
 ECAD 8271 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2222 300 MW SOT-23 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MMBT2222ATR Ear99 8541.21.0075 6.000 40 v 600 mA 10na (ICBO) Npn 1V @ 50MA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
TSM4NB60CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CH C5G 2.2300
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 ECAD 14 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA TSM4NB60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-251 (IPAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 75 N-canal 600 v 4a (TC) 10V 2.5OHM @ 2A, 10V 4.5V a 250µA 14,5 nc @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 50W (TC)
SFS1004GH Taiwan Semiconductor Corporation SFS1004GH 0,6433
RFQ
 ECAD 8350 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab SFS1004 Padrão TO-263AB (D2PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SFS1004GHTR Ear99 8541.10.0080 1.600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 200 v 10a 975 mV @ 5 A 35 ns 1 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C.
ES1HLH Taiwan Semiconductor Corporation Es1hlh 0,2603
RFQ
 ECAD 3750 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123 Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-ES1HLHTR Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,7 V @ 1 A 35 ns 5 µA A 500 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 8pf @ 4V, 1MHz
S5GC-K Taiwan Semiconductor Corporation S5GC-K 0,2203
RFQ
 ECAD 5951 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-S5GC-KTR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,15 V @ 5 A 10 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 34pf @ 4V, 1MHz
1SMA5937HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5937HR3G -
RFQ
 ECAD 2337 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AC, SMA 1SMA5937 1,5 w DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 1.800 500 Na @ 25,1 V 33 v 33 ohms
MBRS20H100CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20H100CTH 0,7761
RFQ
 ECAD 6032 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRS20 Schottky TO-263AB (D2PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBRS20H100CTHTR Ear99 8541.10.0080 1.600 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 100 v 20a 950 mV @ 20 A 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 175 ° C.
S5KH Taiwan Semiconductor Corporation S5KH 0,2021
RFQ
 ECAD 6057 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-S5khtr Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,15 V @ 5 A 1,5 µs 10 µA a 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 60pf @ 4V, 1MHz
MUR260H Taiwan Semiconductor Corporation MUR260H 0,1741
RFQ
 ECAD 10000 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Mur260 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MUR260HTR Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,35 V @ 2 A 50 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2a 26pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5250B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5250B RHG 0,0433
RFQ
 ECAD 9698 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F MMSZ5250 500 MW SOD-123F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 3.000 100 Na @ 15 V 20 v 25 ohms
MBRF10H150CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10H150CTH 0,7608
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 ECAD 8076 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada MBRF10 Schottky ITO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-MBRF10H150CTH Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 150 v 10a 970 mV @ 10 A 5 µA A 150 V -55 ° C ~ 175 ° C.
BZX79B5V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B5V1 0.0305
RFQ
 ECAD 8186 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BZX79 500 MW DO-35 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZX79B5V1TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,5 V @ 100 Ma 2 mA @ 2 V 5.1 v 60 ohms
BAT42-L0 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BAT42-L0 R0G -
RFQ
 ECAD 4781 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BAT42 Schottky DO-35 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado BAT42-L0R0G Ear99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 1 V @ 200 mA 5 ns 500 Na @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C. 200Ma 7pf @ 1V, 1MHz
BZD27C180P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180P RTG -
RFQ
 ECAD 7484 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 6,4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-219AB BZD27 1 w Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0050 7.500 1,2 V @ 200 mA 1 µA A 130 V 179,5 v 450 ohms
1PGSMC5361 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5361 0,3249
RFQ
 ECAD 2107 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 w DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-1PGSMC5361TR Ear99 8541.10.0050 3.000 500 Na @ 20,6 V 27 v 5 ohms
MTZJ11SA Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj11sa 0.0305
RFQ
 ECAD 9240 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco DO-204AG, DO-34, axial Mtzj11 500 MW Do-34 download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-mtzj11satr Ear99 8541.10.0050 10.000 200 Na @ 8 V 10.45 v 30 ohms
SR505 Taiwan Semiconductor Corporation SR505 -
RFQ
 ECAD 7738 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial Schottky Do-201d - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-SR505TR Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 700 mv @ 5 a 500 µA A 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a -
TSM038N04LCP Taiwan Semiconductor Corporation TSM038N04LCP 1.5504
RFQ
 ECAD 3715 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 TSM038 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252, (D-PAK) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-TSM038N04LCPTR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-canal 40 v 19a (ta), 135a (tc) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 19a, 10V 2,5V a 250µA 104 NC @ 10 V ± 20V 5509 pf @ 20 V - 2.6W (TA), 125W (TC)
BZT52B9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B9V1 0,0412
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 ECAD 5156 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo ± 2% 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOD-123F BZT52B 500 MW SOD-123F download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-BZT52B9V1TR Ear99 8541.10.0050 6.000 1 V @ 10 Ma 450 Na @ 6 V 9.1 v 15 ohms
PU3DAH Taiwan Semiconductor Corporation PU3DAH 0,4800
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 ECAD 14 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Padrão DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 930 mV @ 3 a 25 ns 2 µA a 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 3a 47pf @ 4V, 1MHz
ESDLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Esdlwhrvg 0,4300
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123W Esdlw Padrão SOD-123W download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 800 mA 35 ns 1 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 800mA 21pf @ 4V, 1MHz
KBU1003G T0 Taiwan Semiconductor Corporation KBU1003G T0 -
RFQ
 ECAD 9261 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Bandeja Descontinuado no sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco 4-sip, kbu KBU1003 Padrão KBU download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado KBU1003GT0 Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 10 A 5 µA A 200 V 10 a Fase Única 200 v
UGF8JH Taiwan Semiconductor Corporation Ugf8jh -
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 ECAD 1936 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 Padrão ITO-220AC - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-UGF8JH Ear99 8541.10.0080 1.000 - 600 v 2,9 V @ 8 A 25 ns 30 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
SFF10L05GH Taiwan Semiconductor Corporation SFF10L05GH 0,4385
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 ECAD 9542 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada SFF10L05 Padrão ITO-220AB download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 1801-SFF10L05GH Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1 par cátodo comum 300 v 10a 1,3 V @ 5 A 35 ns 10 µA A 300 V -55 ° C ~ 150 ° C.
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